فی گوو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

فی گوو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

گزارش کارآموزی رشته الکترونیک آزمایشگاه مدار های الکتریکی

اختصاصی از فی گوو گزارش کارآموزی رشته الکترونیک آزمایشگاه مدار های الکتریکی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

گزارش کارآموزی رشته الکترونیک آزمایشگاه مدار های الکتریکی


گزارش کارآموزی رشته الکترونیک آزمایشگاه مدار های الکتریکی

دانلود گزارش کارآموزی رشته الکترونیک آزمایشگاه مدار های الکتریکی بافرمت ورد وقابل ویرایش تعدادصفحات 12


گزارش کارآموزی آماده,دانلود کارآموزی,گزارش کارآموزی,گزارش کارورزی

این پروژه کارآموزی بسیاردقیق وکامل طراحی شده و جهت ارائه واحد درسی کارآموزی

آزمایش شماره :1 موضوع آزمایش: بررسی قانون اهم ، قوانین ولتاژها وجریانهای کرشهف ، قوانین تقسیم ولتاژوتقسیم جریان   1-1: بررسی قانون اهم  مدارشکل 1-1 را روی برد بسته وبا تغییر منبع ولتاژ مطابق جدول زیر  جریان را توسط آمپرمتر اندازه گیری کرده و در جدول یادداشت کنید. منحنیتغییرات جریان بر حسب ولتاژ را رسم کنید. روش آزمایش:   مقاومت یک کیلو اهم را درمدار قرار میدهیم و در ولتاژهای 1 تا 10 امتحان می کنیم که جریان آن را روی آمپرمتر به دست می آوریم.    10    9    8    7    6    5    4    3    2    1    E(V) 10/25    9/18    8/12    7/14    6/04    5/12    4/12    3/02    2/08    00/98    I (MA)                                     :2-1 بررسی تقسیم ولتاژ و ولتاژ کرشهف ((KVL مدار شکل2-1 را ببندید.ولتاژ دو سر هر یک از مقاومت ها را توسط ولتمتر اندازه گیری نمایید و در جدول یادداشت کنید . سپس افت ولتاژ هر یک از مقاومت ها را با افت ولتاژ بدست آمده از قانون تقسیم ولتاژ مقاومت های سری مقایسه نموده و قانون ولتاز کرشهف را تحقیق نمایید.  مقاومت کل در جریان کل ضرب می شود جریان کل=1/28               I     7/23    1/56    1/28    10    مقدار اندازه گیری شده 7/167    1/536    1/28    9/971    مقدار محاسبه شده    :3-1 بررسی تقسیم جریان در شاخه های موازی و قانون جریان کرشهف((KCL مدار شکل 3-1 را ببینید . جریان هر کدام از مقاومت ها را توسط آمپر متر اندازه گیری نمایید و در جدول یادداشت کنید . سپس جریان هر یک ازمقاومت ها را با جریان بدست آمده از قانون تقسیم جریان مقاومت های موازی مقایسه نموده و قانون جریان کرشهف را تحقیق نمایید.

 


دانلود با لینک مستقیم


گزارش کارآموزی رشته الکترونیک آزمایشگاه مدار های الکتریکی

پاور پوینت رشته علوم تربیتی مقدمات مدیریت آموزشی

اختصاصی از فی گوو پاور پوینت رشته علوم تربیتی مقدمات مدیریت آموزشی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پاور پوینت رشته علوم تربیتی مقدمات مدیریت آموزشی


پاور پوینت رشته علوم تربیتی مقدمات مدیریت آموزشی

دانلود پاور پوینت رشته علوم تربیتی مقدمات مدیریت آموزشی با فرمت ppt و قابل ویرایش تعداد اسلاید 247

دانلود پاور پوینت آماده

تعریف سازمان

سازمان عبارت است از هماهنگی معقول تعدادی از افراد که برای تحقق هدف یا منظور مشترکی از طریق تقسیم وظایف و برقراری روابط منظم و منطقی به طور مستمر فعالیت می کنند.

 

این فایل بسیار کامل و جامع طراحی شده و جهت ارائه در سمینار و کنفرانس بسیار مناسب است و با قیمتی بسیار اندک در اختیار شما دانشجویان عزیز قرار می گیرد


دانلود با لینک مستقیم


پاور پوینت رشته علوم تربیتی مقدمات مدیریت آموزشی

جبرانسازی توان راکتیو با ادوات FACTS

اختصاصی از فی گوو جبرانسازی توان راکتیو با ادوات FACTS دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

جبرانسازی توان راکتیو با ادوات FACTS


جبرانسازی توان راکتیو با ادوات FACTS

جبرانسازی توان راکتیو با ادوات FACTS

45 صفحه در قالب word

 

 

 

فهرست مطالب:

مقدمه

انواع اصلی کنترل کننده‌های FACTS

کنترل کنندهای موازی

کنترل کننده‌های متصل شده به صورت سری

کنترل کننده‌های ترکیبی موازی و سری

کنترل کننده‌های دیگر

لیست منافع محتمل از فن‌آوری FACTS

بخش 2 ـ جبرانسازی با ادواتFACTS

جبران سازی موازی

تنظیم ولتاژ در نقطه میانی برای تقطیع خط

پشتیبانی ولتاژ در انتهای خط برای جلوگیری از ناپایداری ولتاژ

اصلاح پایداری حالت گذرا

خلاصه الزامات جبران ساز

روش‌های تولید توان رآکتیو قابل کنترل

مولدهای استاتیکی توان رآکتیو با امپدانس متغیر

مولدهای توان رآکتیو نوع کنورتور سوئیچ شونده

مولدهای توان رآکتیو مختلط کلید زنی کنورتور با TSC و TCR

جبران سازهای استاتیکی توان رآکتیو SVC و STATCOM

انواع متعارف ادوات FACTS

استفاده از ادوات FACTS در صنعت برق کشور

« نمونه‌ای از کاربرد ادوات FACTS در جهان»

اثبات کارآئی سیستم نصب شده

حداکثر سازی ظرفیت شبکه موجود

منابع

 

خلاصه :

افزایش بار تحمیلی به شبکه‌های انتقال و افزایش مصرف، لزوم تولید بیشتر انرژی الکتریکی را ایجاب می‌کند، ولی بدست آوردن حریم‌های جدید برای خطوط انتقال بسیار مشکل می‌باشد. و این مسائل باعث می‌شودکه شرکت‌های تولید و انتقال کننده برق سعی کنند که از حداکثر ظرفیت خطوط انتقال خود استفاده کنند، فن‌آوری جدید FACTS  این قابلیت را برای شرکت‌ها ایجاد و علاوه بر آن قابلیت اطمینان شبکه‌ها را نیز بالا می‌برد، در این مقاله ابتدا به شناسایی ت ادرات و تجهیزات FACTS پرداخته شده و سپس جبرانسازی توان رآکتیو برای افزایش بهینه ظرفت خطوط انتقال مورد بررسی قرار گرفته‌اند. مولدهای توان راکتیو و مثالهایی از کاربرد ادرات FACTS در جهان و ایران از بخشهای دیگر این مقاله می‌باشند.

 

مقدمه:

در سالهای اخیر، بار تحمیلی به شبکه‌های انتقال افزایش یافته است و این افزایش هم چنان به دلیل ازدیاد تعداد مولدهای منفرد و جدا از شرکت‌های برق و همچنین افزایش رقابت میان خود شرکت‌ها، ادامه خواهد یافت. به این امر باید این مسئله را نیز افزودکه به دست آوردن حریم‌های جدید برای عبور خطوط انتقال نیرو بسیار مشکل شده است. افزایش بار انتقالی، نبود طراحی بلند مدت، و نیاز به دسترسی آزادانه شرکت‌ها و مشترکین به موسسات تولید کننده، همه با هم موجب پدیدار شدن تمایلاتی در جهت ایمنی کمتر و کیفیت پایین‌تر تولید و تأمین نیرو شده ‌اند . فن‌آوری FACTS ، با قادر کردن شرکت‌ها به بهره‌گیری حداکثر از امکانات انتقال خود و با افزایش قابلیت اطمینان شبکه، از عوامل اساسی در برطرف نمودن پاره‌ای از ـ نه تمامی ـ این مشکلات می‌باشد.

هر چند، باید تاکید کرد که در بسیاری از ضرورت‌های افزایش ظرفیت شبکه، احداث خطوط جدید، با افزایش ظرفیت جریان و ولتاژ خطوط موجود در یک کریدور، ضرورت دارد.

فن‌آوری FACTS یک کنترل کننده منفرد و پرتوان نیست، بلکه مجموعه‌ای از کنترل کنندهاست، که هر یک می‌تواند به تنهایی یا با هماهنگی دیگر کنترل کننده‌ها یک یا چند پارامتر ذکر شده را در سیستم کنترل نماید. یک کنترل کننده FACTS که به طرز مناسبی انتخاب شده باشد، می‌تواند محدودیت‌های خاصی یک خط مشخص یا یک کریدور را برطرف نماید. از آن جا که کنترل کننده‌های FACTS کاربردهایی از یک فن‌آوری پایه را عرضه می‌کنند، تولید آن‌ها در نهایت می‌تواند از مزیت فن‌آوریهای مبنا بهره ببرد. همان گونه که ترانزیستور جزء پایه برای طیف وسیعی از تراشه‌های میکروالکترونیکی و مدارات است، تریستور یا ترانزیستور قدرت بالا نیز جزء اصلی برای مجموعه‌ای از کنترل کننده‌های الکترونیکی قدرت بالا است.

برخی از کنترل کننده‌های الکترونیک قدرت، که اینک در زمره مفاهیم FACTS در آمده‌اند مربوط به زمانی هستند که مفهوم FACTS توسط آقای هینگورانی[1]ـ به جامعه صنعتی معرفی شد. شاخص‌ترین آنها جبران کننده استاتیکی توان راکتیو در حالت اتصال موازی (svc) می‌باشد، که برای کنترل ولتاژ اولین بار در نبراسکا به نمایش درآمد و به وسیله کمپانی GE در 1974 و به وسیله کمپانی وستینگهاوس در مینه سوتا در 1975 به صورت تجاری عرضه شد. اولین کنترل کننده سری، NGH-SSR با حالت میراکننده توسط هینگورانی، ساخته شد. این کنترل کننده عبارت از ابزار کنترل امپدانس به صورت خازن سری کم توان بود و در سال 1984 توسط زیمنس در کالیفرنیا به نمایش درآمد. این وسیله نشان داد که با یک کنترل کننده فعال هیچ حدی برای جبران سازی توسط خازن سری وجود ندارد. حتی قبل از SVC ها، دو نوع راکتور قابل اشباع استاتیک برای محدود کردن اضافه ولتا‍ژها جود داشتند و نیز برق گیرهای قدرتمند اکسید فلزی فاقد فاصله هوایی نیز برای محدود کردن اضافه ولتاژهای گذرا به کار می‌رفتند. تحقیقاتی هم بر روی تپ چنجرهای الکترونیکی و جابه‌جا کننده‌های فاز انجام شده است. با همه این‌ها، وی‍ژگی منحصر به فرد فن‌آوری FACTS آن است که مفاهیم این چتر گسترده، موقعیت‌های فراوان بالقوه‌ای را برای فن‌آوری الکترونیک قدرت به وجود آورده، به طوری که ارزش سیستم‌های قدرت افزایش یافته، و با استفاده از آن انبوهی از نظریات پیشرفته و جدید ارائه و به واقعیت تبدیل شده است.

 

انواع اصلی کنترل کننده‌های FACTS

به طور کلی، کنترل کننده‌های FACTS را می‌توان به چهار دسته تقسیم کرد:

کنترل کننده‌های سری

کنترل کننده‌های موازی(شنت)

کنترل‌کننده‌های ترکیبی سری ـ سری

کنترل کننده‌های ترکیبی سری ـ موازی

شکل 1ـ الف نماد عمومی برای یک کنترل کننده FACTS را نشان می‌دهد که به صورت یک پیکان، تریستور در داخل یک جعبه است.

 

کنترل کننده‌های سری: ‍[شکل 1ـ ب] کنترل کننده سری می‌تواند یک امپدانس متغیر باشد، مثل خازن، راکتور، و غیره ...، یا یک منبع متغیر فرکانس اصلی یا زیر سنکرون و فرکانس‌های هارمونیکی مبنی بر الکترونیک قدرت باشد، (یا ترکیبی از آن‌ها) که نیاز مورد نظر را برآورده نماید. در اصل همه کنترل کننده‌های سری ولتاژ را به صورت سری به خط تزریق می‌کنند. حتی یک امپدانس متغیر ضرب در جریان داخل آن، نماینده یک ولتاژ سری است که در خط تزریق شده است. تا زمانی که ولتاژ بر جریان خط عمود است، کنترل کننده سری فقط مقادیری توان راکتیو تأمین یا مصرف می‌کند. هر اختلاف فاز دیگری، جابه‌جایی توان واقعی را نیز درگیر خواهد نمود.

 

کنترل کننده‌های موازی: ‍[شکل 1ـ ج] مثل حالت کنترل کننده های سری، کنترل کننده موازی می‌تواند امپدانس متغیر، منبع متغیر یا ترکیبی از آن‌ها باشد. در اصل همه کنترل کننده‌های موازی در نقطه اتصال خود جریان به سیستم تزریق می‌کنند. حتی یک امپدانس متغیر که به ولتاژ خط متصل شده باشد موجب سیلان جریان متغیری شده و لذا نماینده تزریق جریان به داخل خط است تا زمانی که جریان تزریق شده و ولتاژ خط عمود باشند، کنترل کننده موازی فقط مقادیری توان راکتیو تأمین یا مصرف می‌کند. هر اختلاف فاز دیگری، جابه‌جایی توان واقعی را نیز درگیر خواهد کرد.

 

کنترل کننده ترکیبی سری ـ سری: [شکل 1ـ د] این وسیله می‌تواند ترکیبی از کنترل کننده‌های سری جداگانه باشد که در چند خط انتقال یک سیستم نصب شده و به صورت هماهنگ شده کنترل می‌شوند. یا می‌تواند یک کنترل کننده یکپارچه شده باشد (شکل 4ـ1 د) که در آن، کنترل کننده‌های سری، جبران سازی رآکتیو سری را به طور مستقل برای هر خط انجام می‌دهند، اما توان واقعی را نیز از طریق رابط توان بین خطوط منتقل می‌نمایند. قابلیت انتقال توان در کنترل کننده یکپارچه سری ـ سری که به آن کنترل کننده سیلان توان بین خطی می‌گویند، تعادل سیلان انتقال را به حداکثر می‌رساند. توجه نمایید که اصطلاح « یکپارچه شده» در این جا به این معنی است که ترمینال‌های dc در کنورتورهای همه کنترل کننده‌ها، همه به یکدیگر متصل شده‌اند تا توان واقعی را منتقل نمایند.

 

 

ممکن است هنگام انتقال از فایل ورد به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل است

متن کامل را می توانید در ادامه دانلود نمائید

چون فقط تکه هایی از متن برای نمونه در این صفحه درج شده است ولی در فایل دانلودی متن کامل همراه با تمام ضمائم (پیوست ها) با فرمت ورد word که قابل ویرایش و کپی کردن می باشند موجود است


دانلود با لینک مستقیم


جبرانسازی توان راکتیو با ادوات FACTS

دانلود مقالهISI اندازه گیری صلیب نسبت بخش σttbb / σttjj در برخورد PP در √s = 8TeV

اختصاصی از فی گوو دانلود مقالهISI اندازه گیری صلیب نسبت بخش σttbb / σttjj در برخورد PP در √s = 8TeV دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

موضوع فارسی :اندازه گیری صلیب نسبت بخش σttbb / σttjj در برخورد PP در √s = 8TeV

موضوع انگلیسی : Measurement  of  the  cross  section  ratio  σttbb/σttjj in  pp collisions at √s = 8TeV

تعداد صفحه : 22

فرمت فایل :pdf

سال انتشار : 2015

زبان مقاله : انگلیسی

چکیده

او فی اندازه گیری اول صلیب نسبت بخش σttbb / σttjj
با استفاده از نمونه اطلاعات مربوط ارائه شده است
به درخشندگی یکپارچه 19.6 FB-1 در برخورد PP در جمع آوری
√s8Te با آشکارساز CMS در
برخورد دهنده بزرگ هادرون. رویدادها با دو لپتونها (E یا μ) و چهار جت بازسازی، از جمله دو اد شناسایی به عنوان کوارک b
جت، در دولت نهایی انتخاب می شوند. این نسبت برای حداقل حرکت عرضی جت PT مشخص
از هر دو 20 و 40 گیگا الکترون ولت / C. نسبت اندازه گیری است 0.003 ± (آمار) ± 0.005 (آفلاین) برای PT> 20 گیگا الکترون ولت / C 0.022.
بخش مطلق متقابل σttbb و σttjj
نیز اندازه گیری شد. نسبت اندازه گیری شده برای PT> 40 گیگا الکترون ولت / C است
سازگار با یک محاسبه کرومودینامیک کوانتومی نظری در آینده منجر به سفارش.

کلمات کلیدی: CMS
فیزیک
فیزیک بالا


دانلود با لینک مستقیم


دانلود مقالهISI اندازه گیری صلیب نسبت بخش σttbb / σttjj در برخورد PP در √s = 8TeV

دانلود مقالهISI جستجو برای یک بوزون هیگز استاندارد مانند مدل در μ + μ- و E + الکترونیکی کانال های فروپاشی در LHC

اختصاصی از فی گوو دانلود مقالهISI جستجو برای یک بوزون هیگز استاندارد مانند مدل در μ + μ- و E + الکترونیکی کانال های فروپاشی در LHC دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

موضوع فارسی : جستجو برای یک بوزون هیگز استاندارد مانند مدل در μ + μ- و E + الکترونیکی کانال های فروپاشی در LHC

موضوع انگلیسی :Search  for  a  standard model-like  Higgs  boson  in  the  μ+μ− and  e+e− decay channels at the LHC

تعداد صفحه : 24

فرمت فایل :pdf

سال انتشار : 2015

زبان مقاله : انگلیسی

چکیده

جستجو برای یک هیگز مانند مدل استاندارد ارائه هیگز پوسیدگی به μ + μ- و یا پست الکترونیکی + فی نهایی
کشور بر اساس برخورد پروتون-پروتون ثبت شده در آزمایش CMS در سرن LHC. داده
مربوط به درخشندگی یکپارچه از 5.0 FB-1 در انرژی مرکز از جرم 7TeV و 19.7 FB-1 در
8 ترا الکترون ولت برای μ + μ- جستجو، و 19.7 FB-1 در 8TeV برای E + الکترونیکی جستجو. محدودیت های بالا در تولید
بار مقطع انشعاب کسری در سطح اعتماد فی 95٪ برای توده بوزون هیگز گزارش
در محدوده 120-150 گیگا الکترون ولت. برای بوزون هیگز با جرم 125 گیگا الکترون ولت فرسایش بصورت میکرون + μ-، در
مشاهده (انتظار) حد بالایی در میزان تولید است یافت می شود 7.4 (6.5 + 2.8
-1.9) برابر استاندارد
ارزش مدل. این مربوط به حد بالایی در بخش انشعاب 0.0016. به طور مشابه، برای e + الکترونیکی،
حد بالایی از 0.0019 است در بخش انشعاب است که ≈3.7 قرار داده × 105 برابر استاندارد
ارزش مدل. این نتایج، همراه با شواهد اخیر از 125 گیگا الکترون ولت جفت هیگز به تغییری -leptons
با کسر شاخه بزرگتر سازگار با مدل استاندارد، RM فی که کوپلینگ leptonic
از بوزون جدید avour جهانی FL است.
کلمات کلیدی: CMS
فیزیک
هیگز
لپتون
موآن
الکترون
لپتون
موآن
ترانسفورمر
بوزون هیگز

دانلود با لینک مستقیم


دانلود مقالهISI جستجو برای یک بوزون هیگز استاندارد مانند مدل در μ + μ- و E + الکترونیکی کانال های فروپاشی در LHC