فی گوو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

فی گوو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

دانلود بروشور با موضوع دهه فجر

اختصاصی از فی گوو دانلود بروشور با موضوع دهه فجر دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود بروشور با موضوع دهه فجر


دانلود بروشور با موضوع دهه فجر

دانلود بروشور با موضوع دهه فجر و 22 بهمن با فرمت ورد و قابل ویرایش در یک برگ پشت و رو

به صورت رنگی و در قالب 6 صفحه که قابل ارائه در گردهمایی کنفرانش دانشگاه و یا مدرسه است. و می توان به راحتی اسم یا ارگان خاصی را به آن اضافه نمود. و فایل پیش نمایش آن را در زیر مشاهده می کنید.


دانلود با لینک مستقیم


دانلود بروشور با موضوع دهه فجر

اموزش حرکات ورزشی

اختصاصی از فی گوو اموزش حرکات ورزشی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

ایا دوست دارید باسن برجسته و خوش فرم داشته باشید؟

ایا از افتادگی سینه رنج میبرید؟

وقت و هزینه رفتن به باشگاه را ندارید؟

مجموعه فوق شامل حرکات ورزشی بدون نیاز به دستگاه است ک شما میتوانید روزانه با انجام این حرکات بدن زیبا و خوش فرم برای خود بسازید تنها کافیست روزانه نیم ساعت را به ورزش اختصاص داده یک اهنگ شاد و پرانرژی بگزارید و شروع کنید باسن برجسته و خوش فرم بدون نیاز به هزینه گزاف باشگاه و مربی تنها با ورزش در خانه درمان افتادگی سینه با حرکات ورزشی و سفت کردن سینه 

تمامی حرکات به صورت تصویری و واضح بدون نیاز به دستگاه

تعداد صحفات:16

زیبایی و تناسب اندام حق شماست

دانلود با لینک مستقیم


اموزش حرکات ورزشی

کار تحقیقی در مورد ممنوعیت حجاب در فرانسه

اختصاصی از فی گوو کار تحقیقی در مورد ممنوعیت حجاب در فرانسه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

کار تحقیقی در مورد ممنوعیت حجاب در فرانسه


کار تحقیقی در مورد ممنوعیت حجاب در فرانسه

 

 

 

 

 

 

 

بخشی از متن اصلی :

در این فایل ممنوعیت حجاب در فرانسه مورد بررسی و پژوهش قرار گرفته است که به همراه چکیده، فهرست مطالب، متن اصلی و منابع تحقیق با فرمت pdf دراختیار شما قرار می‌گیرد

این فایل به همراه متن اصلی تحقیق با فرمت "pdf " در اختیار شما قرار می‌گیرد.

تعداد صفحات : 12


دانلود با لینک مستقیم


کار تحقیقی در مورد ممنوعیت حجاب در فرانسه

پایان نامه خانه سینما

اختصاصی از فی گوو پایان نامه خانه سینما دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پایان نامه خانه سینما


پایان نامه خانه سینما

پایان نامه خانه سینما

 

تعداد صفحات:115

فرمت فایل:doc

 

فهرست

عنوان                                           صفحه

  • مقدمه
  • فصل اول طرح مسئله
    • ضرورت پروژه
    • روش مطالعه وتحقیق
    • سامان پروژه مطالعاتی
    • فصل دوم : شناخت

2-1 شناخت سینما

2-1-1 - سینما چیست ؟

2-1-2- اختراع سینما

2-2-1 فرهنگ ونمایش ونقش آن درایران

2-2-2- تاریخ سینمای ایران

2-2-3 – سینمای حال حاضر ایران

2-2-3-1- نقدینگی

2-2-3-2- مواد اولیه

2-2-3-3- نیروی انسانی

2-3- معماری وسینما

2-3-1- پیوند (وجه اشتراک معماری وسینما )

2-3-2- نقد

2-3-4- بیانیه

2-3-3- الهام

2-4- بررسی چند نمونه خارجی وداخلی

2-4-1-

2-4-2-

  • فصل سوم : ضوابط واستانداردها

3-1- ظرفیت سالن

3-2 شکل واندازه تصویر پردازش

3-3 پرده ها وتصویرپردازی

3-4 لنزهای پردازش

3-5 پوشش تصویر

3-6 شیب کف وصندلی ها

3-7 شیب کف سالن نمایش تصویر

3-8 فاصله گذاری ردیف ها وراهروها

3-9 پرده ها

3-10 سالن نمایش اصلی

3-11سالن های نمایش فرعی

3-12 بخش جنبی خانه فیلم وسینما

3-13 فضاهای ورودی

  • فصل چهارم : مطالعات پایه

4-1- مطالعات منطقه ای ومحیطی

4-1-1- موقعیت جغرافیایی استان تهران

4-1-2- موقعیت جغرافیایی شهرتهران

4-1-3- کوهپایه ها وارتفاعات ورودخانه ها

4-1-4- ارتباطات

4-1-5- چگونگی شکل گیری شهر تهران

4-1-6- تاریخچه تهران

4-1-7- مطالعات فرهنگی واجتماعی

4-2- مطالعات اقلیمی

4-2-1- دما

4-2-2- بارش

4-2-3- رطوبت نسبی

4-2-4- باد

4-2-5- ساعات آفتابی

4-2-6- روزهای بارانی

4-3- معیارها وضوابط استقرار واحدهای ساختمانی درسایت

  • فصل پنجم : مطالعات کالبدی

5-1 تجزیه وتحلیلی سایت

5-1-1- بررسی موقعیت سایت درشهر

5-1-2- دید ومنظر ازدرون به برون سایت

5-1-3- دید ومنظر ازبرون به درون سایت

5-1-4- کاربریها وهمجواریها بلافصل

5-1-5- نظام توده فضا

5-1-6- گزینه منتخب لکه گذاری

5-2-1 - موقعیت شهری محل مورد نظر(سایت)

5-2-3 - موقعیت قرار گیری سایت در منطقه

5-2-4- دسترسی های سایت در منطقه

5-2-5- کاربریهای موجود در محدودة سایت

5-3- مشخصات و توانمندیهای موقعیت شهری سایت

5-4- تحلیل و تجزیة تصویری سایت

5-4-1- دید بنا نسبت به محدودة اطراف سایت

  • فصل ششم : معرفی مجتمع فرهنگی – سینمایی تهران

6-1- جدول برنامه فیزیکی

6-2- مدارک ونقشه ها

  • منابع و ماخذ

 

 

 

مقدمه

((اینجا اتاقی است ، تاریک با پرده ای سپید و کوچک در انتهای آن که با نوری سحر انگیز روشن می شود . و سایه ای حقیقی صدساله را پیش روی چند نفر از حاضران می گستراند . شاید هم سایه ای از حقیقتی دو هزار ساله که افلاطون از آن سخن می راند .

   اینجا چند نفر خسته و شوریده و خسته به نظاره نشته اند . تا شبح واقعیت تخلیشان را بر پرده ببینند . و بعضی به تاثیر ، به کنار دستی شان میگویند ، این جا اتاق رویا سازی است . جایی که تصویرها و صداها در هم میآمیزد تا معجزة یک قرن ، پس از هزاران بار، بار دیگر روی می دهد.

   این جا مرکز تلاقی ذهن است . از علم و تکنولوژی تا هنر ، از فلسفه و سیاست تا اقتصاد ، ار کژاندیشی و بی مایگی تا خلاقیت ، از دوستی تا دشمنی ، این جا خلاصه آدمی جاری است .

     این جا خاطرات گذرا نیستند . حرکات نامیرانید . و اصوات تا ابد می مانند . و این همه برای توصیف نام انسان کافی است . این جا اتاقی است تاریک با پرده ای سپید و کوچک در انتهای آن .)) 1

     سینما پدیده ای است که فرا تبار شناسی آن ، باب تاثیر دو سویه ای را بر زندگی برونی انسان گشوده است . در فرآیند بزرگنمایی فریمهای کوچک تا ابعاد محصور کنندة و غول آسای پرده جادواییاش حد میانه ای را می توان فرض کرد . که حتی از دیدگاه بصری منطبق با سازوکار و زندگی انسان است .

     در ادامه به تاریخچة فرهنگ نمایش و چگونگی پدید آمدن نمایش در جوامع مختلف می پردازیم .

   آغاز نمایش در هر سرزمینی را باید در آداب و رسوم . مناسک مذهبی همان قوم و در فعالیتهای انسانی برای تنازع بقا جستجو کرد .

   انسان بدوی که در بیان افکار و عواطف خود ناتوان بود . حرکت را به کمک طلبیده و از طریق حرکات موزون سعی در بیان افکار و عواطف خود کرد و برای درک لذت و به عنوان نیایش و سخن گفتن با خدایان خود شروع به انجام حرکات موزون ( رقص ) می کند .

     بنابراین اولین هنرهای نمایشی در درون همین مراسم جادوئی و حرکات موزون است که شکل می گیرد .

   شاید بتوان گفت یکی از شرایط ضروری برای پیدایش تئاتر فراهم آمدن درک نسبتاً پیچیده ای از جهان است که در آن امکان داشتن نظر گاهی عینی و بیطرفانه از مسائل انسانی وجود داشته باشد . مثلاً یکی از علایم این فرایافت ، ظهور یا بروز یک برخورد کمدی با مسائل است زیرا برای آنکه در راه خیر و سعادت مردم از معیارهای مضحک را برگزینیم ، نیاز به بینشی عینی و بیطرفانه داریم . علامت دیگر گسترش حس زیباشناختی است . مثلاً هنگامی که فرایافت های انسان از جهان خود تغییر می کند ، اغلب از اجرای آیین و توسل به اسطوره ها برای رسیدن به خوشبختی صرف نظر می کنند .

   دو شرط دیگر نیز که مربوط به حس زیباشناختی است دارای اهمیت اند ، پیدا شدن اشخاصی که می توانند عناصر تئاتری را به تجربه هائی متعالی وافرتر بدل کنند ، و جامعه ای که قادر باشد ارزش تئاتر را به عنوان فعالیتی منتقل و ویژه بپذیرد ، چرا که تئاتر آموزش می دهد ، ارشاد می کند و می کوشد تماشاگر خود را آرامشی روحانی ببخشد . و او را با حیات درونی خویش واحد است بعنوان مرکزی اجتماعی نیز قابل توجه است و در ایران نیز به عنوان یک مرکز دسته جمعی بمنظور بیان مسائل فرهنگی و تفریحی نقش ایفا می کند و می توان بعوان یک عامل کمک دهنده در این راستا مورد توجه قرار گیرد .

   سینما در ایران همانطور که گفته شدیک صنعت نوپا و خالی از هرگونه محتوا و فرم است و جهت مشخصی در این صنعت و هنر دیده نمیشود این عامل در کشور ایران بعنوان یک عامل صنعتی مورد توجه قرار رفته است که قادر باشد در مسائل اقتصادی کشور موثر باشد و اگر چه جنبة هنری ندارد با این وجود نمی توان منکر این مهم شد که سیل افراد شایق و به سینما رو به مراتب کمتر از سایر تفریحات دسته جمعی می باشد . و به همین نسبت فضاهای مورد نیاز به خصوص در مرکز بیشتر از سایر فضاهای همسو می باشد . پس از چنین مکانهایی با توجه به مشخصات آنها جهت رهبری عموم مردم می توان استفاده نمود . سینما از جهت رابطه با فرد عامی این مرز و بوم تا حد زیادی قابلیت بهره برداری دارد شخص در محیط سینما با یک تکنیکی روبرو است که از لحاظ آسانی بیان به سایر وسائل ارتباط جمعی یک حس راحت دارد . و نیز سینما از لحاظ محیط فیلم با یک وسعت زیاد ، توجه تماشاچی را به خود جلب می کند و با استفاده از امکانات فنی ، محیطی دور از ذهن را به آسانی برایش بازگو می کند .

   فرد در محیط سینما خواص یک محیط اجتماعی را بدست می آورد به جای هرگونه محیط اجتماعی دیگر امکان آموزش در سینما بیشتر می باشد پس برای آنکه از عامل سینما بتوان در حداکثر وضع موجود استفاده نمود باید محتوای آن را کنترل نمود و در سطح بالاتری قرار داد برای این منظور با در اختیار گذاردن وسائل و فضاهای تکنیکی این حالت را بوجود آورد .


1 – جهانشاهی ـ ک ، ساحر صد ساله ، ماهنامة سینمایی فیلم شمارة 183 ص 31


دانلود با لینک مستقیم


پایان نامه خانه سینما

دانلود مقاله لامپ‌های با میدان متقاطع

اختصاصی از فی گوو دانلود مقاله لامپ‌های با میدان متقاطع دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود مقاله لامپ‌های با میدان متقاطع


دانلود مقاله لامپ‌های با میدان متقاطع

 

مقدمه
در لامپ‌های با میدان متقاطع (Cross Fielde) میدان مغناطیسی dc و میدان الکتریکی dc بر یکدیگر عمودند. در همه لامپ‌های CF میدان مغناطیسی dc نقش مستقیمی در فرآیند اندرکنشی RF ایفا می‌کند.
لامپ‌های CF نامشان را از این حقیقت که میدان الکتریکی dc و میدان مغناطیسی dc بر یکدیگر عمودند گرفته‌اند. در لامپ CF الکترونهایی که توسط کاتد ساطع می‌شوند بوسیله میدان الکتریکی شتاب داده می‌شوند و سرعت می‌گیرند. اما همانطور که با ادامه مسیر سرعتشان بیشتر می‌شود توسط میدان مغناطیسی خم می‌شوند. اگر یک میدان RF در مدار آند به کار برده شود الکترون‌هایی که در طی اعمال میدان کاهنده وارد مدار شوند کند می‌شوند و مقداری از انرژی خود را به میدان RF می‌دهند. در نتیجه سرعتشان کاهش می‌یابد و این

الکترونهای با سرعت کمتر در میدان الکتریکی dc که به میزان کافی دور هست تا ضرورتاً همان سرعت قبلی را دوباره بدست بیاورند طی مسیر می‌کنند. بدلیل کنش اندرکنش‌های میدان متقاطع فقط آن الکترون‌هایی که انرژی کافی به میدان RF داده‌اند می‌توانند تمام مسیر تا آند را طی کنند. این خصیصه لامپ‌های CF را نسبتاً مفید می‌سازد. آن الکترونهایی که در طی اعمال میدان شتاب‌دهنده وارد مدار می‌شوند بر حسب دریافت انرژی کافی از میدان RF شتاب داده می‌شوند و به سمت کاتد باز می‌گردند. این بمباران برگشتی در کاتد گرما ایجاد می‌کند و راندمان کار را کاهش می‌دهد.
در این فصل چندین لامپ CF را که عموماً به کار برده می‌شوند مورد مطالعه قرار می‌دهیم.

۱- اسیلاتورهای مگنترون
Hull در سال ۱۹۲۱ مگنترون را اختراع کرد. اما این وسیله تاحدود دهه ۱۹۴۰ تنها یک وسیله آزمایشگاهی جالب بود. در طول جنگ جهانی دوم نیازی فوری به مولدهای ماکروویوی پرقدرت برای فرستنده‌های رادار منجر به توسعه سریع مگنترون شد. همه مگنترون‌ها شامل بعضی اشکال آند و کاتد که در یک میدان مغناطیسی در میان یک میدان الکتریکی بین آند و کاتد کار می‌کنند می‌باشند. به دلیل میدان تقاطع بین آندو کاتد الکترون‌هایی که از کاتد ساطع می‌شوند تحت‌تأثیر میدان متقاطع مسیرهایی منحنی‌شکل را طی می‌کنند.
اگر میدان مغناطیسی dc به اندازه کافی قوی باشد الکترون‌ها به آند نخواهند رسید ولی درعوض به کاتد باز می‌گردند. در نتیجه جریان آند قطع می‌شود. مگنترون‌ها را می‌تان به سه نوع طبقه‌بندی کرد:

۱) مگنترون با آند دو نیم شده
این نوع مگنترون از یک مقاومت منفی بین دو قسمت آند استفاده می‌کند.

۲) مگنترون سیکلوترون فرکانس
این نوع مگنترون تحت تأثیر عمل سنکرون کردن یک جزء متناوب میدان الکتریکی و نوسان پریودیک الکترون‌ها در یک مسیر مستقیم با میدان عمل می‌کند.

۳) مگنترون موج رونده
این نوع مگنترون به اندرکنش الکترون‌ها با میدان الکترومغناطیسی رونده با سرعت خطی بستگی دارد. این نوع از لامپها به صورت ساده به عنوان مگنترون نامیده می‌شود.
مگنترون‌ها با مقاومت منفی معمولاً در فرکانس‌های زیر ناحیه مایکروویوی کار می‌کنند. اگرچه مگنترون‌های سیکلوترون فرکانس در فرکانس ناحیه مایکروویوی کار می‌کنند، قدرت خروجی آنها بسیار کم است (حدود ۱ وات در GHZ 3) و راندمان آنها بسیار کم است. (حدود ۱۰% در نوع آند دونیم شده و ۱% در نوع تک‌آندی) بنابراین دو نوع اول مگنترون‌ها در این نوشتار مورد توجه نیستند.
مگنترون‌های استوانه‌ای
دیاگرام شماتیکی اسیلاتور مگنترون استوانه‌ای در شکل زیر نشان داده می‌شود. این نوع مگنترون، مگنترون قراردادی نیز نامیده می‌شود.

در مگنترون استوانه‌ای چندین حفره به شکاف‌ها متصل شده‌اند و ولتاژ dc V0 بین کاتد و آند اعمال می‌شود. چگالی شار مغناطیسی B0 در راستای محور Z است. وقتی که ولتاژ dc و شار مغناطیسی به درستی تنظیم شوند الکترون‌ها مسیرهای دایروی را در فضای آند- کاتد تحت نیروی ترکیبی میدان الکتریکی و مغناطیسی طی می‌کند.

برای سالهای بسیار مگنترون‌ها منابع پرقدرتی در فرکانس‌هایی به بزرگی GHZ 70 بوده‌اند. رادار نظامی از مگنترون‌های موج رونده قراردادی برای تولید پالس‌های RF با پیک قدرت بالا استفاده می‌کند. هیچ‌وسیله مایکروویوی دیگری نمی‌تواند همانطور که مگنترون‌های قراردادی می‌توانند عمل مگنترون را با همان اندازه، وزن، ولتاژ و محدوده راندمان انجام دهد. در حال حاضر، مگنترون می‌تواند پیک قدرت خروجی تا KW 800 می‌رسد. راندمان بسیار بالاست و از ۴۰ تا ۷۰% تغییر می‌کند.

مگنترون کواکسیالی
مگنترون کواکسیالی از ترکیب یک ساختار رزوناتوری آند که توسط یک حفره با Q بالا که در مورد TE011 کار می‌کنند احاطه شده است تشکیل شده است.

شیارهایی که در پشت دیواره حفره‌های متناوب ساختار رزوناتوری آند قرار دارند به طور محکمی میدان‌های الکتریکی این رزوناتورها را با حفره احاطه‌کننده کوپل می‌کنند. در عمل مود میدان‌های الکتریکی در همه حفره‌های دیگر هم فاز هستند و بنابراین آنها در جهت یکسان با حفره احاطه‌کننده کوپل می‌شوند. در نتیجه حفره کواکسیالی محیطی مگنترون را در مورد مطلوب تثبیت می‌کند. در مورد TE011 مطلوب میدان‌های الکتریکی مسیری دایروی را در داخل حفره طی می‌کنند و در دیواره‌های حفره به صفر کاهش می‌یابند. جریان در مورد TE011 در دیواره‌های حفره در مسیرهای دایروی حول محور لامپ جریان دارند. مودهای غیرمطلوب توسط تضعیف‌کننده در داخل استوانه داخلی شیاردار نزدیک انتهاهای شیارهای کوپلینگ میرا می‌شوند. مکانیزم تنظیم ساده و قابل اعتماد است. رزوناتور آند مگنترون کواکسیالی می‌تواند بزرگتر و با پیچیدگی کمتری نسبت به مگنترون قراردادی باشد. بنابراین بارگذاری کاتد کمتر است و شیب‌های ولتاژ کاهش داده می‌شوند.

۱-۲-۱- مگنترون‌های کواکسیالی شرکت Litton

Product Number Band Frequency GHz Peak Power Kw Duty Cycle
L-4570 C 5.4-5.88 250 0.0013
L-4469 X 8.5-9.6 200 0.001
L-4936 X 7.8-8.5 20 0.0012
L-4972 X 8.5-9.6 20 0.0012
L-4575 X 8.5-9.6 200 0.001
L-4593 X 8.5-9.6 250 0.0005
L-4590 X 8.7-9.4 200 0.001
L-4770 X 9.0-9.16 70 0.00066
L-4791 X 9.0-9.2 80 0.0011
L-4581 X 9.0-9.6 220 0.001
L-4979 X 9.05-10.0 100 0.001
L-4666 X 9.16-9.34 350 0.001
L-4583 A X 9.2-9.55 200 0.001
L-5190 X 9.24 90 0.001
L-5362 B X 9.345 10 0.001
L-5274 B X 9.345 7.5 0.001
L-4652 B X 9.345 8.7 0.001
L-4704 X 9.345 8.7 0.001

مگنترون با قابلیت تنظیم ولتاژ
مگنترون با قابلیت تنظیم ولتاژ یک اسیلاتور باند وسیع با فرکانس متغیر با تغییر ولتاژ اعمال شده بین آندوسل است. همانطور که در شکل زیر نشان داده می‌شود پرتو الکتریکی از یک کاتد استوانه‌ای کوتاه از یک انتهای دستگاه ساطع می‌شود.
الکترون‌ها توسط میدان‌های الکتریکی مغناطیس به شکل یک پرتو توخالی درمی‌آیند و سپس به طور اساسی از کاتد به بیرون فرستاده می‌شود. سپس پرتو الکترونی به ناحیه بین سل و کاتد وارد می‌شوند. پرتو با سرعتی که توسط میدان مغناطیسی محوری و ولتاژ dc اعمال شده بین آند و سل کنترل می‌شود حول سل می‌گردد.

مگنترون با ولتاژ قابل تنظیم از یک رزوناتور با Q کم استفاده می‌کند و پهنای باند آن در سطوح قدرت کم از ۵۰% تجاوز می‌کند. در مورد ، فرآیند دسته‌شدن پرتو توخالی در رزوناتور رخ می‌دهد و فرکانس نوسان توسط سرعت چرخشی پرتو الکترونی تعیین می‌شود. به عبارت دیگر فرکنش نوسان را می‌توان با تغییر ولتاژ dc اعمال شده بین آند و سل کنترل کرد.
در سطوح قدرت بالا و فرکانس‌های بالا درصد پهنای باند محدود است، در حالیکه در سطوح قدرت کم و فرکانس‌های بالا پهنای باند ممکن است به ۷۰% برسد.

۱-۳-۱- مگنترون قابل تنظیم ساخت شرکت TMD
Duty Cycle Max Tuning Range MHZ پیک قدرت KW فرکانس GHZ
001/0 1000 200 5/9-5/8
0015/0 50 100 2/9-9
0015/0 200 100 5/9-1/9
0015/0 200 100 4/9-3/9

۲-۳-۱- مگنترون با فرکانس ثابت ساخت شرکت TMD
Duty Cycle Max پیک قدرت KW فرکانس GHZ
001/0 3 24/9-21/9
0015/0 100 27/9-22/9
001/0 100 39/9-35/9
0015/0 50 17-16

مگنترون کواکسیالی معکوس
مگنترون را می‌توان با آند و کاتد معکوس ساخت. یعنی اینکه کاتد آند را احاطه کند. در مگنترون کواکسیالی معکوس حفره در داخل یک استوانه شیاردار قرار می‌گیرد و آرایه پره رزوناتور در خارج آن قرار گرفته است. کاتد یک حلقه حول آند تشکیل می‌دهد. شکل زیر دیاگرام شماتیکی مگنترون کواکسیالی را نشان می‌دهد.

مگنترون کواکسیالی Frequency- Agile
مگنترون کواکسیالی Frequency Agile با مگنترون قابل تنظیم استاندارد متفاوت است. Frequency Agility (FA) یک مگنترون کواکسیالی به صورت قابلیت تنظیم فرکانس خروجی رادار با سرعت به اندازه کافی بالا برای ایجاد تغییر فرکانسی پالس به پالس است، به طوری که این تغییر بزرگتر از مقدار لازم موثر برای خنثی کردن وابستگی اکوهای مجاور رادار باشد تعریف می‌شود.
مگنترون Frequency – Agile به همراه مدارهای مجتمع گیرنده مناسب می‌تواند جرقه‌زنی هدف را کاهش می‌دهد، قابلیت تشخیص هدف را در یک محیط شلوغ افزایش دهد و مقاومت در برابر اقدام‌های متقابل الکترونیکی (ECM) را افزایش دهد. افزایش جدا سازی فرکانسی پالس به پالس بیشتر، شکل بیشتر در مرکز قرار دادن فرستنده پارازیتی در فرکانس رادار روی خواهد داد که این کار برای تداخل موثر با عملکرد سیستم صورت می‌گیرد.
۱-۵-۱- مگنترون‌های Frequency Agile شرکت Litton

Product Number Band Frequency GHz Agility Rate Hz Agility Range MHz Peak Power Kw Duty Cycle
L-4771 X 9.05 25 215 200 0.001
L-4736 X 9.1-9.5 75 30 75 0.001
L-4683 X 9.35 0 250 250 0.001
L-4798 X 9.375 75 40 100 0.001
L-4799 X 9.375 75 40 100 0.001
L-4528 Ku 15.60 0 100 100 0.001
L-4752 B Ku 16.85 60 80 50 0.0007
L-4525 Ku 16.20 0 250 75 0.0008
L-4770 Ku 16.0-17.0 200 25 55 0.0010
L-4754 Ku 16.0-17.0 200 25 55 0.001
L-4527 Ku 16.50 0 300 65 0.0007

۲-۵-۱- مگنترون‌های Frequency Agile شرکت TMD

Duty Cycle Max Tuning Range MKZ پیک قدرت KW فرکانس GHZ
0015/0 450 100 5/9-5/8
0013/0 450 200 2/9-5/8
0013/0 450 200 4/9-7/8
0013/0 450 200 5/9-7/8
0011/0 100 80 5/9-9/8
0015/0 450 100 5/9-9
0015/0 450 100 5/9-9
0015/0 450 100 3/9-1/9
0013/0 200 70 17-16
0012/0 * 80 باند Ku

VANE AND STRAP
با برگشت به جنگ جهانی دوم مدار Vane and strap اولین مدار مگنترون مدرن آن روز بود. Vane and strap تعامل بعدی ترتیب حفره و شیار (hole and slot) بود که کارآیی کمتری داشت و از مشکلات ناپایداری مد صدمه می‌دید.
مگنترون Vene and strap همانطور که از اسمش برمی‌آید، عمل انتخاب مدش را با بستن یا وصل کردن پره‌های متناوب با تکه سیم‌های دایروی شکل که نوار نامیده می‌شوند انجام می‌دهد. ساختار رزوناتور شبیه بسیاری از مدارهای رزوناتور نیم‌موج دارای مدهای نوسانی چندگانه است.

۱-۶-۱- مگنترون‌های Vane and strap شرکت Litton

Product Number Band Frequency GHz Peak Power Kw Duty Cycle
L-3858 S 2.45 2.5 CONTINUOUS
L-4933 S 2.72 480 0
L-4932 S 2.76 480 0.0007
L-4931 S 2.8 480 0.0007
L-4919 S 2.805 4500 0.001
L-4830 S 2.84 480 0.0007
L-4939 S 2.88 480 0.0007
L-4928 S 2.9-3.1 1000 0.001
L-4678 C 3.9-4.1 350 0.001
L-4620 C 4.5-5.1 250 0.00125
L-4727 C 5.4 85 0.0012
7158 B C 5.45-5.825 250 0.0006
6344 A C 5.45-5.25 176 0.00085
L-5080 C 5.45-5.825 250 0.001
7156 A C 5.45-5.825 228 0.0009
L-4701 C 6.8-7.3 300 0.001
L-3108 A X 8.5-9.6 65 0.001
6543 X 8.5-9.6 65 0.001
6543 A X 8.5-9.6 85 0.001
L-4193 A X 8.5-9.6 200 0.001

Rising sun
مدار Rising sun نام خود را از ظاهر مقطع رزوناتور گرفته است. رزوناتورها متناوباً با یک قطر مشترک داخلی بزرگ و کوچک می‌شوند. این ساختار از طراحی الکتریکی یک سیستم رزوناتوری دوگانه کوپل شده منتج می‌شوند.
اگرچه ساختارهای Rising sun 40 قدمت دارند اما به اندازه مگنترون‌های کواکسیالی و Vane and strap موردتوجه نیستند چون در باندهای میلیمتری تقاضا زیاد نیست. ساختارهای Rising sun هزینه کمی نسبت به مدار Vane and Strap در GHZ 100 دارند. Q این مدار نسبتاً کم است.
۱-۷-۱- مگنترون‌های Rising sun شرکت Litton
Product Number Band Frequency GHz Peak Power Kw Duty Cycle
L-4154 B Ka 24.25 40 0.0003
L-4054 A Ka 34.85 88 0.0008
Ka 34.85 124 0.0004
L-4064 E Ka 34.85 125 0.0004
L-4516 A Ka 34.7-34.93 70 0.0007
Ka 34.7-34.93 125 0.0003

Injection – Locked
مگنترون‌های Injectipn – Locked به عنوان جانشین عملی برای TWTها و کلایسترون‌ها در کاربردهایی که انسجام مورد نیاز است عمل می‌کنند.
این مگنترون‌ها از نظر هزینه نسبت به لامپ‌های TWT موثرترند. علاوه بر این ترکیب نادر اندازه فشرده و کارایی خوب هم از مزایای این مگنترون‌ها است.
مفهوم Injectipn – Locked نسبتاً ساده است. یک سینگنال با سطح کم به طور مستقیم به مدار رزوناس یک اسیلاتور پرقدرت Free running داده می‌شود.
اگر فرکانس منبع به اندازه کافی به فرکانس Free running اسیلاتور نزدیک باشد و دامنه سیگنال به اندازه کافی باشد وسیله پرقدرت در یک پهنای باند معین دارای پایداری فرکانس و فازی می‌شود. در مورد یک مگنترون Injectipn – Locked انرژی از طریق یک سیر کولاتور به داخل آند کوچک می‌شود.

مگنترون‌های Beacon
مگنترون‌های Beacon (مگنترون‌های قراردادی مینیاتوری) پیک قدرت خروجی KW 5/3 را تولید می‌کنند، در حالیکه وزن آنها از ۲ پوند است. این وسایل برای استفاده در جاهایی که منابع خیلی فشرده و لتاژ کم‌قدرت پالسی نیاز است ایده‌آل هستند. نظیر هواپیمایی، موشک، ماهواره یا سیستم‌های Doppler . بیشتر مگنترون‌های Beacon شیفت فرکانسی ناچیزی دارند و کارایی با طول عمر زیاد در سخت‌ترین شرایط محیطی و دمایی از خود نشان می‌دهند.

۱-۹-۱- مگنترون‌های Beacon شرکت Litton

Product Number Band Frequency GHz Peak Power Watts Duty Cycle
L-4850 C 4.4-4.8 900 0.002
L-4846 C 5.4-5.9 350 0.002
L-4847 C 5.4-5.9 540 0.000
L-4844 C 5.4-5.9 600 0.002
L-4848 C 5.4-5.9 600 0.002
L-4855 C 5.4-5.9 600 0.001
L-4841 C 5.4-5.9 900 0.001
L-4854 C 5.4-5.9 900 0.001
L-4851 C 5.4-5.9 1500 0.000
L-4843 C 5.4-5.9 4500 0.001
L-4832 X 8.8-9.5 400 0.000
L-4834 X 8.8-9.5 475 0.000
L-4839 X 8.8-9.5 400 0.001
L-4833 X 8.8-9.5 700 0.000
L-4831 X 8.8-9.5 500 0.001
L-4837 X 9.2-9.55 560 0.002
L-4766 Ku 16.2-16.3 560 0.000

۲- CFA (Cross Field Amplifier)
تقویت‌کننده با میدان متقاطع (CFA) پیامد وجود مگنترون است. می‌توان CFAها را براسا مد عملکردشان به صورت انواع موج جلو‌رونده و موج و موج‌عقب‌رونده گروه‌بندی کرد و یا براساس منبع جریان الکترونی آنها به صورت انواع emitting sole یا injected-beam طبقه‌بندی کرد. گروه اول به جهت فاز و سرعت گروه انرژی در مدار مایکروویوی مربوط است. چون جریان الکترون به نیروهای میدان الکترونی RF واکنش می‌دهد. رفتار سرعت فاز با فرکانس اولین موضوع مورد علاقه است. گروه دوم بر روشی که با آن الکترون‌ها به ناحیه اندرکنش می‌رسند و چگونه کنترل می‌شوند تاکید می‌کند.

در مورد موج پیشرو، اغلب ساختار موج آهسته نوع مارپیچی به عنوان مدار مایکروویوی برای تقویت‌کننده با میدان متقاطع انتخاب می‌شود. در مورد موج عقب‌رونده خط Strap یک انتخاب رضایت‌مندانه را نمایش می‌دهد. ساختار تقویت‌کننده با موج متقاطع Strap در شکل زیر نشان داده می‌شود.

۱-۲- اصول عملکرد
در لامپ emitting-sole در پاسخ به نیروهای میدان الکتریکی در فضای بین کاتد و آند جریان از کاتد خارج می‌شود. مقدار جریان تابعی از ابعاد، ولتاژ اعمالی و خواص ساطع شدن از کاتد می‌باشد. در لامپ injected-beam پرتو الکترونی در یک تفنگ جداگانه تولید می‌شود و به داخل ناحیه اندرکنش تزریق می‌شود.
شکل‌های اندرکنش مدار- پرتو در لامپ‌های emitting-sole و injected-beam مشابه هستند. الکترون‌های فازی مطلوب به طرف آند که به طور مثبت پلاریزه شده ادامه مسیر می‌دهند تا سرانجام جذب شوند. در حالیکه الکترون‌های فازی غیرمطلوب به طرف الکترود منفی پلاریزه شده حرکت می‌کنند.
در اندرکنش پرتو خطی همانطور که در لامپ‌های TWT بیان کردیم جریان الکترون ابتدا توسط یک تفنگ الکتریکی شتاب می‌گیرند تا به سرعت dc کامل برسند. سرعت dc تقریباً برابر سرعت فازی محوری میدان RF در ساختار موج آهسته است. بعد از اینکه کنش‌اندرکنش رخ داد، الکترون باقی‌مانده با یک سرعت با متوسط کم ناحیه اندرکنش را ترک می‌کند. تفاوت سرعت، انرژی RF تولید شده از مدار ماکروویوی را توجیه می‌کند. در CFA الکترون در معرض نیروی میدان الکتریکی، نیروی میدان مغناطیسی و نیروی میدان الکتریکی میدان RF ، حتی در معرض نیروی بار دیگر الکترون‌ها قرار می‌گیرد. آخرین نیرو به دلیل پیچیدگی معمولاً در مطالعات آنالیتیک در نظر گرفته نمی‌شود.
تحت‌تأثیر سه نیرو، الکترون در مسیر حلزونی در جهت‌های هم پتانسیل حرکت می‌کند. شکل زیر طرح جریان الکترونی در CFA را با تکنیک‌های کامپیوتری نشان می‌دهد.

تقویت‌کننده با میدان متقاطع CFA با بهره قدرت کم یا متوسط، پهنای باند متوسط، راندمان بالا، تقویت‌کنندگی اشباع شده، اندازه کوچک و وزن کم مشخص می‌شود. این خواص باعث می‌شوند ک از CFA در سیستم‌های الکترونیکی بسیاری از مخابرات فضایی با قدرت کم و قابلیت اطمینان بالا گرفته تا رادار پالسی همزمان با قدرت متوسط بالا در حد چند مگاوات استفاده می‌شود.

۲-۲- CFA های شرکت Litton
پهنای باند % راندمان % Nominal Gain dB Duty cycle پیک قدرت KW فرکانس GHZ


دانلود با لینک مستقیم


دانلود مقاله لامپ‌های با میدان متقاطع