پلی سیلان فلوئورو آلکیله؛ یک سنسور شیمیایی بسیار حساس و اختصاصی یون فلوراید

اختصاصی از فی گوو پلی سیلان فلوئورو آلکیله؛ یک سنسور شیمیایی بسیار حساس و اختصاصی یون فلوراید دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقدمه

به دلیل اهمیت آنیون ها در فرایندهای مختلف، شناسایی آن ها، اهمیت قابل توجهی دارد. به دلیل نسبت بار به اندازه ی کوچک تر آنیون ها نسبت به کاتیون ها، طراحی سنسورهای حساس و اختصاصی، برای آن ها سخت تر از کاتیون هاست. در سال های اخیر، به دلیل اثرات یون های فلوراید بر سلامتی انسان، طراحی سنسورهایی برای تشخیص آن ها، اهمیت قابل توجهی پیدا کرده است.

اخیرا، پلی مرهای کانجوگه، اهمیت زیادی، به عنوان سنسورهای شیمیایی فلوئورسانس برای سنجش فلوراید پیدا کرده اند.

ما اخیرا، یک سنتز آسان برای پلی سیلان فلوئوروآلکیله ی سیگما-کانجوگه گزارش کرده ایم. میانکنش های ضعیف Si….F-C سبب پایداری کونفورماسیون میله ای می شوند. تمایل اتم های Si به اتم های F، انگیزه ی طراحی سنسورشیمیایی تشخیص دهنده ی یون فلوراید شد. برخلاف دیگر گیرنده ها که فقط یک جایگاه اتصالی برای یون فلوراید دارند، این سنسورشیمیایی ساخته شده از پلی سیلان، دارای چندین جایگاه اتصالی فلوراید است و از این رو، حساسیت بیشتری دارد.مشخص شده است که سیگنال های نوری پلی سیلان های نیمه هادی، به تغییرات طول سیگما-کانجوگاسیون بستگی دارد و تغییرات کنفورماسیونی، آن را تغییر می دهد. ما در این مطالعه، نوع جدیدی از سنسورهای شیمیایی را بر اساس کنفورماسیون 1 برای تشخیص یون های فلوراید را نشان دادیم. این سنسور شیمیایی، بسیار حساس و اختصاصی است و می تواند یون های فلوراید موجود در محلول THF را در حد ppm آشکارسازی کند.

تحقیق تبادل یون

اختصاصی از فی گوو تحقیق تبادل یون دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فرمت فایل:   ( قابلیت ویرایش و آماده چاپ ) 

حجم فایل:  (در قسمت پایین صفحه درج شده )

تعداد صفحات فایل: 6

کد محصول : 001Shop

فروشگاه کتاب : مرجع فایل 

---

 

 قسمتی از محتوای متن 

مقدمه

پدیده تبادل یون برای اولین بار در سال 1850 و به دنبال مشاهده توانایی خاک‌های زراعی در تعویض برخی از یون‌ها مثل آمونیوم با یون کلسیم و منیزم موجود در ساختمان آنها گزارش شد. در سال 1870 با انجام آزمایش‌های متعددی ثابت شد که بعضی از کانیهای طبیعی بخصوص زئولیت‌ها واجد توانایی انجام تبادل یون هستند. در واقع به رزین‌های معدنی ، زئولیت می‌گویند و این مواد یون‌های سختی آور آب (کلسیم و منیزیم) را حذف می‌کردند و به جای آن یون سدیم آزاد می‌کردند از اینرو به زئولیت‌های سدیمی مشهور شدند که استفاده از آن در تصفیه آب مزایای زیاد داشت چون احتیاج به مواد شیمیایی نبود و اثرات جانبی هم نداشتند.

اطلاعات اولیه

کروماتوگرافی تبادل یونی در ستون‌ها ، بطور انحصاری ، کاربرد رزین‌های تبادل یونی محدود می‌شود زیرا این مواد به طور عمده خواص مطلوبی ، مانند پایداری مکانیکی و شیمیایی و یکنواختی اندازه دانه‌ها ( ذرات ) دارند، پودر سلولز که آن گرده‌های تبادل یونی به طریق شیمیایی قرار داده شده باشند نیز برای جداسازی مواد در ستون‌ها به کار می‌رود. ورقه‌هایی از سلولز عمل شده فوق و ورقه‌های سلولز پر شده با رزین‌های تبادل یونی را در روش کروموتوگرافی کاغذی برای جداسازی‌هایی که شامل تبادل یونی هستند، می‌توان مورد استفاده قرار داد.

رزین‌های متداول تبادل یونی

رزین‌های متداول تبادل یونی که به طور مصنوعی ساخته می‌شوند، بر پایه قالب غیر محلولی از یک بسپار بزرگ ، معمولا پلی استیرن ، استوار هستند. ولی بعضی از آنها متکی بر اسید متا اکریلیک هستند. نوع اول با بسپار کردن استیرن در حضور مقدار کمی از دی وینیل بنزن ساخته می‌شود. دی وینیل بنرن میزان اتصالات عرضی را که عامل مهمی در کروماتوگرافی است کنترل می‌کند. اتصالات عرضی ، بسپار را به حالت نامحلول در می‌آورد. اگر میزان اتصالات عرضی خیلی کم باشد رزین مستعد جذب مایع اضافی می‌شود و در نتیجه آماس زیادی می‌کند، در حالی که اتصالات عرضی زیاده از حد ، ظرفیت تبادل رزین را ، احتمالا به علت ممانعت فضایی کم می‌کند.

خواص رزین‌ها

• باید دارای گروه‌های مبادله کننده تک عاملی باشد. برای رزین‌های جدید هیچ مشکلی در این مورد وجود ندارد ولی محصولات اولیه که از فنل ساخته می‌شدند چند عاملی بودند و خواص تبادل آنها بستگی به PH محلولی که در آن قرار می‌‌گرفتند، داشت. از این نقطه نظر این رزین‌ها برای کروماتوگرافی مناسب نبودند.
• باید درجه اتصالات عرضی کنترل شده داشته باشد. 4 - 8 % بهترین درجه برای کروماتوگرافی است.
• گستره اندازه ذرات باید تا آنجایی که ممکن است کوچک باشد.
• اندازه ذرات باید، تا آنجایی که عملی است کوچک باشد.

  متن کامل را می توانید بعد از پرداخت آنلاین ، آنی دانلود نمائید، چون فقط تکه هایی از متن به صورت نمونه در این صفحه درج شده است.

پس از پرداخت، لینک دانلود را دریافت می کنید و ۱ لینک هم برای ایمیل شما به صورت اتوماتیک ارسال خواهد شد.

 

« پشتیبانی فروشگاه مرجع فایل این امکان را برای شما فراهم میکند تا فایل خود را با خیال راحت و آسوده دانلود نمایید »

اشتراک بگذارید:

اثر اتیلن تتراسین (Trien) روی فلوتاسیون یون Ni2+, Cu2+

اختصاصی از فی گوو اثر اتیلن تتراسین (Trien) روی فلوتاسیون یون Ni2+, Cu2+ دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فرمت فایل : word(قابل ویرایش)تعداد صفحات14

- چکیده
فلوتاسیون یون یک فرایند تفکیک شامل جذب یک ماده فعال و کانتریون و در حد فاصل محلول آبی / هواست. که برای حذف یون های فلز سنگین سمی از محلول دی آبی رقیق، فوق العاده است. ما در اینجا اثر گیماند لیت ساز عصبی و Trien را روی فلوتاسیون یون کاتیون دبی با دودکیل سولفات DS و به صورت دودکیل سولفات سدیم SDS اضافه شده را نشان می دهیم. فلورتاسیون یون در سیستم (II) Trien SDS- CU باعث حذف ترجیحی CU (II) می شود که بر عکس قابلیت گزینش مشاهده شده در سیستم (II) Trien SDS- CU بدون Trien است. سرعت دی حذف Ni2+, Cu2+ با DS خیلی سریعتر از (وجود Tries) نسبت به یون های ساده بود و غلظت نهایی فنر به طور قابل توجهی کمتر بود. اندازه گیری دی کشش سطحی نشان دادند که Trien باعث بهبود فعالیت سطحی و چگونگی جذب سطحی محلول های SDS- CU (II), SDS – Ni (II) شد. تغییر کمی انرپی آزاد گیبس برای جذب سطحی حاصل از کمپلک یون به ازاء CU (II) برابر -3.6 kg/mol و به ازاء Ni (II) برابر -3.5 kg/mol بود و شامل اثرات فعل و انفعالات هیدروفولیک بین مجموعه دی Trien فلزی در حد فاصل هوا / محلول می باشد و با تغییرات میزان دهیدراسیون مربوط به جذب مشترک مجموعه Trien – فلز با DS در حد فاصل هوا/ محلول همراه است.
1- مقدمه:
فلتاسیون یون ، یک تکنیک تفکیک استفاده شده برای حذف یونهای غیر فعال سطحی از محلول دی آلی از طریق اضافه کردن یک ماده فعال می باشد. ماده فعال به طور خود به خود در حد فاصل هوای محلول متمرکز شده و یونهای حذف شده با فعل و انفعال الکترو استاتیک یا کی سیت به ماده فعال متصل شده اند. یونهای در حال واکنش با ماده فعال سوتعی از محلول زدوده شده اند که گاز در محلول پخش شده و حباب دی حاصل تشکیل یک فوم پایدار می دهند. در مقایسه با روش دی تفکیک های دیگر فلوتاسیون یون مزایایی از لحاظ سهولت عملیات و هزینه دی پائین دارد و برای پردازش حجم دی زیاد محلولت های آبسی رقیق خیلی برجسته است.
فلوتاسیون یون یک پدیده حد فاصلی (میانی) بوده که مسائل جذب ساده فعال و کاتنریون غیر فعال سطح است. لیو و دویل از لحاظت تئوری فرایند جذب سطحی را در فلوتاسیون یون از نقطه نظر فرمودینامیکی بررسی نموده اند با اعمال معادله گیسبس به یک سیستم آبی، Na A + M Xn چگالی جذب سطحی و ماده فعال یون نفر با معادلات زیر مشخص شده است.

دانلود مقاله یون گیری واکنشی

اختصاصی از فی گوو دانلود مقاله یون گیری واکنشی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مشخصات این فایل
عنوان: یون گیری واکنشی
فرمت فایل: word( قابل ویرایش)
تعداد صفحات: 65

این مقاله درمورد یون گیری واکنشی می باشد.

خلاصه آنچه در مقاله یون گیری واکنشی می خوانید .

مقالات نمونه در سمنیار             Sample Seminar Notes
تجمعه درزها (شکاف ها)- الکترون گیری تحت فشار القا شدة در پلی سیلیکون
تجمع درزها در الکترون گیری پلی سیلیکون تا حدودی به علت الکترون گیری خودبخود ارتقاء یافته در اثر فشار بستگی دارد و بطور کامل نمی توان گفت که معلول صد در صدی از پدیدة شارژ جلوه ای می باشد. به حداقل رساندن فشار کششی در میان لایه های نازک پلی سییکون می تواند تجمع شکافها و درزها را کاهش دهد. مثلاً برانگیخته (ملتهب) کردن و متفاوت کردن شرایط جایگری پلی سیلیکون. همچین تغییر و تصحیح فرایندهای الکترون گیری پلاسما برای افزایش حالت مفعولی دیواره ها (فاعلیت دیواره ای) یا جداره ای. مثل اضافه کردن کاتالیزورهای (پیک (قاصد)های) مفعولی به گازی که در فرایند استفاده می شود و این گاز الکترون گیری خودبخودی را را بلوکه و قبضه می کند، یک روش متناوب جلوگیری ازالکترون گیری خودبخودی در پلی سیلیکون در برخورد (رویارو شدن) اکسید و پلی سیلیکون، می باشد. شکاف دار شدن(درز دار شدن سطوح) تا زمان زیادی به پیچش (قول دار بودن) مسیر و حرکت یون که با میدان الکتریکی القاء شده بود نسبت داده می شد و نیز الکترون گیری بعدی (آتی) پلی سیلیکون با این یونها   پتانسیل عظیم شارژ ناحیه ای در سطح دی اکسید سیلیکون به سبب اختلاف در جهت دار بودن یونها و الکترونها می باشد مثلاً الکترونهایی که بطور ایزتروپیک جهت دار شده اند بطور منفی کناره ها(جداره ها)ی ضد نور (فتورسیست) را شارژ کردة یونهای جهتی بطور مثبت لایه های زیرین اکسید را شارژ می کنند (در خلال الکترون گیری بیش از اندازه). لازمة بالقوة بازتاب (انعکاس) یونهای با انرژی پائین (eV 45<) برای تشکیل درزها تقریباً   ( ) بر روی یک سطح اکسید می باشد. بهر صورت بزرگی این میدان بستگی دارد به (وابسته است× به 2 عامل (عامل 2) برای شکست ولتاژ برای توسعه اکسید (گسترش اکسید) (اکسید فزاینده) تقریباً   چنین میزان بزرگی تمایل زیادی دارد به اینکه در بین سطوح نشتی بوجود بیاورد، میدان را کاهش دهد و بدین طریق از بازتاب یونها که به منظور ایجاد توسعه برای بوجود آوردن شکاف ها استفاده دارد، جلوگیری کند. حتی در میان اکسید گسترده،   گزارش داد که نشت گسترش برای   اکسید غنی و غلیظ بالای ولتاژ بکار رفته، قابل توجه شده بود و این ولتاژها V5 بود. علاوه بر اینها، بمبارانهای یونی، الکترونی و ذرات نوری UV از پلاسما، حالات الکتروی را تهیج و برانگیخته می کرد بدینصورت نشت اکسید را بالاتر می برد و کاهش اضافی میدانها در بین اجزاء و انعکاس افزودة یون را به دنبال داشت. فشار کششی در برخورد اکسید- پلی سیلیکون الکترون گیری خود بخودی پلی سیلیکون به وسیلة خنثی های واکنشی را بالاتر می برد و سبب تجمع شیارها و دزها می شد. میدانهای فشار غیر هم شکل در بین خطوط مرتب شده مشاهده شده اند و فشارهای متمرکز شده (جایگیر شده) بزرگ در حین مقابله، القاء شده اند، بخصوص گوشه ها و کناره‌های نزدیک (هم جوار) با زیرلایه ها (substrate)؛ برای انجام (اثبات درستی) الکترون گیری که با فشار ارتقاء یافته، نمونه های مرتب شده بطور مکایکی طوری فرم گرفته بودند و انحناء یافته بودند تا فشار لایه های نازک پلی سیلیکون بدون هیچ گونه تغییری روی لایه ها، تغییر کند. فشار مکانیکی   اعمال شد مقداری بزرگتر از چیزی است در یک لایة پلی سیلیکون نمونه بدون انحناء مکانیکی انجام می شود (اعمال می شود). این تنظیم خمش مونه (خم کردن نمونه) در تصویر 1 نشان داده شده. نمونه های مرتب شده (دارای الگو) از همان لایة Wafer 6 اینچ بریده شده بودند و شامل خطوط مکرر (تکراری) و فاصله های مابین آنها، می شد. سیم های فلزی در زیر نمونه های الگویی (راه راه) سیلیکون قرار داده شده بودند و با خطوط الگو عمود بودند. سپس نمونه ها توسط سیستم اشعه ای با   و Cl هم بدون سیم فلزی و هم با آن، الکترون گیری شدند.

«تنظیم برای خم شدن 3 نقطه ای نمونه های مرتب شدة پلی سیلیکون. یک سیم تنگستن در زیر نمونة سیلیکون مرتب شده قرار داده شده بود که با خطوط حالت عموی داشت   2 پیچ فولاد ضد زنگ هم برای محکم کردن لبه های نمونه بر روی نمونه گیر در هنگام فشار مکانیکی بر سطوح لایه های نازک، بکار رفته بود. نمونه ها از یک Wafer هم با سیم و هم بدون سیم الکترون گیری شدند.»
پروفیلهای الکترون گیری شدة نمونه های مرتب پلی سیلیکون با اعمال فشار مکانیکی و بدون اعمال فشار مکانیکی در تصویر 2 برای مقایسه نشان داده شده اند. درجة شکاف دار شدن با فشار مکانیکی اعمال شده، بیشتر می شود و نشان می دهد که فشار می تواند الکترون گیری خودبخودی پلی سیلیکون را به وسیلة کلرین اتمی، (کلرین گازی تهیه شده از نمک معمولی است) بالاتر ببرد (ارتقاء دهد9.
«نمونة عکس سطح مقطع ضد نور پلی سیلیکون الکترون گرفته با   (عکس a) نمونه بدون خم شدن/ فشار مکانیکی الکترون گرفته. (b) نمونه با فشار/ خم شدن مکانیکی الکترون گرفته. هر دو نمونه از wafer  اینچی 6 گرفته شده بودند.»

زمان الکترون گیری بیشتر از حد که در این آزمایشات بکار گرفته شده بود تقریباً 15% کمتر از آن چیزی بود که در فرایند شکل گیری (تجمع) شکافها  که حدود 200% بوده گزارش شده بود که در آن مدت (طی آن زمان) تجمع شکاف ها (شکاف دار شدن) گوشه ها یا حدود متشابه مشاهده شده بودند.
سرعت (نسبت) بیشتر شکافدار شدن در آزمایشات ما نشان می دهد (ثابت می کند) که این عمل با بیشتر شدن مقدار فشار، شتاب می گیرد. بهرحال (بنابراین) آهسته و کم (جزئی) که مشاهده شدة بدون اعمال نیروی مکانیکی صورت گرفته، نشان داده است که این نمونه های پلی سیلیکون تهیه شده به وسیلة SEMATECH دارای فشار کافی هستند که شکافدار شدن با الکترون گیری بیش از حد و گسترده اتفاق خواهد افتاد.
نتایج مشهود آزمایشی قویاً تأکید می کند (بحث می کند) که تجمع (ازدیاد) شکافدار شدن به طور عمده (بیشتر) به وسیلة فشار تحت تأثیر قرار می گیرد، چنانچه (در حالیکه) شارژ و پیچیش مداری یونها در سیستم اشعه ای (ستونی) قابل توجه و زیاد نیستند. ازمایشات اشعه ای (ستونی) که در این کار (پروژه) گزارش شده اند از یک اشعة یون دسته بندی شدة (مرئی شده) ]تقریباً بیشتر از   [ « » با یک توزیع انرژی بیشتر از 15 Ve از Fwhm و درجه حرارت الکترونی (حرارت الکترونی) تخمین زدة کمتر از ev1 استفاده می کنند. میدانهای لازم برای انعکاس یونها تحت این شرایط تقریباً برابر با یک هزار   است بطور مثال مساوی با آنچه که برای شکست اکسید گسترده لازم است. شکافدار شدن با 15% الکترون گیری اضافه حتی در مواردی که نیروی مکانیکی اضافه، اعمال نمی شود هم مشاهده شده است. سرانجام، (در آخر) شکافدار شدن از نیروی (فشار) مکانیکی ذخیره شده و جمع شده نیز تأثیر می گیرد که تحت همان شرایط الکترون گیری بوجود می آید. (وجود دارد).
فشار ممکن است باعث ارتقاء (افزایش) الکترون گیری خودبخودی از راه کاهش مانع (حصار) انرژی برای Cl بمنظور نفوذ در قسمتهای توری شکل یا مشبک مانند سیلیکون و حمله به محدوده های زیرین si-si می شود. الکترون گیریخودبخود پلی سیلیکون به وسیلة هالوژن های اتمی در برخی شرایط مشاهده شده است از جمله:
1-پلی سیلیکون از نوع  ،
2-پلی سیلیکون بطور ناحیه ای یا متمرکز در یک نقطه بوسیلة نور لیزر، تخلیة اشعه‌ای شده (Radiante).

بخشی از فهرست مطالب مقاله یون گیری واکنشی

نقطه نظر (موضع) یا موضوع مورد بحث سمینار
شرح حال و تحقیق اخیر آقای Herb Sawin
قسمتهایی که در آزمایشگاه «Sawin» مورد تحقیق هستند شامل:
مقالات نمونه در سمنیار     
«بارگذاریهای آزمایشی»
«مواد مرکب»
مقالات اخیر هرب ساوین
مراجع

دانلود مقاله اتم

اختصاصی از فی گوو دانلود مقاله اتم دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

یک اتم ، کوچکترین جزء اصلی غیر قابل تقلیل یک سیستم شیمیایی می‌باشد  .

ریشه لغوی

این کلمه ، از کلمه یونانی atomos ، غیر قابل تقسیم ، که از a- ، بمعنی غیر و tomos، بمعنی برش ، ساخته شده است. معمولا به معنای اتم‌های شیمیایی یعنی اساسی‌ترین اجزاء مولکول‌ها و مواد ساده می‌باشد

تاریخچه شناسایی اتم

مواد متنوعی که روزانه در آزمایش و تجربه با آن روبه رو هستیم، متشکل از اتم‌های گسسته است. وجود چنین ذراتی برای اولین بار توسط فیلسوفان یونانی مانند دموکریتوس (Democritus) ، لئوسیپوس (Leucippus) و اپیکورینز (Epicureanism) ولی بدون ارائه یک راه حل واقعی برای اثبات آن ، پیشنهاد شد. سپس این مفهوم مسکوت ماند تا زمانیکه در قرن 18 راجر بسکوویچ (Rudjer Boscovich) آنرا احیاء نمود و بعد از آن توسط جان دالتون (John Dalton) در شیمی بکار برده شد.

راجر بوسویچ نظریه خود را بر مبنای مکانیک نیوتنی قرارداد و آنرا در سال 1758 تحت عنوان:

Theoria philosophiae naturalis redacta ad unicam legem virium in natura existentium

چاپ نمود.

 

براساس نظریه بوسویچ ، اتمها نقاط بی‌اسکلتی هستند که بسته به فاصله آنها از یکدیگر ، نیروهای جذب کننده و دفع کننده بر یکدیگر وارد می‌کنند. جان دالتون از نظریه اتمی برای توضیح چگونگی ترکیب گازها در نسبتهای ساده ، استفاده نمود. در اثر تلاش آمندو آواگادرو (Amendo Avogadro) در قرن 19، دانشمندان توانستند تفاوت میان اتم‌ها و مولکول‌ها را درک نمایند. در عصر مدرن ، اتم‌ها ، بصورت تجربی مشاهده شدند.

اندازه اتم

اتم‌ها ، از طرق ساده ، قابل تفکیک نیستند، اما باور امروزه بر این است که اتم از ذرات کوچکتری تشکیل شده است. قطر یک اتم ، معمولا میان 10pm تا 100pm متفاوت است.

ذرات درونی اتم

در آزمایش‌ها مشخص گردید که اتم‌ها نیز خود از ذرات کوچکتری ساخته شده‌اند. در مرکز یک هسته کوچک مرکزی مثبت متشکل از ذرات هسته‌ای ( پروتون‌ها و نوترون‌ها ) و بقیه اتم فقط از پوسته‌های متموج الکترون تشکیل شده است. معمولا اتم‌های با تعداد مساوی الکترون و پروتون ، از نظر الکتریکی خنثی هستند.

طبقه‌بندی اتم‌ها

اتم‌ها عموما برحسب عدد اتمی که متناسب با تعداد پروتون‌های آن اتم می‌باشد، طبقه‌بندی می‌شوند. برای مثال ، اتم های کربن اتم‌هایی هستند که دارای شش پروتون می‌باشند. تمام اتم‌های با عدد اتمی مشابه ، دارای خصوصیات فیزیکی متنوع یکسان بوده و واکنش شیمیایی یکسان از خود نشان می‌دهند. انواع گوناگون اتم‌ها در جدول تناوبی لیست شده‌اند.

اتم‌های دارای عدد اتمی یکسان اما با جرم اتمی متفاوت (بعلت تعداد متفاوت نوترون‌های آنها) ، ایزوتوپ نامیده می‌شوند.

ساده‌ترین اتم

ساده‌ترین اتم ، اتم هیدروژن است که عدد اتمی یک دارد و دارای یک پروتون و یک الکترون می‌باشد. این اتم در بررسی موضوعات علمی ، خصوصا در اوایل شکل‌گیری نظریه کوانتوم ، بسیار مورد علاقه بوده است.

واکنش شیمیایی اتم‌ها

واکنش شیمیایی اتم‌ها بطور عمده‌ای وابسته به اثرات متقابل میان الکترون‌های آن می‌باشد. خصوصا الکترون‌هایی که در خارجی‌ترین لایه اتمی قرار دارند، به نام الکترون‌های ظرفیتی ، بیشترین اثر را در واکنش‌های شیمیایی نشان می‌دهند. الکترون‌های مرکزی (یعنی آنهایی که در لایه خارجی نیستند) نیز موثر می‌باشند، ولی بعلت وجود بار مثبت هسته اتمی ، نقش ثانوی دارند.

...

23 ص فایل WORD