مشخصات این فایل
عنوان: یون گیری واکنشی
فرمت فایل: word( قابل ویرایش)
تعداد صفحات: 65
این مقاله درمورد یون گیری واکنشی می باشد.
خلاصه آنچه در مقاله یون گیری واکنشی می خوانید .
مقالات نمونه در سمنیار Sample Seminar Notes
تجمعه درزها (شکاف ها)- الکترون گیری تحت فشار القا شدة در پلی سیلیکون
تجمع درزها در الکترون گیری پلی سیلیکون تا حدودی به علت الکترون گیری خودبخود ارتقاء یافته در اثر فشار بستگی دارد و بطور کامل نمی توان گفت که معلول صد در صدی از پدیدة شارژ جلوه ای می باشد. به حداقل رساندن فشار کششی در میان لایه های نازک پلی سییکون می تواند تجمع شکافها و درزها را کاهش دهد. مثلاً برانگیخته (ملتهب) کردن و متفاوت کردن شرایط جایگری پلی سیلیکون. همچین تغییر و تصحیح فرایندهای الکترون گیری پلاسما برای افزایش حالت مفعولی دیواره ها (فاعلیت دیواره ای) یا جداره ای. مثل اضافه کردن کاتالیزورهای (پیک (قاصد)های) مفعولی به گازی که در فرایند استفاده می شود و این گاز الکترون گیری خودبخودی را را بلوکه و قبضه می کند، یک روش متناوب جلوگیری ازالکترون گیری خودبخودی در پلی سیلیکون در برخورد (رویارو شدن) اکسید و پلی سیلیکون، می باشد. شکاف دار شدن(درز دار شدن سطوح) تا زمان زیادی به پیچش (قول دار بودن) مسیر و حرکت یون که با میدان الکتریکی القاء شده بود نسبت داده می شد و نیز الکترون گیری بعدی (آتی) پلی سیلیکون با این یونها پتانسیل عظیم شارژ ناحیه ای در سطح دی اکسید سیلیکون به سبب اختلاف در جهت دار بودن یونها و الکترونها می باشد مثلاً الکترونهایی که بطور ایزتروپیک جهت دار شده اند بطور منفی کناره ها(جداره ها)ی ضد نور (فتورسیست) را شارژ کردة یونهای جهتی بطور مثبت لایه های زیرین اکسید را شارژ می کنند (در خلال الکترون گیری بیش از اندازه). لازمة بالقوة بازتاب (انعکاس) یونهای با انرژی پائین (eV 45<) برای تشکیل درزها تقریباً ( ) بر روی یک سطح اکسید می باشد. بهر صورت بزرگی این میدان بستگی دارد به (وابسته است× به 2 عامل (عامل 2) برای شکست ولتاژ برای توسعه اکسید (گسترش اکسید) (اکسید فزاینده) تقریباً چنین میزان بزرگی تمایل زیادی دارد به اینکه در بین سطوح نشتی بوجود بیاورد، میدان را کاهش دهد و بدین طریق از بازتاب یونها که به منظور ایجاد توسعه برای بوجود آوردن شکاف ها استفاده دارد، جلوگیری کند. حتی در میان اکسید گسترده، گزارش داد که نشت گسترش برای اکسید غنی و غلیظ بالای ولتاژ بکار رفته، قابل توجه شده بود و این ولتاژها V5 بود. علاوه بر اینها، بمبارانهای یونی، الکترونی و ذرات نوری UV از پلاسما، حالات الکتروی را تهیج و برانگیخته می کرد بدینصورت نشت اکسید را بالاتر می برد و کاهش اضافی میدانها در بین اجزاء و انعکاس افزودة یون را به دنبال داشت. فشار کششی در برخورد اکسید- پلی سیلیکون الکترون گیری خود بخودی پلی سیلیکون به وسیلة خنثی های واکنشی را بالاتر می برد و سبب تجمع شیارها و دزها می شد. میدانهای فشار غیر هم شکل در بین خطوط مرتب شده مشاهده شده اند و فشارهای متمرکز شده (جایگیر شده) بزرگ در حین مقابله، القاء شده اند، بخصوص گوشه ها و کناره‌های نزدیک (هم جوار) با زیرلایه ها (substrate)؛ برای انجام (اثبات درستی) الکترون گیری که با فشار ارتقاء یافته، نمونه های مرتب شده بطور مکایکی طوری فرم گرفته بودند و انحناء یافته بودند تا فشار لایه های نازک پلی سیلیکون بدون هیچ گونه تغییری روی لایه ها، تغییر کند. فشار مکانیکی اعمال شد مقداری بزرگتر از چیزی است در یک لایة پلی سیلیکون نمونه بدون انحناء مکانیکی انجام می شود (اعمال می شود). این تنظیم خمش مونه (خم کردن نمونه) در تصویر 1 نشان داده شده. نمونه های مرتب شده (دارای الگو) از همان لایة Wafer 6 اینچ بریده شده بودند و شامل خطوط مکرر (تکراری) و فاصله های مابین آنها، می شد. سیم های فلزی در زیر نمونه های الگویی (راه راه) سیلیکون قرار داده شده بودند و با خطوط الگو عمود بودند. سپس نمونه ها توسط سیستم اشعه ای با و Cl هم بدون سیم فلزی و هم با آن، الکترون گیری شدند.
«تنظیم برای خم شدن 3 نقطه ای نمونه های مرتب شدة پلی سیلیکون. یک سیم تنگستن در زیر نمونة سیلیکون مرتب شده قرار داده شده بود که با خطوط حالت عموی داشت 2 پیچ فولاد ضد زنگ هم برای محکم کردن لبه های نمونه بر روی نمونه گیر در هنگام فشار مکانیکی بر سطوح لایه های نازک، بکار رفته بود. نمونه ها از یک Wafer هم با سیم و هم بدون سیم الکترون گیری شدند.»
پروفیلهای الکترون گیری شدة نمونه های مرتب پلی سیلیکون با اعمال فشار مکانیکی و بدون اعمال فشار مکانیکی در تصویر 2 برای مقایسه نشان داده شده اند. درجة شکاف دار شدن با فشار مکانیکی اعمال شده، بیشتر می شود و نشان می دهد که فشار می تواند الکترون گیری خودبخودی پلی سیلیکون را به وسیلة کلرین اتمی، (کلرین گازی تهیه شده از نمک معمولی است) بالاتر ببرد (ارتقاء دهد9.
«نمونة عکس سطح مقطع ضد نور پلی سیلیکون الکترون گرفته با (عکس a) نمونه بدون خم شدن/ فشار مکانیکی الکترون گرفته. (b) نمونه با فشار/ خم شدن مکانیکی الکترون گرفته. هر دو نمونه از wafer اینچی 6 گرفته شده بودند.»
زمان الکترون گیری بیشتر از حد که در این آزمایشات بکار گرفته شده بود تقریباً 15% کمتر از آن چیزی بود که در فرایند شکل گیری (تجمع) شکافها که حدود 200% بوده گزارش شده بود که در آن مدت (طی آن زمان) تجمع شکاف ها (شکاف دار شدن) گوشه ها یا حدود متشابه مشاهده شده بودند.
سرعت (نسبت) بیشتر شکافدار شدن در آزمایشات ما نشان می دهد (ثابت می کند) که این عمل با بیشتر شدن مقدار فشار، شتاب می گیرد. بهرحال (بنابراین) آهسته و کم (جزئی) که مشاهده شدة بدون اعمال نیروی مکانیکی صورت گرفته، نشان داده است که این نمونه های پلی سیلیکون تهیه شده به وسیلة SEMATECH دارای فشار کافی هستند که شکافدار شدن با الکترون گیری بیش از حد و گسترده اتفاق خواهد افتاد.
نتایج مشهود آزمایشی قویاً تأکید می کند (بحث می کند) که تجمع (ازدیاد) شکافدار شدن به طور عمده (بیشتر) به وسیلة فشار تحت تأثیر قرار می گیرد، چنانچه (در حالیکه) شارژ و پیچیش مداری یونها در سیستم اشعه ای (ستونی) قابل توجه و زیاد نیستند. ازمایشات اشعه ای (ستونی) که در این کار (پروژه) گزارش شده اند از یک اشعة یون دسته بندی شدة (مرئی شده) ]تقریباً بیشتر از [ « » با یک توزیع انرژی بیشتر از 15 Ve از Fwhm و درجه حرارت الکترونی (حرارت الکترونی) تخمین زدة کمتر از ev1 استفاده می کنند. میدانهای لازم برای انعکاس یونها تحت این شرایط تقریباً برابر با یک هزار است بطور مثال مساوی با آنچه که برای شکست اکسید گسترده لازم است. شکافدار شدن با 15% الکترون گیری اضافه حتی در مواردی که نیروی مکانیکی اضافه، اعمال نمی شود هم مشاهده شده است. سرانجام، (در آخر) شکافدار شدن از نیروی (فشار) مکانیکی ذخیره شده و جمع شده نیز تأثیر می گیرد که تحت همان شرایط الکترون گیری بوجود می آید. (وجود دارد).
فشار ممکن است باعث ارتقاء (افزایش) الکترون گیری خودبخودی از راه کاهش مانع (حصار) انرژی برای Cl بمنظور نفوذ در قسمتهای توری شکل یا مشبک مانند سیلیکون و حمله به محدوده های زیرین si-si می شود. الکترون گیریخودبخود پلی سیلیکون به وسیلة هالوژن های اتمی در برخی شرایط مشاهده شده است از جمله:
1-پلی سیلیکون از نوع ،
2-پلی سیلیکون بطور ناحیه ای یا متمرکز در یک نقطه بوسیلة نور لیزر، تخلیة اشعه‌ای شده (Radiante).
بخشی از فهرست مطالب مقاله یون گیری واکنشی
نقطه نظر (موضع) یا موضوع مورد بحث سمینار
شرح حال و تحقیق اخیر آقای Herb Sawin
قسمتهایی که در آزمایشگاه «Sawin» مورد تحقیق هستند شامل:
مقالات نمونه در سمنیار
«بارگذاریهای آزمایشی»
«مواد مرکب»
مقالات اخیر هرب ساوین
مراجع
دانلود مقاله یون گیری واکنشی
