وجود یک سری مختصات ویژه نانو لوله‌های کربنی، آن ها را به انتخاب ایده آلی برای بسیاری از کاربردها تبدیل کرده است.
امروزه در روند تحقیق درباره نانو لوله‌ها توجه و تعمق ویژه‌ای بر روی استفاده از آن ها در ساخت ابزارها متمرکز شده است. اکثر پژوهشگرانی که در دانشگاه‌ها و آزمایشگاه‌های تحققاتی سرتاسر دنیا بر روی نانو لوله‌ها کار می‌کنند با خوش‌بینی پیش‌بینی می‌کنند که در آینده‌ای نزدیک نانو لوله‌ها کاربردهای صنعتی وسیعی خواهند داشت.
هم‌اکنون امکان ساخت ابزارهای بسیار جالبی وجود دارد، اما در خصوص موفقیت تجاری آن ها، باید در آینده قضاوت کرد. تقریباً تمام مقالات به طور ضمنی به کاربرد نانو لوله‌ها و بهره‌برداری تجاری از آن ها در آینده اشاره دارند. آینده کاربرد نانو لوله‌ها در بخش الکترونیک روشن است؛ خواص الکتریکی و پایداری شیمیایی بی بدیل نانو لوله‌ها به طور قاطع ما را به سمت استفاده از این خواص سوق خواهد داد. بنابراین در ادامه به شرح چند مورد از حوزه‌های مهم کاربرد نانو لوله‌ها می پردازیم.
ترانزیستورها
نانو لوله‌ها در آستانه کاربرد در ترانزیستورهای سریع هستند، اما آن ها هنوز هم در اتصالات داخلی استفاده می‌شوند. بسیاری از طراحان دستگاه‌ها تمایل دارند به پیشرفت‌هایی دست یابند که آن ها را به افزایش تعداد اتصالات داخلی دستگاه‌ها در فضای کوچک تر، قادر نماید. ترانزیستورهای ساخته شده از نانو لوله‌ها دارای آستانه می‌باشند (یعنی سیگنال باید از یک حداقل توان برخوردار باشد تا ترانزیستور بتواند آن را آشکار کند) که می‌توانند سیگنال‌های الکتریکی زیر آستانه را در شرایط اختلال الکتریکی یا نویزآشکار و ردیابی نمایند. همچنین از آنجایی که ضریب تحرک، شاخص حساسیت یک ترانزیستور برای کشف بار یا شناسایی مولکول مجاور می‌باشد، لذا ضریب تحرک مشخص می‌کند که قطعه تا چه حد می‌تواند خوب کار کند. ضریب تحرک تعیین می‌کند که بارها در یک قطعه چقدر سریع حرکت می‌کنند و این نیز سرعت نهایی یک ترانزیستور را تعیین می‌نماید.
لذا اهمیت استفاده از نانو لوله‌ها و تولید ترانزیستورهای نانو لوله‌ای با داشتن ضریب تحرک برابر با 100 هزار سانتیمتر مربع بر ولت ثانیه در مقابل سیلیکون با ضریب تحرک 1500 سانتیمتر مربع بر ولت ثانیه و ایندیم آنتیمونید (بالاترین رکورد بدست آمده تا به امروز) با ضریب تحرک 77 هزار سانتیمتر مربع بر ولت ثانیه بیش از پیش مشخص می‌شود.
فهرست مطالب:
مقدمه
انواع طراحی ترانزیستور CNT
نوع دوقطبی
نوع CNTFET
انواع CNT ها
دلایل استفاده از نانولوله کربنی
مشخصات عمومی یک CNT
تقسیم بندی نانولوله ها بر اساس بردار کایرال
تاریخچه
مراحل ساخت
انواع روش های ساخت ترانزیستور CNT
گداختگی
افزایش ناخالصی
تفاوت های دو روش بالا
ساخت گیت NOT با CNTFET
ترانزیستور نانولوله ای دو گیتی
بررسی مشخصات ولتاژ-جریان ترانزیستور CNT
توزیع حامل در نانولوله زیگزاگ
نتیجه گیری
پاورپوینت با عنوان تحقیق، بررسی و مطالعه کوانتومی ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی(CNT) در 18 اسلاید