فیلم فارسی آموزش حذف نویز از صدا به وسیله ی adobe audition و fl studio

اختصاصی از فی گوو فیلم فارسی آموزش حذف نویز از صدا به وسیله ی adobe audition و fl studio دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

یکی از مشکلاتی که ضبط به وسیله میکروفن های خانگی پیش میاد داشتن نویز تو صدا هست تو این آموزش به وسیله ی اف ال استودی و ادوب ادیشن نویز از صدا حذف شده

طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز چند استانداردی با قابلیت پیکربندی مجدد. doc

اختصاصی از فی گوو طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز چند استانداردی با قابلیت پیکربندی مجدد. doc دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

نوع فایل: word

قابل ویرایش 150 صفحه

چکیده:

در این پایان نامه یک مدار LNA با قابلیت پیکربندی مجدد برای استانداردهای بی سیم طراحی شده است. برای طراحی این مدار یک طیف فرکانسی 4 الی 6 گیگاهرتز در نظر گرفته شده است و یک تقویت کننده با قابلیت پیکربندی مجدد برای این طیف فرکانسی طراحی شده است. این طیف فرکانسی، استانداردهایی مانند WLNA، LAN ، Bluetooth و Wi-Fi را پوشش می دهد.

فراهم کردن بهره ولتاژ بالا همزمان با القای نویز کم به سیگنال توسط مدار و همچنین تطبیق امپدانس مناسب در محدوده فرکانسی مورد نظر، مهمترین چالش این پایان نامه است. برای ایجاد بهره مطلوب در باند فرکانسی مورد نظر از دو طبقه LNA متوالی استفاده شده است. ضمناً برای حصول تطبیق امپدانس مطلوب در باند فرکانسی مورد نظر از یک شبکه تطبیق امپدانس استفاده شده است.

LNA طراحی شده در این پایان نامه، در تکنولوژیRF CMOS 0.24  با استفاده از نرم افزارAdvanced Design System 2011.01 شبیه سازی شده است. یک تقویت کننده کم نویز مطلوب باید از نظر پارامترهای پراکندگی دارای بزرگتر از 10dB برای بهره زیاد، و کوچکتر از-10dB  برای تطبیق مطلوب امپدانس ورودی و خروجی،  کوچکتر از -40dB برای پایداری و ایزولاسیون معکوس بزرگ و در نهایت عدد نویز(NF) کوچک تر از 4dB باشد. برای LNA طراحی شده در این پایان نامه مقادیر  ، ، ،  و  بدست آمده است که مقادیری مطلوب و قابل قبول هستند.

مقدمه:

تقویت کننده کم نویز(LNA) یکی از اجزای مهم در طراحی گیرنده های فرکانس بالا است. LNA نقش مهمی در نویز کلی سیستم گیرنده دارد و با توجه به اینکه اولین طبقه از یک گیرنده امواج رادیویی است و نویز ناشی از آن مستقیماً به نویز کلی گیرنده افزوده می‌شود. پس این طبقه همزمان با تقویت سیگنال ورودی باید کمترین نویز ممکن را ایجاد نماید. البته طراحی LNA با بهره کافی، برای کاهش نویز طبقات بعدی (مانند  میکسر) لازم است.

در سال‌های اخیر، گیرنده‌هایی با قابلیت پشتیبانی از چندین استاندارد مختلف مورد توجه قرار گرفته است. استانداردها مشخصه‌های مختلف انتقال اطلاعات، مانند فرکانس کاری، نوع مدولاسیون، نوع داده، میزان نویز قابل قبول و.... را شامل می‌شوند.

ساده‌ترین روش برای طراحی این نوع گیرنده‌ها پیاده سازی استانداردها در مسیرهای موازی است که با سوئیچ و به وسیله دستورهای واحد کنترل، استاندارد کاری گیرنده تغییر می کند. برای طراحان این نوع مدارها، کاهش مساحت تراشه و در نتیجه هزینه ساخت و نیز کاهش توان مصرفی مهمترین هدف است. اشتراک در سخت افزار یکی از روش‌های رسیدن به این هدف است و در این راه، تقویت‌کننده کم نویز به عنوان اولین طبقه گیرنده، نقش مهمی دارد.

طراحی تقویت‌کننده کم نویز، با توجه به موقعیت آن در مدار با بعضی محدودیت‌ها روبرو است که با پیچیده شدن مدار و افزایش استانداردهای کاری این محدودیت‌‌ها افزایش خواهند یافت. برای طراحی تقویت کننده کم نویز در گیرنده های با قابلیت کار در چند استاندارد مختلف، روش های زیادی پیشنهاد شده است. برای این نوع تقویت-کننده ها دو نوع طراحی در حالت کلی وجود دارد:

اول- طراحی تقویت کننده باریک باند، به طوریکه تقویت فقط در باندهای استانداردهای کاری تقویت کننده باشد و فقط در این باندها مشخصه های تقویت کننده شامل امپدانس ورودی، بهره، حداقل عدد نویز ، خطی بودن و ... رعایت شوند.

دوم- طراحی تقویت کننده پهن باند، مانند تقویت کنندهUWB  که در این نوع تقویت کننده برای یک پهنای وسیع فرکانسی که شامل فرکانس استانداردهای مطلوب نیز است، طراحی انجام می شود.

فهرست مطالب:

فصل اول: مقدمه و بررسی پیشینه پژوهش

1-1- مقدمه

1-2-  نویز

1-2-1  نویز حرارتی

1-2-2- نویز گیت القا شده

1-2-3- نویز فلیکر

1-2-4- منابع دیگر نویز

1-3- مفاهیم پایه  CMOS LNA         

1-3-1- اثر غیراستاتیک

1-3-2- تئوری نویز دو پایانه ای       

1-4- ملزومات و پارامترهای مهم LNA

1-4-1- تطبیق امپدانس

1-4-2- عدد نویز  

1-4-3-بهره

1-4-4- حساسیت

1-4-5- اثرات غیرخطی     

1-4-5-1- خطی بودن چند طبقه متوالی           

1-4-6- پارامترهای S        

1-4-7- پایداری   

1-6- تطبیق امپدانس در طراحی LNA

1-6-1- مقاومت موازی در ورودیLNA           

1-6-2- فیدبک سری – موازی         

1-6-3- ورودی گیت مشترک           

1-6-4- ساختار سلف در سورس (Inductive Source Degeneration)     

1-7- ساختارهای تفاضلی    

1-8- معرفی مدارهای تقویت کننده کم نویز چنداستانداردی

1-8-1- تقویت کننده برای دو استاندارد IEEE80211a/b   

1-8-2- تقویت کننده برای استانداردهایCDMA/WCDMA           

1-8-3- تقویت کننده inductive source degeneration برای DECT و BLUETOOTH

1-8- 4- طراحی تقویت کننده برای دو استاندارد DCS1800 و W-CDMA

1-8-5- تقویت کننده استانداردهای IEEE80211a/b         

1-8-6- تقویت کننده استانداردهای UMTS و GPS          

1-8-7- تقویت کننده برای IEEE80211a/b      

1-8-8- تقویت کننده با استفاده از فیدبک ولتاژ- ولتاژ  و تکنیک چند استانداردی کردن 

1-9- معرفی مدارهای تقویت کننده پهن باند       

1-10- سیستم های میکروالکترومکانیکی MEMS          

فصل دوم: مواد و روش ها    

2-1- انتخاب تکنولوژی 

2-2- ساختارهای LNA در تکنولوژی BJT        

2-3- خصوصیات ساختارهایCMOS LNA      

2-3-1- تطبیق ورودی       

2-3-2- عدد نویز

2-3-3- خطی بودن           

2-3-4- بهره       

2-3-5-ایزوالاسیون معکوس و پایداری

2-3-6- نقطه فشردگی 1-dB            

2-3-7- نقطه تقاطع مرتبه سوم         

2-3-8- محدوده دینامیکی

2-3-9- هدایت انتقالی مؤثر  

فصل سوم: تئوری و طراحی LNA چند استانداردی

3-1- اهداف طراحی و انتخاب ساختار

3-2- طراحی LNA پیشنهادی           

3-2-1- طراحی هسته LNA

3-2-2- طراحی و شبیه سازی دو طبقه متوالی LNA        

3-2-3- شبیه سازیLNA  پیشنهادی پایان نامه   

4-3- جدول مقایسه            

4-4- نتیجه گیری

4-5- پیشنهاد برای کارهای بعدی       

مراجع   

فهرست اشکال:     

شکل(1-1) مدل سیگنال کوچک نویز حرارتی    

شکل(1-2) مدل سیگنال کوچک نویز گیت القا شده

شکل(1-3) منابع نویز در ترانزیستورMOS      

شکل(1-4) مدل سیگنال کوچک MOS همراه با اثر NQS 

شکل(1-5) مدل نویزی شبکه دو پایانه ای 

شکل(1-6) مدل بدون نویز شبکه دو پایانه ای

شکل(1-7) مدل سیگنال کوچک ترانزیستور MOS         

شکل (1-8) عدد نویز طبقات متوالی  

شکل (1-9) نقطه فشردگی 1-dB       

شکل (1-10) تست دو  سیگنال مجاور برای سیستم غیر خطی        

شکل (1-11) نقطه تقاطع مرتبه سوم 

شکل(1- 12) شبکه دو پایانه ای         

شکل (1-13) شرط تطبیق امپدانس  

شکل (1-14) ساختار تطبیق امپدانس با مقاومت موازی در ورودی  

شکل (1-15) ساختار تطبیق امپدانس با مقاومت فیدبک     

شکل (1-16) ساختار Current Reuse LNA   

شکل (1-17) روش خنثی سازی خازن گیت درین         

شکل (1-18) ساختار تطبیق ورودی گیت مشترک           

شکل (1-19) ساختار Inductive Source Degeneration و مدل سیگنال کوچک MOS         

شکل (1-20) طرح LNA برای استانداردهای IEEE80211a/b       

شکل (1-21) مقاومت معادل سلف      

شکل (1-22) LNA برای استانداردهای [12]CDMA/WCDMA    

شکل (1-23) تقویت کننده برای [13]DECT/BLUETOOTH          

شکل (1-24) تقویت کننده برای استانداردهای [14]DCS1800/W-CDM      

شکل (1-25) مدار برای استاندارد  80211a/b

شکل (1-26) مدار ورودی در فرکانس پایین      

شکل (1-27) مدار ورودی در فرکانس بالا        

شکل (1-28) تقویت کننده خود تطبیق دهنده برای استانداردهای 80211a/b  

شکل (1-29) قسمت حقیقی امپدانس ورودی در برابر تغییر فرکانس   

شکل (1-30) تقویت کننده Current Reuse    

شکل (1-31) اساس طراحی تقویت کننده Current Reuse           

شکل (1-32) تقویت کننده دو استانداردی برای [18]80211a/b    

شکل (1-33) نمای کلی تقویت کننده با استفاده از فیدبک ولتاژ- ولتاژ [19] 

شکل (1-34) بار پیشنهادی تغییر شکل پذیر برای LNA با فیدبک در حالت Multi-Standard     

شکل (1-35) بار پیشنهادی برای LNA با فیدبک در حالت Multi-Standard 

شکل (1-36) نمونه‌ای از مدار تقویت کننده فیدبک ولتاژ- ولتاژ [19]   

شکل (1-37) ساختار LNA باند باریک [20]  

شکل (1-38) مدل سیگنال کوچک LNA          

شکل (1-39) مدار تقویت کننده پهن باند[20]  

شکل (1-40) مدل سیگنال کوچکLNA           

شکل (1-41) ورودی مدار Inductive source degeneration   

شکل (1-42) افزایش پهنای فرکانسی در ورودی مدار[21] Inductive source deg    

شکل (1-43) امپدانس ورودی با افزودن LC موازی

شکل (1-44) جریان و بار خروجی و نحوه طراحی بار برای تنظیم بهره مدار 

شکل (1-45) مدار  LNA  برای باند فرکانسی 3 تا 10 گیگا هرتز[21]  

شکل (1-46) مدار تقویت کننده برای فرکانس 3 تا 5 گیگا هرتز[22]

شکل (1-47) مقایسه بین چند نمونه سوئیچ       

شکل (1-48) تحریک الکترواستاتیکی

شکل (1-49) اتصال اهمی یا فلز به فلز MEMS            

شکل (1-50) حالت باز اتصال خازنی MEMS  

شکل (1-51) حالت بسته اتصال خازنی MEMS

شکل (2-1) تقویت کننده امیتر مشترک[6]        

شکل (2-2) تقویت کننده کسکود[27]

شکل (2-3)تقویت کننده بیس مشترک[6]          

شکل (2-4)تقویت کننده گیت مشترک[28]        

شکل (2-5)تقویت کننده با ساختار IDCS          

شکل (3-1) ساختار LNA سورس مشترک 

شکل (3-2) ساختار LNA پیشنهادی…

شکل(3-3) ساختار هسته LNA          

شکل(3-4) نمودار تطبیق امپدانس ورودی هسته LNA      

شکل(3-5) نمودار قسمت حقیقی و موهومی امپدانس ورودی هسته LNA        

شکل(3-6) نمودار بهره هسته LNA    

شکل(3-7) نمودار ایزوالاسیون معکوس هسته LNA        

شکل(3-8) نمودار تطبیق امپدانس خروجی هسته LNA     

شکل(3-9) نمودار عدد نویز هسته LNA          

شکل(3-10) ساختار دو طبقه متوالی LNA        

شکل(3-11- الف) نمودار تطبیق امپدانس ورودی  دو طبقه متوالی   

شکل (3-11) نمودار قسمت حقیقی و موهومی دو طبقه متوالی        

شکل (3-12) نمودار بهره دو طبقه متوالی        

شکل (3-13) نمودار ایزوالاسیون معکوس دو طبقه متوالی

شکل (3-14) نمودار عدد نویز دو طبقه متوالی

شکل(3-15) مدل سیگنال کوچک شبکه تطبیق ورودی

شکل (3-16) نمودارهای قسمت حقیقی و موهومی امپدانس ورودی شبکه تطبیق           

شکل (3-17) نمودارهای تطبیق امپدانس ورودی LNA پیشنهادی     

شکل (3-18) نمودار بهره LNA پیشنهادی        

شکل (3-19) نمودار ایزوالاسیون معکوس LNA پیشنهادی 

شکل (3-20) نمودار عدد نویز LNA پیشنهادی

شکل (3-21) نمودار تطبیق امپدانس خروجیLNA پیشنهادی 

شکل (3-22) مدل کلی سلف RF MEMS 112   

شکل (3-23) مدار LNA پایان نامه با در نظر گرفتن مدل سلف 

شکل (3-24) تطبیق ورودی LNA پیشنهادی پایان نامه با در نظر گرقتن مدل کلی         

شکل (3-25) بهره  LNA پیشنهادی پایان نامه با در نظر گرقتن مدل کلی

شکل (3-26) ایزالاسیون معکوس LNA پیشنهادی پایان نامه با در نظر گرقتن مدل کلی

شکل (3-27) تطبیق خروجی LNA پیشنهادی پایان نامه با در نظر گرقتن مدل کلی        

شکل (3-28) عدد نویز LNA پیشنهادی پایان نامه با در نظر گرقتن مدل کلی   

شکل (3-28) عدد نویز LNA پیشنهادی پایان نامه با در نظر گرقتن مدل کلی   

فهرست جداول:     

جدول (1-1) مقایسه ساختارهای تطبیق امپدانس ورودی    

جدول (1-2) مشخصه های LNA طراحی شده برای 80211a/b     

جدول (1-3) مشخصه های LNA طراحی شده برای CDMA/WCDMA        

جدول (1-4) مشخصه های LNA طراحی شده برای DECT/BLUETOOTH    

جدول (1-5) حالت سوئیچ ها برای کارکرد مدار DCS1800/W-CDMA        

جدول (1-6) مشخصه های LNA طراحی شده برای DCS1800/W-CDMA   

جدول (1-7) مشخصه های LNA طراحی شده برای 80211a/b     

جدول (1-8) مشخصه های مدار خود تطبیق برای 80211a/b       

جدول (1-9) مشخصه های مدار در دو باند  24 GHzو  525GHz  

جدول (1-10) مشخصه های گیرنده 3 تا 5 گیگاهرتز [22]

جدول (2-1) مقایسه بهره و نویز ترانزیستورهای مکروویو [25]

جدول(3-1) مقادیر اجزای طبقه کسکودی LNA  

جدول(3-2) مقادیر اجزای LNA پیشنهادی پایان نامه        

جدول(3-3) مقایسه مشخصه مدار طراحی شده با دیگر طرح های ارائه شده    

منابع و مأخذ:

[1]. W. Alan Davis and Krishna Agarwal, "Radio Frequency Circuit Design", Printed in the United States of America, Press December 2001.

[2]. T.H. Lee, "The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits", 2Edition, Cambridge Press 2004.

[3]. Paul Leroux and Michiel Steyaert, "LNA-ESD CO-Design For Fully Integrated CMOS Wireless Receivers", Publish in Springer, Press 2005.

[4]. Reinhold Ludwig and Pavel Bretchko, "RF Circuit Design", Publish in Springer, Press 2000.

[5]. Yong Wang Ding and Ramesh Harjani, "High-Linearity CMOS RF Front-End Circuits", Publish in Springer, Press 2005.

[6]. Behzad Razavi, "RF Microelectronics", University of California, Press 1998.

[7]. J. Janssens and M. Steyaert,"CMOS Cellular Receiver Front-Ends" Publish in Springer, Press 2000.

[8]. Ro-Min Weng, Chun-Yu Liu and Po-Cheng Lin, "A Low-Power Full-Band Low-Noise Amplifier for Ultra-Wideband Receivers", IEEE Transactionon Microwave Theoryand Techniques, VOL. 58, NO. 8, August 2010.

[9]. Richard Chi-Hsi Li, "RF Circuit Design", Published by John Wiley & Sons, Inc., Hoboken, New Jersey, Press 2009.

[10]. Duran Leblebici and Yusuf Leblebici," Fundamentals of High-Frequency CMOS Analog Integrated Circuits,"Cambridge University Press 2009.

[11].T. K. K. Tsang and M. N. El-Gamal, "Dual-band sub-1 V CMOS LNA for 802.11a/b WLAN applications," in Proc. IEEE Integrated Circuits , vol. 1, pp. 217- 220, Press 2003.

[12]. Sang-Sun Yoo and Hyung-Joun Yoo, "A Compact Dualband LNA Using Self-matched Capacitor", Radio-Freq. Integration Technology, pp. 227-230, Press 2007.

[13]. V. Vidojkovic et al, "Fully‐Integrated DECT/Bluetooth Multi‐Band LNA in 0.18μm CMOS," in Proc. of IEEEISCAS, pp.565‐568, Press 2004.

[14]. Hyejeong Song, Huijung Kim, Kichon Han, Jinsung Choi, Changjoon Park, and Bumman Kim, " A Sub-2 db NF Dua-Band CMOS LNA for CDMA/WCDMA Applications " IEEE Transactionon Microwave Theoryand Techniques, vol. 18, no. 3, pp. 212-214, Press Mar. 2008.

[15]. Eun-Hee Kim, Yong-Seok Hwang, and Hyung-Joun Yoo, "A 2.4/5.25 GHz CMOS Dual-band Low Noise Amplifier with Filtering Characteristics," IEEE Transactionon Microwave Theoryand Techniques, vol. 20, no. 4, pp. 214-245, Press 2007.

[16]. C. P. Moreira, E. Kerherve and P. Jarry, "A Reconfigurable DCS1800/W-CDMA LNA: Design and Implementation Issues," Proceedings of the 9th European Conference on Wireless Technology, pp. 357-360, Press 2006.

[17]. Ben Amor, M. Fakhfakh, A. Mnif and H. Loulou, "Dual Band CMOS LNA Design With Current Reuse Topology" Design and Test of Integrated Systems in Nanoscale Technology, DTIS 2006, pp. 57-61, Press 2006.

 [18]. L.-H. Lu and Y.S Wang, "A compact 2.4/5.2 GHz CMOS dual-band low-noise amplifier," IEEE Transactionon Microwave Theoryand Techniques, vol. 15, no. 10, pp. 685–687, Press Oct. 2005.

[19]. Paolo Rossi, "RF Building Blocks for Universal Mobile Terminals," Doctoral thesis, Advisor: Prof. Francesco svelto, University of Pavia, Press 2003-2004.

[20]. Chang-Wan Kim, Min-Suk Kang, Phan Tuan Anh, Hoon-Tae Kim, and Sang-Gug Lee, "An Ultra-Wideband CMOS Low Noise Amplifier for 3–5-GHz UWB System," IEEE Journal of Solid State Circuits, VOL. 40, NO.2, Press February 2005.

[21]. Aly Ismail and Asad A. Abidi, "A 3–10-GHz Low-Noise Amplifier With Wideband LC-Ladder Matching Network" , IEEE Journal of Solid State Circuits, VOL. 39, NO. 12, pp. 2269-2277. Press2004.

[22]. A. Bevilacqu , C. Sandner , A. Gerosa and A. Neviani , "A fully integrated differential CMOS LNA for 3–5-GHz ultrawideband wireless receivers" , IEEE Microwave and Wireless Components Letters, VOL. 16, NO. 3, pp. 134-136, press March 2006.

[23]. Bal.S Virdee, Avtar S Virdee, Ben Y Benyamin, " Broadband Microwave Amplifiers", Artech House Inc, Boston London, press 2004.

[24]. Kevin W. Kobayashi, Dwight C. Streit, Aaron K. Oki," A Novel Monolithic HEMT LNA Integrating HBT-Tunable Active Feedback Linearization by Selective MBE", IEEE Transactionon Microwave Theoryand Techniques, VOL.44, NO.12, Press December 1996.

[25]. David M. Pozar, "Microwave and RF Design of Wireless systems", press 2001.

[26]. Chenming Hu," BSIM3 MOSFET Model Accuracy for RF Circuit Simulation,"  University of California, Press 1998.

[27]. John Rogers Calvin Plett, "Radio Frequency Integrated Circuit Design", Artech House Boston   London, Press 2003.

[28]. W. Zhuo, X. Li, S. Shekhar, S. H. K. Embabi, J. Pineda de Gyvez, D. J. Allstot, and E.Sanchez-Sinencio, "A Capacitor Cross-Coupled Common-Gate Low-Noise Amplifier," IEEE Transactions on Circuits and Systems,VOL. 52, NO.12, Press December 2005.

[29]. J P Silver," MOS. Differential LNA Design Tutorial", Press Dec. 2011.

[30]. Ro-Min Weng, Chun-Yu Liu and Po-Cheng Lin, "A Low-Power Full-Band Low-Noise Amplifier for Ultra-Wideband Receivers", IEEE Transactions on Microwave Theory and, VOL. 58, NO.8, Press August 2010.

[31]. Chih-Aan Liao, Shen-Iuan Liu, "A Broadband Noise Cancelling CMOS LNA for 3.1-10.6 Ghz UWB Receivers", IEEE Journal Of Solid State Circuites, VOL. 42, NO. 2, pp. 329-338, Press February 2007.

[32].Vu Kien Dao, Quang Diep Bui and Chul Soon Park , "A Multi-band 900MHz/1.8GHz/5.2GHz LNA for Reconfigurable Radio", IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium, Press July 2007.

[33]. H. J. De Los Santos,"Introduction to Microelectromechanical (MEM) Microwave Systems", Artech House, Boston - London, Press 1999.

[34].G. M. Rebeiz  and  J. B. Muldavin, "RF MEMS Switches and Switch Circuits", IEEE         Microwave Magazine, Vol. 2, No. 4, pp. 59-71, Press  December 2001.

[35]. D. Peroulis, S. P. Pacheco, K. Sarabandi  and  L. P.B. Katehi, "Electromechanical              Considerations in Developing Low- Voltage RF MEMS Switches", IEEE Trans. on MTT, Vol. 51, No. 1, pp. 259-270,  Press January 2003

 [36]. R. Malmqvist and C. Samuelsson," Switched LNAs Using GaAs Based RF MEMS Switches", Conference Publication, vol.01, pp. 283 – 286, Press  Oct. 2010.

 [37]. Hiroshi Okazaki and Kunihiro Kawai, "Reconfigurable Amplifier TowardsEnhanced Selectivityof Future Multi-band Mobile Terminals," Conference Publications, pp. 1 – 4, Press Feb. 2010.

 [38]. R. Malmqvist and C. Samuelsson, "RF MEMS and MMIC basedReconfigurable Matching Networks for Adaptive Multi-Band RF Front-Ends," Conference Publications, pp.1 – 4, Press Feb. 2010

[39]. Yorgos K. Koutsoyannopoulos," Systematic Analysis and Modeling of Integrated Inductors and Transformers in RF IC Design," IEEE Transation on Circuits and Systems, VOL. 47, NO.8, Press August 2000.

آموزش طراحی و شبیه سازی نویز فاز RF در نرم افزار ADS

اختصاصی از فی گوو آموزش طراحی و شبیه سازی نویز فاز RF در نرم افزار ADS دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

نویز فاز یکی از مهم ترین پارامترهای منابع سیگنال مانند: اسیلاتورها، کریستال ها و تمام منابع تولید کننده سیگنال می باشد. کیفیت یک فانکشن ژنراتور یا سورس ژنراتور را نویز فاز تعیین می کند، تا جایی که نویزفاز خوب قیمت یک سورس ژنراتور را ده برابر می کند.

...

در این بسته آموزشی بصورت گام به گام و کاملا تصویری نحوه طراحی و شبیه سازی نویز فاز RF با استفاده از نرم افزار ADS ارایه شده است و نتایج نیز بصورت نمودارهای مختلف  مورد تحلیل قرار گرفته است. علاوه بر راهنمای فارسی فایل شبیه سازی نرم افزار ADS نیز در بسته موجود است.

جهت خرید بسته آموزش طراحی و شبیه سازی نویز فاز RF در نرم افزار ADS  ، به مبلغ استثنایی فقط 14700 تومان و دانلود آن بر لینک پرداخت و دانلود در پنجره زیر کلیک نمایید.

!!!تخفیف ویژه!!!

با خرید حداقل 20000 (بیست هزارتومان) از محصولات فروشگاه اینترنتی گنجینه دانشجو برای شما کد تخفیف ارسال خواهد شد. با داشتن این کد از این پس می توانید سایر محصولات فروشگاه را با 20% تخفیف خریداری نمایید. کافی است پس از انجام 20000 تومان خرید موفق عبارت درخواست کد تخفیف و ایمیل که موقع خرید ثبت نمودید را به ایمیل [e-mail] ارسال نمایید. همکاران ما پس از بررسی درخواست، کد تخفیف را برای شما ارسال خواهند نمود.

تحقیق ارائه روش جدید جهت حذف نویز آکوستیکی در یک مجرا

اختصاصی از فی گوو تحقیق ارائه روش جدید جهت حذف نویز آکوستیکی در یک مجرا دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

چکیده

LMS در محیط نویزی، الگوریتم FXLMS[4] بعنوان روشی پایه ارائه شده است. اشکال الگوریتم مذکور این است که در مسائل کنترل خطی استفاده می شود. یعنی اگر فرکانس نویز متغیر باشد و یا سیستم کنترلی بصورت غیرخطی کار کند، الگوریتم فوق به خوبی کار نکرده و یا واگرا می شود. تاکنون برای حذف نویزهای آکوستیکی از روش های فعال[1] و غیر فعال[2]استفاده شده است. برخلاف روش غیر فعال می‌توان بوسیله‌ی روش فعال، نویز را در فرکانس های پایین (زیر 500 هرتز)، حذف و یا کاهش داد. در روش فعال از سیستمی استفاده می شود که شامل یک فیلتر وفقی است. به دلیل ردیابی خوب فیلتر [3]

بنابراین در این پایان نامه، ابتدا به ارائه ی گونه ای از الگوریتم FXLMS می پردازیم که قابلیت حذف نویز، با فرکانس متغیر، در یک مجرا و در کوتاه‌ترین زمان ممکن را دارد. برای دستیابی به آن می توان از یک گام حرکت وفقی بهینه () در الگوریتم FXLMS استفاده کرد. به این منظور محدوده ی گام حرکت بهینه در فرکانس های 200 تا 500 هرتز را در داخل یک مجرا محاسبه کرده تا گام حرکت بهینه بر حسب فرکانس ورودی به صورت یک منحنی اسپلاین مدل شود. حال با تخمین فرکانس سیگنال ورودی به صورت یک منحنی اسپلاین مدل شود. حال با تخمین فرکانس سیگنال ورودی بوسیله ی الگوریتم MUSIC[5] ، را از روی منحنی برازش شده، بدست آورده و آن را در الگوریتم FXLMS قرار می‌دهیم تا همگرایی سیستم در کوتاه‌ترین زمان، ممکن شود. در نهایت خواهیم دید که الگوریتم FXLMS معمولی با گام ثابت با تغییر فرکانس واگرا شده حال آنکه روش ارائه شده در این پایان نامه قابلیت ردگیری نویز با فرکانس متغیر را فراهم می آورد.

همچنین‌به دلیل‌ماهیت غیرخطی سیستم‌های‌ANC ، به ارائه‌ی نوعی شبکه‌ی عصبی‌ RBF TDNGRBF ) [6] ( می‌پردازیم که توانایی مدل کردن رفتار غیرخطی را خواهد داشت. سپس از آن در حذف نویز باند باریک فرکانس متغیر در یک مجرا استفاده کرده و نتایج آن را با الگوریتم FXLMS مقایسه می کنیم. خواهیم دید که روش ارائه شده در مقایسه با الگوریتم FXLMS، با وجود عدم نیاز به تخمین مسیر ثانویه، دارای سرعت همگرایی بالاتر (3 برابر) و خطای کمتری (30% کاهش خطا) است. برای حذف فعال نویز به روش TDNGRBF، ابتدا با یک شبکه ی GRBF به شناسایی مجرا می‌پردازیم. سپس با اعمال N تاخیر زمانی از سیگنال ورودی به N شبکه ی GRBF (با ترکیب خطی در خروجی آنها)، شناسایی سیستم غیرخطی بصورت بر خط امکان پذیر می شود. ضرایب بکار رفته در ترکیب خطی با استفاده از الگوریتم [7]NLMS بهینه می شوند.

[1] -Active

[2] -passive

[3] -Least mean square

4- Filter- x LMS

5 -Multiple signal classification

6 -Time Delay N- Generalized Radial Basis Function

[7] -Normalized LMS

متن کامل را می توانید دانلود کنید چون فقط تکه هایی از متن این پایان نامه در این صفحه درج شده است(به طور نمونه)

ولی در فایل دانلودی متن کامل پایان نامه

همراه با تمام ضمائم با فرمت ورد که ویرایش و کپی کردن می باشند

موجود است

مقاله در مورد فوتودیودهای آوالانژ (APDS)

اختصاصی از فی گوو مقاله در مورد فوتودیودهای آوالانژ (APDS) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه:22

 فهرست مطالب

فوتودیودهای آوالانژ (APDS)

nm800  برای باند میکرون :

باند 1310nm

خصوصیات APD

حساسیت APD ها

سرعت عمل کردن

باند 1250nm

تولید پهنای باند - عابدی :

نویز

فوتودتکتورهای رابط - هترو

فوتو ترانزیستورها

APDS سیگنال را در طی فرایند آشکارسازی تقویت می کنند . آنها از یک اصل مشابه با لوله های «فوتومولتی پلایر» بکار رفته در آشکارسازی تشعشع هسته ای استفاده می کنند . در لوله فوتومولتی پلایر :

1-یک فوتون واحد که بر روی دستگاه عمل می کند یک الکترون واحد منتشر می نماید .

2-این الکترون از طریق یک میدان الکتریکی شتاب داده می شود تا اینکه به یک ماده هدف برخورد نماید .

3-این برخورد با هدف باعث «فیلتراسیون ضربه ای» می شود که الکترون‌های متعددی را منتشر می نماید .

4-این الکترون ها از طریق میدان شتاب می گیرند و به هدف دیگر می‌خورند .

5-این امر الکترون بیشتری منتشر می کند و فرایند تکرار می شود تا اینکه الکترون ها به یک عنصر جمع آوری کننده برخورد می کند . لذا ، طی مراحل گوناگون ، یک فوتون به یک جریان از الکترون ها منجر می شود .

APD ها با لوله های فوتومولتی پلایر فرق دارند . لوله‌های‌فوتومولتی‌‌ پلایر‌

لوله های خلاء با هدف هایی قرار گرفته در طول لوله می باشند . APD‌ها از همان اصول استفاده می کنند اما تکثیر در داخل خود ماده نیمه هادی صورت می گیرد . این فرایند در APD ها منجر به یک تقویت داخلی بین 7 تا 100 برابر می شود . هر دو الکترون و سوراخ ها (حفره ها) اکنون می توانند به فرایند تقویت کمک نمایند . با این حال ، یک مسئله کوچک وجود دارد . با نگاه به   آشکار می شود که وقتی یک الکترون یک اتم را یونیزه می‌کند یک الکترون اضافی و حفره اضافی تولید می شود . الکترون به طرف چپ عکس حرکت می کند و حفره به سمت راست می رود . اگر حفره در اتم یونیزه شود یک الکترون (و یک حفره) آزاد می کند و الکترون به چپ حرکت می کند و دوباره شروع می نماید !‌

اگر سوراخ ها و حفره ها دارای فرصت برابر برای یونیزاسیون باشند می‌توانیم یک بهمن کنترل نشده بدست آوریم که هرگز متوقف نمی شود ! بنابراین وسایل طوری ساخته می شوند که یکی از حاملان بار دارای یک استعداد و آمادگی بیشتری برای یونیزاسیون نسبت به دیگری باشند .

نتیجه فرایند فوق آن است که یک فوتون وارد شونده منفرد بتواند منجر به تولید بین 10 تا 100 و یا چندین جفت حفره - الکترون شود . موارد مهم درباره دستگاه فوق الذکر آن است که ناحیه تکثیر خیلی کوچک است و جذب داخل لایه n بجای نزدیک به اتصال رخ دهد . یعنی ، جذب و تکثیر در نواحی جداگانه ای صورت می گیرند . شکل 103 را ملاحظه کنید . دو عامل مهم وجود دارد : 1-استحکام میدان الکتریکی مورد نیاز خیلی بالا است() . در حضور چنین میدان قوی ای ، نقائص در ناحیه تکثیر (مثل عدم انطباق های شبکه ای ، ناخالصی ها و حتی تغییرات در غلظت دو پانت) می توانند تولید نواحی کوچکی از تکثیر کنترل شده موسوم به «میکروپلازماسی» نمایند . برای کنترل این پدیده ناحیه تکثیر لازم است کوچک باشد . برای ایمنی این امر، حلقه محافظ فوق الذکر نصب شده است . در اطراف لبه های ناحیه تکثیر شما می توانید بی نظمی هایی و نقائصی را در ماده ببینید . بدون حلقه محافظ این موارد بصورت محل هایی برای میکروپلازماس عمل می کنند . بعلاوه ، برای ایجاد یک میدان الکتریکی با استحکام لازم ما لازم است یک ولتاژ بایاس کاربردی بکار بریم که با ضخامت ناحیه تکثیر افزایش می یابد . (برای دو برابر ضخامن ناحیه - دو برابر ولتاژ کاربردی مورد نیاز خواهد بود ) . دمای ولتاژها (ولتاژهای بالاتر از 12 ولت) گران قیمت بوده و به سختی در دستگاه‌های نیمه هادی کنترل می شوند و بنابراین سعی می کنیم ولتاژ کاربردی را حداقل نماییم ) . یک APD یک دیود P-i-n با یک بایاس معکوس بسیار بالاست . یک بایاس معکوس 50 ولت برای این دستگاه ها در مقایسه با دیودهای p-i-n بکار رفته در مورد فوتوکانداکتیو ، مناسب است که بایاس معکوس شده برای حدود 3 ولت است .(یا کمتر)

در گذشته ، APD ها در بازار به بایاس معکوس چند صد ولت نیاز داشتند اگرچه اخیراً‌ ولتاژهای کمتری بدست آمده اند . تفاوت ساختاری اصلی بین APD و یک دیود p-i-n در ناحیه «i» است که نام گذاری مجدد لایه p گرفته است . و بویژه ضخیم تر از یک ناحیه است و دستگاه برای تضمین یک میدان الکتریکی یکنواخت در کل لایه طراحی می شود .