پروژه Power former جدیدترین ژنراتور سنکرون و شبیه سازی جریان های فالت. doc

اختصاصی از فی گوو پروژه Power former جدیدترین ژنراتور سنکرون و شبیه سازی جریان های فالت. doc دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

نوع فایل: word

قابل ویرایش 105 صفحه

چکیده:

Pf  جدید ترین ماشین سنکرون فشار قوی است که بدون نیاز به کلید ژنراتور  (Generator C.B) ، ترانسفورماتور افزاینده و تجهیزات جانبی آن ، توان الکتریکی را مستقیماٌ به شبکه انتقال ، تحویل  می دهد . Pf یک ژنراتور AC سه فاز با یک روتور معمولی است . تفاوت قابل مقایسه آن با ژنراتور های معمولی در طرز قرار گرفتن سیم پیچ های استاتور می باشد ایده جدید بکار گرفته شده ، استفاده از کابل به عنوان سیم پیچ استاتور می باشد . تولید توان در سطوح مختلف ولتاژهای شبکه انتقال ، توسط این ماشین ، مدیون پیشرفت در فناوری و ساخت کابلهایی می باشد که جایگزین شینه بندی در استاتور ژنراتورهای متعارف شده است .

Pf  بعنوان مولد در ژنراتورهای آبی ( هیدروژنراتورها ) و همچنین نیروگاههای حرارتی  ( توربوژنراتورها ) می تواند مورد استفاده قرار گیرد . در شکل (1) برش عرضی یک توربو پاورفورمر نشان داده شده است .

مقدمه:

تولید برق یکی از مهمترین دستاوردهای صنعت برای تمدن بشر می باشد و این حرکت در حدود صد سال است که آغاز گردیده است . در سال 1864 تئوری الکترومغناطیسی توسط جیمز کلرک ماکسول در یک شکل عمومی ارائه گردید و به صورت یک قاعده کلی در آمد ، که معادلات ماکسول نام گرفت . اولین ماشین های الکتریکی به نام جدلیک مجارستانی (1861) و ورلی انگلیسی (1866) ثبت گردیدند. در سال 1905 تلاشهای پروفسور مانگارینی و مهندسین شرکت گانز منجر به ساخت دو ژنراتور 45 هرتز ،450 دور در دقیقه با ظرفیت نامی 2/5 مگاولت آمپر و ولتاژ 30 کیلوولت شد. این دو ژنراتور توان تولیدی خود را به شهر رم که در 55 کیلومتری قرار داشت انتقال می دادند .

اولین گام قابل توجه توسط سر چارلز پرسونز و جان روزن در سال 1928 برداشته شد .بدین ترتیب که آنان توانستند یک توربو ژنراتور 25 مگاولت آمپری سه فاز که دارای 33 کیلوولت و سرعت 3000 دور در دقیقه بود بسازند . به کمک فناوری پرسونز در طول 6 سال 8 ژنراتور 6 کیلوولتی ساخته شد ، اما در فاصله دو جنگ جهانی اول و دوم ولتاژ شبکه در اروپا و آمریکا به سرعت از 22 به 230 کیلوولت افزایش پیدا کرد و لازم گردید ترانسفورماتورهای افزاینده برای اتصال ژنراتورها به شبکه نقش اساسی را ایفا کنند . در طول 25 سال گذشته بدلیل پیشرفت در فناوری ساخت نیروگاههای بزرگ از جمله نیروگاه هسته ای ، ظرفیت ژنراتورها به بیش از 15 برابر افزایش یافته ، در صورتی که ولتاژ خروجی آنها به دلیل محدودیتهای عایقی هرگز به بیش از 36 کیلو ولت نرسیده است .

از آنجا که صنعت برق یک صنعت فراگیر می باشد افزایش راندمان و استفاده بهینه از ظرفیت های بالقوه به ما این امکان را می دهد تا با استفاده از داشته های محدود تولید وعرضه را افزایش داده و عوامل یا وسائلی را که بر بازده این صنعت تأثیر منفی بجای می گذارند حذف و یا به حداقل کاهش دهیم . امروزه ژنراتورهای فشار قوی به طریقی ساخته می شوند که ولتاژ خروجی آنها به kv30 محدود می شود . شبکه های قدرت با ولتاژهای بالاتر از ولتاژ تولیدی این ژنراتورها مستقیماً نمی توانند توسط آنها تغذیه شوند. به همین علت است که امروزه نیروگاههای بزرگ از ترانسفورماتورهای افزاینده برای تبدیل ولتاژ تولیدی به یک سطح ولتاژ مناسب برای اتصال به شبکه قدرت استفاده می کنند. ترانسفورماتورهای افزاینده مشکلات زیادی برای نیروگاه ایجاد می کنند که از جمله می توان کاهش راندمان ، هزینه نگهداری بالا و اشغال فضای زیاد را نام برد . در طول قرن گذشته ، تلاشهای زیادی برای تولید ژنراتورهای فشار قوی که توانایی اتصال مستقیم به شبکه قدرت بدون نیاز به ترانسفورماتور افزاینده را داشته باشند،صورت گرفته است. با وجود اینکه ولتاژ های شبکه به kv 800 یا بیشتر رسیده اند ، امروزه ژنراتورها حداکثر برای ولتاژهای kv30 ساخته می شوند . ایده ای که باعث تغییر کلی در طرح معمولی ژنراتورها شده ، اولین بار به طور جدی در سال 1991 مطرح شد. به این صورت که چگونه می توان ژنراتوری ساخت که دارای ولتاژ خروجی بالایی بوده و در عین حال بار گذاری یکنواخت روی مشخصه های تجهیزات آن تضمین شود . نگاه اولیه به طرح ژنراتور با یک سؤال ساده شروع شد . آیا ژنراتور جدید مانند نوع فعلی خواهد بود؟ جواب سؤال ، یک طرح کاملاً جدید با نتایج عالی برای نیروگاههای برق آبی و حرارتی، مانند دیگر تجهیزات الکتریکی خواهد بود.

عایق جامد ، شیارهای با طرح استوانه ای در هسته استاتور و ترتیب بی نظیر سیم پیچ از نوع کابل فشار قوی ، از مزایای اصلی این طرح جدید است. این کابل های فشار قوی در درون شیارها قرار می گیرند.

این مشخصه برجسته طرح ، از اشکالات معمول در خصوص فرض کردن میدان های مغناطیسی، جلوگیری می کند. شکل استوانه ای شیارها در طرح جدید، اجازه می دهد که معادلات ماکسول به روش آسان  و بدون تقریب بکار برده شوند. شرکت ABB در یک همکاری نزدیک با یک شرکت سوئدی به نام واتنفال  یک ژنراتور فشار قوی با ساختار جدید که توانایی اتصال مستقیم به شبکه انتقال را دارد تولید کرده است که ولتاژ خروجی آن می تواند به سطح ولتاژ kv 400 برسد. با این تکنولوژی جدید، در آینده نیروگاههایی بدون نیاز به ترانسفورماتور ساخته می شوند که شکل جدیدی از انتقال قدرت را به وجود می آورند.

این ماشین جدید که powerformer  نامیده می شود مزایایی از قبیل راندمان بالاتر، دسترسی بهتر، هزینه تعمیر و نگهداری کمتر، تلفات کمتر و تأثیرات منفی کمتر بر محیط زیست را داراست.

نام powerformer از ترکیب دو کلمه power generator  وtrans former انتخاب گردیده است .

اولین ژنراتور برق آبی دنیا از این نوع پس از تست کارخانه ای در بهار 1998 در مرکز برق آبی پورجو  سوئد راه اندازی شده است.

فهرست مطالب:

فصل اول : سیم پیچی power former و مدل تلفات جریان گردابی در آن

1 ـ 1ـ سیم پیچی pf 4

1ـ2ـ مدل تلفات جریان گردابی در سیم پیچ

1ـ2ـ1ـ معرفی 

1ـ2ـ2ـ کلاف سیم پیچ

1ـ2ـ3ـ فرضیات مدل

1ـ2ـ4ـ مقایسه میان تلفات اثر متقابل و اثر پوستی 

1ـ2ـ5ـ مدل اثر پوستی

الف ـ محاسبات تلفات اثر پوستی

ب ـ تحلیل روابط مربوط به اثر پوستی

ج ـ مدل کردن اثر پوستی توسط مدار کایر دوگان 

1ـ2ـ6ـ مدل اثر متقابل

الف ـمحاسبه و اندازه گیری تلفات اثر متقابل 

ب ـ روابط تحلیلی برای استفاده در مدل اثر متقابل 

ج ـ مدل کردن تلفات اثر متقابل توسط مدار کایر گسترده

1ـ2ـ7ـ مدل کامل جریان گردابی کلاف سیم پیچ

1ـ2ـ8ـ نتایج حاصل برای کلاف سیم پیچ

1ـ2ـ9ـ نتیجه 

فصل دوم :  استاتور power former

2ـ1ـ طراحی استاتور

2ـ2ـ سیستم خنک کاری

فصل سوم : جریانهای خطا در power former 

3ـ1ـ مقایسه جریانهای خطا

3ـ1ـ1ـ خطاهای خارجی 

3ـ1ـ2ـ خطاهای داخلی

فصل چهارم : مزایای power former

4ـ1ـ مزایای سیم پیچی pf و کنترل میدان الکتریکی 

4ـ2ـ مزایای مهم برای استفاده کنندگان 

4ـ3ـ مزایای اتصال مستقیم به شبکه 

4ـ4ـ نگهداری و قابلیت

4ـ5ـ کنترل سیستم در نیروگاههای مجهز به pf 62

4ـ6ـ اثرات زیست محیطی

فصل پنجم : نصب power former در نیروگاهها

5ـ1ـ نصب اولین pf 65

5ـ2ـ عملکرد pf در واحد پرسی

فصل ششم : شبیه سازی

6-1- شبیه سازی ژنراتور معمولی به همراه ترانسفورماتور

6-2- شبیه سازیpower former84

فصل هفتم : نتیجه گیری و مقایسه

منابع و مآخذ

منابع و مأخذ:

[1] Powerformer a radically new rotating machine. ABB review 2/1998.

[2] Breaking Conventions in Electrical Power Plants. Mats Leijon, Lars Gertmar, Harry Frank , Jan Martinsson, Thommy Karlsson and Billy Johansson ABB (Sweden). Kjell Isaksson  and Ulf Wollström Vattenfall Sweden. Session 1998 CIGRE

(http://www.cigre.org).

[3] Non-Conventional Power Plants. Thommy Karlsson and Roy Olsson, ABB Generation  AB. Mats Leijon, Lars Gertmar, Harry Frank and Peter Templin , ABB Corporate  research, S-721 78 Västerås, Sweden.

[4] The story behind the high-voltage generator from ABB. HIGH VOLTAGE Magazine,

ABB spring 1998.

[5] Powerformer in thermal power plants. From ABB.

[6] Porgies-article. From ABB.

[7] The Tension Rises at Porsi. From ABB.

[8] Mats Leijon et al, “Breaking Conventions in Electrical Power

Plants”, CIGRE 1998, Paper 11:l.l.

[9] LEIION, h2: ‘Powerformer - a radicailv new iotaiing machine’, ABB Reuiew, 2/1998, pp. 21-26

[10] LWON, M, et d ‘Breaking Conventions in Electrical Power Plants’, 11/37-03, presented at Cigre, Paris, 1998

[11] PAXSONS, C. A., and ROSEN, J.: ’Direct Generation of Alternating Current at High Voltages’, Joicrnal of the JEE, Vol 67, No 393,

September 1929

[12] M. Leijon, L. Gertmar, H. Frank, J. Martinsson, T. Karlsson, B. Johansson , K. Isaksson, and U.Wollström, “ Breaking conventions in electrical power plants,” in CIGRÉ, Paris, France, 1998, Rep. 11/37–03.

[13] A. Jaksts, S. Forsmark, and M. Leijon, “ Power transformers for the 21st century,” in IEEE Power Tech Conf., Budapest, Hungary, Aug.-Sept.

29-2, 1999, Rep. BPT99–477-3.

[14] F. de León, “Transformer model for the study of electromagnetic transients,” Ph.D. dissertation, Univ. Toronto, Toronto, ON, Canada, 1992.

[15] F. de León and A. Semlyen, “Time domain modeling of Eddy current effects for transformer transients,” IEEE Trans. Power Delivery, vol. 8, pp. 271–280, Jan. 1993.

[16]….. , “Detailed modeling of  Eddy current effects for transformer transients,” IEEE Trans. Power Delivery, vol. 9, pp. 1143–1149, Apr. 1994.

[17] J. Avila - Rosales , “ Modeling of the power transformer for electromagnetic transient studies,” Ph.D. dissertation, Univ. Wisconsin, Madison , 1980.

[18] J. Avila-Rosales and F. Alvarado, “Nonlinear frequency dependent transformer model for electromagnetic transient studies in power systems,” IEEE Trans. Power App. Syst., vol. PAS-101, pp. 4281–4288, Nov. 1982.

[19] P. Holmberg and G. Engdahl, “Modeling and design of a set-up for

studies of transients in coils,” in Proc. Int. Symp. Electromagn. Compat .

Rome, Italy, 1996, pp. 126–131.

[20] P. Holmberg, “A lumped circuit approach to model electromagnetic transients in coils, considering a moving geometry, magnetic hysteresis and heating ,” Lic. degree thesis, Dept. Power Eng., Royal Inst. of Technol., Stockholm, Sweden, 1996.

[20] “Modeling the transient response of windings, laminated steel

cores and electromagnetic power devices by means of lumped circuits,”

1. D., Inst. High Voltage Res., Uppsala Univ., Uppsala, 2000.

[21] P. Holmberg, A. Bergqvist, and G. Engdahl, “Modeling Eddy currents and hysteresis in a transformer laminate,” IEEE Trans. Magn. vol. 33, pp. 1306–1309, Mar. 1997.

[22] “Modeling a magnetomechanical drive by a coupled magnetic,

electric and mechanical lumped circuit approach,” J. Appl. Phys., pt. 2A,

1. 81, no. 8, pp. 4091–4093, Apr. 1997.

[23] C. S. Yen, Z. Fazarinc, and R. L. Wheeler, “Time-domain skin effect

model for transient analysis of lossy transmission lines,” Proc. IEEE ,

1. 70, pp. 750–757, July 1982 .

[24] A. Larsson, H. Tang, and V. Scuka, “Numerical simulation of transient protector co-ordination,” Eur. Trans.Elect. Power, vol. 9, no. 1, pp. 57–63, Jan./Feb. 1999.

[25] E. J. Tarasiewicz, A. S. Morched, A. Narang, and E. P. Dick, “Frequency dependent Eddy current models for nonlinear iron cores,” IEEE Trans.Power Syst., vol. 8, pp. 588–597, May 1993.

[26] D. K. Cheng, Field and Wave Electromagnetics. New York: Addison-Wesley, 1989.

[27] E. Hallén, Electromagnetic Theory. London, U.K.: Chapman and Hall , 1962.

[28] M. R. Spiegel, Mathematical Handbook of Formulas and Tables. New York: McGraw-Hill , 1990.

[29] M. Abramowitz and I. A. Stegun, Handbook of Mathematical Functions. New York: McGraw-Hill, 1972.

[30] G. Slemon, Electric Machines and Drives. New York: Addison-

Wesley, 1992.

[31] C. Nordling and J. Österman, Physics Handbook. Lund, Sweden: Studentlitteratur , 1987.

[32] J. Vlach and K. Singhal, Computer Methods for Circuiit Analysis and Design. New York : Van Nostrand , 1994.

1. IEEE.com[33]
2. ABB.com[34]
3. powerformer.com[35]

36- چهارمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران"پاورفورمر پدیده ای نو در صنعت برق"

طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز چند استانداردی با قابلیت پیکربندی مجدد. doc

اختصاصی از فی گوو طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز چند استانداردی با قابلیت پیکربندی مجدد. doc دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

نوع فایل: word

قابل ویرایش 150 صفحه

چکیده:

در این پایان نامه یک مدار LNA با قابلیت پیکربندی مجدد برای استانداردهای بی سیم طراحی شده است. برای طراحی این مدار یک طیف فرکانسی 4 الی 6 گیگاهرتز در نظر گرفته شده است و یک تقویت کننده با قابلیت پیکربندی مجدد برای این طیف فرکانسی طراحی شده است. این طیف فرکانسی، استانداردهایی مانند WLNA، LAN ، Bluetooth و Wi-Fi را پوشش می دهد.

فراهم کردن بهره ولتاژ بالا همزمان با القای نویز کم به سیگنال توسط مدار و همچنین تطبیق امپدانس مناسب در محدوده فرکانسی مورد نظر، مهمترین چالش این پایان نامه است. برای ایجاد بهره مطلوب در باند فرکانسی مورد نظر از دو طبقه LNA متوالی استفاده شده است. ضمناً برای حصول تطبیق امپدانس مطلوب در باند فرکانسی مورد نظر از یک شبکه تطبیق امپدانس استفاده شده است.

LNA طراحی شده در این پایان نامه، در تکنولوژیRF CMOS 0.24  با استفاده از نرم افزارAdvanced Design System 2011.01 شبیه سازی شده است. یک تقویت کننده کم نویز مطلوب باید از نظر پارامترهای پراکندگی دارای بزرگتر از 10dB برای بهره زیاد، و کوچکتر از-10dB  برای تطبیق مطلوب امپدانس ورودی و خروجی،  کوچکتر از -40dB برای پایداری و ایزولاسیون معکوس بزرگ و در نهایت عدد نویز(NF) کوچک تر از 4dB باشد. برای LNA طراحی شده در این پایان نامه مقادیر  ، ، ،  و  بدست آمده است که مقادیری مطلوب و قابل قبول هستند.

مقدمه:

تقویت کننده کم نویز(LNA) یکی از اجزای مهم در طراحی گیرنده های فرکانس بالا است. LNA نقش مهمی در نویز کلی سیستم گیرنده دارد و با توجه به اینکه اولین طبقه از یک گیرنده امواج رادیویی است و نویز ناشی از آن مستقیماً به نویز کلی گیرنده افزوده می‌شود. پس این طبقه همزمان با تقویت سیگنال ورودی باید کمترین نویز ممکن را ایجاد نماید. البته طراحی LNA با بهره کافی، برای کاهش نویز طبقات بعدی (مانند  میکسر) لازم است.

در سال‌های اخیر، گیرنده‌هایی با قابلیت پشتیبانی از چندین استاندارد مختلف مورد توجه قرار گرفته است. استانداردها مشخصه‌های مختلف انتقال اطلاعات، مانند فرکانس کاری، نوع مدولاسیون، نوع داده، میزان نویز قابل قبول و.... را شامل می‌شوند.

ساده‌ترین روش برای طراحی این نوع گیرنده‌ها پیاده سازی استانداردها در مسیرهای موازی است که با سوئیچ و به وسیله دستورهای واحد کنترل، استاندارد کاری گیرنده تغییر می کند. برای طراحان این نوع مدارها، کاهش مساحت تراشه و در نتیجه هزینه ساخت و نیز کاهش توان مصرفی مهمترین هدف است. اشتراک در سخت افزار یکی از روش‌های رسیدن به این هدف است و در این راه، تقویت‌کننده کم نویز به عنوان اولین طبقه گیرنده، نقش مهمی دارد.

طراحی تقویت‌کننده کم نویز، با توجه به موقعیت آن در مدار با بعضی محدودیت‌ها روبرو است که با پیچیده شدن مدار و افزایش استانداردهای کاری این محدودیت‌‌ها افزایش خواهند یافت. برای طراحی تقویت کننده کم نویز در گیرنده های با قابلیت کار در چند استاندارد مختلف، روش های زیادی پیشنهاد شده است. برای این نوع تقویت-کننده ها دو نوع طراحی در حالت کلی وجود دارد:

اول- طراحی تقویت کننده باریک باند، به طوریکه تقویت فقط در باندهای استانداردهای کاری تقویت کننده باشد و فقط در این باندها مشخصه های تقویت کننده شامل امپدانس ورودی، بهره، حداقل عدد نویز ، خطی بودن و ... رعایت شوند.

دوم- طراحی تقویت کننده پهن باند، مانند تقویت کنندهUWB  که در این نوع تقویت کننده برای یک پهنای وسیع فرکانسی که شامل فرکانس استانداردهای مطلوب نیز است، طراحی انجام می شود.

فهرست مطالب:

فصل اول: مقدمه و بررسی پیشینه پژوهش

1-1- مقدمه

1-2-  نویز

1-2-1  نویز حرارتی

1-2-2- نویز گیت القا شده

1-2-3- نویز فلیکر

1-2-4- منابع دیگر نویز

1-3- مفاهیم پایه  CMOS LNA         

1-3-1- اثر غیراستاتیک

1-3-2- تئوری نویز دو پایانه ای       

1-4- ملزومات و پارامترهای مهم LNA

1-4-1- تطبیق امپدانس

1-4-2- عدد نویز  

1-4-3-بهره

1-4-4- حساسیت

1-4-5- اثرات غیرخطی     

1-4-5-1- خطی بودن چند طبقه متوالی           

1-4-6- پارامترهای S        

1-4-7- پایداری   

1-6- تطبیق امپدانس در طراحی LNA

1-6-1- مقاومت موازی در ورودیLNA           

1-6-2- فیدبک سری – موازی         

1-6-3- ورودی گیت مشترک           

1-6-4- ساختار سلف در سورس (Inductive Source Degeneration)     

1-7- ساختارهای تفاضلی    

1-8- معرفی مدارهای تقویت کننده کم نویز چنداستانداردی

1-8-1- تقویت کننده برای دو استاندارد IEEE80211a/b   

1-8-2- تقویت کننده برای استانداردهایCDMA/WCDMA           

1-8-3- تقویت کننده inductive source degeneration برای DECT و BLUETOOTH

1-8- 4- طراحی تقویت کننده برای دو استاندارد DCS1800 و W-CDMA

1-8-5- تقویت کننده استانداردهای IEEE80211a/b         

1-8-6- تقویت کننده استانداردهای UMTS و GPS          

1-8-7- تقویت کننده برای IEEE80211a/b      

1-8-8- تقویت کننده با استفاده از فیدبک ولتاژ- ولتاژ  و تکنیک چند استانداردی کردن 

1-9- معرفی مدارهای تقویت کننده پهن باند       

1-10- سیستم های میکروالکترومکانیکی MEMS          

فصل دوم: مواد و روش ها    

2-1- انتخاب تکنولوژی 

2-2- ساختارهای LNA در تکنولوژی BJT        

2-3- خصوصیات ساختارهایCMOS LNA      

2-3-1- تطبیق ورودی       

2-3-2- عدد نویز

2-3-3- خطی بودن           

2-3-4- بهره       

2-3-5-ایزوالاسیون معکوس و پایداری

2-3-6- نقطه فشردگی 1-dB            

2-3-7- نقطه تقاطع مرتبه سوم         

2-3-8- محدوده دینامیکی

2-3-9- هدایت انتقالی مؤثر  

فصل سوم: تئوری و طراحی LNA چند استانداردی

3-1- اهداف طراحی و انتخاب ساختار

3-2- طراحی LNA پیشنهادی           

3-2-1- طراحی هسته LNA

3-2-2- طراحی و شبیه سازی دو طبقه متوالی LNA        

3-2-3- شبیه سازیLNA  پیشنهادی پایان نامه   

4-3- جدول مقایسه            

4-4- نتیجه گیری

4-5- پیشنهاد برای کارهای بعدی       

مراجع   

فهرست اشکال:     

شکل(1-1) مدل سیگنال کوچک نویز حرارتی    

شکل(1-2) مدل سیگنال کوچک نویز گیت القا شده

شکل(1-3) منابع نویز در ترانزیستورMOS      

شکل(1-4) مدل سیگنال کوچک MOS همراه با اثر NQS 

شکل(1-5) مدل نویزی شبکه دو پایانه ای 

شکل(1-6) مدل بدون نویز شبکه دو پایانه ای

شکل(1-7) مدل سیگنال کوچک ترانزیستور MOS         

شکل (1-8) عدد نویز طبقات متوالی  

شکل (1-9) نقطه فشردگی 1-dB       

شکل (1-10) تست دو  سیگنال مجاور برای سیستم غیر خطی        

شکل (1-11) نقطه تقاطع مرتبه سوم 

شکل(1- 12) شبکه دو پایانه ای         

شکل (1-13) شرط تطبیق امپدانس  

شکل (1-14) ساختار تطبیق امپدانس با مقاومت موازی در ورودی  

شکل (1-15) ساختار تطبیق امپدانس با مقاومت فیدبک     

شکل (1-16) ساختار Current Reuse LNA   

شکل (1-17) روش خنثی سازی خازن گیت درین         

شکل (1-18) ساختار تطبیق ورودی گیت مشترک           

شکل (1-19) ساختار Inductive Source Degeneration و مدل سیگنال کوچک MOS         

شکل (1-20) طرح LNA برای استانداردهای IEEE80211a/b       

شکل (1-21) مقاومت معادل سلف      

شکل (1-22) LNA برای استانداردهای [12]CDMA/WCDMA    

شکل (1-23) تقویت کننده برای [13]DECT/BLUETOOTH          

شکل (1-24) تقویت کننده برای استانداردهای [14]DCS1800/W-CDM      

شکل (1-25) مدار برای استاندارد  80211a/b

شکل (1-26) مدار ورودی در فرکانس پایین      

شکل (1-27) مدار ورودی در فرکانس بالا        

شکل (1-28) تقویت کننده خود تطبیق دهنده برای استانداردهای 80211a/b  

شکل (1-29) قسمت حقیقی امپدانس ورودی در برابر تغییر فرکانس   

شکل (1-30) تقویت کننده Current Reuse    

شکل (1-31) اساس طراحی تقویت کننده Current Reuse           

شکل (1-32) تقویت کننده دو استانداردی برای [18]80211a/b    

شکل (1-33) نمای کلی تقویت کننده با استفاده از فیدبک ولتاژ- ولتاژ [19] 

شکل (1-34) بار پیشنهادی تغییر شکل پذیر برای LNA با فیدبک در حالت Multi-Standard     

شکل (1-35) بار پیشنهادی برای LNA با فیدبک در حالت Multi-Standard 

شکل (1-36) نمونه‌ای از مدار تقویت کننده فیدبک ولتاژ- ولتاژ [19]   

شکل (1-37) ساختار LNA باند باریک [20]  

شکل (1-38) مدل سیگنال کوچک LNA          

شکل (1-39) مدار تقویت کننده پهن باند[20]  

شکل (1-40) مدل سیگنال کوچکLNA           

شکل (1-41) ورودی مدار Inductive source degeneration   

شکل (1-42) افزایش پهنای فرکانسی در ورودی مدار[21] Inductive source deg    

شکل (1-43) امپدانس ورودی با افزودن LC موازی

شکل (1-44) جریان و بار خروجی و نحوه طراحی بار برای تنظیم بهره مدار 

شکل (1-45) مدار  LNA  برای باند فرکانسی 3 تا 10 گیگا هرتز[21]  

شکل (1-46) مدار تقویت کننده برای فرکانس 3 تا 5 گیگا هرتز[22]

شکل (1-47) مقایسه بین چند نمونه سوئیچ       

شکل (1-48) تحریک الکترواستاتیکی

شکل (1-49) اتصال اهمی یا فلز به فلز MEMS            

شکل (1-50) حالت باز اتصال خازنی MEMS  

شکل (1-51) حالت بسته اتصال خازنی MEMS

شکل (2-1) تقویت کننده امیتر مشترک[6]        

شکل (2-2) تقویت کننده کسکود[27]

شکل (2-3)تقویت کننده بیس مشترک[6]          

شکل (2-4)تقویت کننده گیت مشترک[28]        

شکل (2-5)تقویت کننده با ساختار IDCS          

شکل (3-1) ساختار LNA سورس مشترک 

شکل (3-2) ساختار LNA پیشنهادی…

شکل(3-3) ساختار هسته LNA          

شکل(3-4) نمودار تطبیق امپدانس ورودی هسته LNA      

شکل(3-5) نمودار قسمت حقیقی و موهومی امپدانس ورودی هسته LNA        

شکل(3-6) نمودار بهره هسته LNA    

شکل(3-7) نمودار ایزوالاسیون معکوس هسته LNA        

شکل(3-8) نمودار تطبیق امپدانس خروجی هسته LNA     

شکل(3-9) نمودار عدد نویز هسته LNA          

شکل(3-10) ساختار دو طبقه متوالی LNA        

شکل(3-11- الف) نمودار تطبیق امپدانس ورودی  دو طبقه متوالی   

شکل (3-11) نمودار قسمت حقیقی و موهومی دو طبقه متوالی        

شکل (3-12) نمودار بهره دو طبقه متوالی        

شکل (3-13) نمودار ایزوالاسیون معکوس دو طبقه متوالی

شکل (3-14) نمودار عدد نویز دو طبقه متوالی

شکل(3-15) مدل سیگنال کوچک شبکه تطبیق ورودی

شکل (3-16) نمودارهای قسمت حقیقی و موهومی امپدانس ورودی شبکه تطبیق           

شکل (3-17) نمودارهای تطبیق امپدانس ورودی LNA پیشنهادی     

شکل (3-18) نمودار بهره LNA پیشنهادی        

شکل (3-19) نمودار ایزوالاسیون معکوس LNA پیشنهادی 

شکل (3-20) نمودار عدد نویز LNA پیشنهادی

شکل (3-21) نمودار تطبیق امپدانس خروجیLNA پیشنهادی 

شکل (3-22) مدل کلی سلف RF MEMS 112   

شکل (3-23) مدار LNA پایان نامه با در نظر گرفتن مدل سلف 

شکل (3-24) تطبیق ورودی LNA پیشنهادی پایان نامه با در نظر گرقتن مدل کلی         

شکل (3-25) بهره  LNA پیشنهادی پایان نامه با در نظر گرقتن مدل کلی

شکل (3-26) ایزالاسیون معکوس LNA پیشنهادی پایان نامه با در نظر گرقتن مدل کلی

شکل (3-27) تطبیق خروجی LNA پیشنهادی پایان نامه با در نظر گرقتن مدل کلی        

شکل (3-28) عدد نویز LNA پیشنهادی پایان نامه با در نظر گرقتن مدل کلی   

شکل (3-28) عدد نویز LNA پیشنهادی پایان نامه با در نظر گرقتن مدل کلی   

فهرست جداول:     

جدول (1-1) مقایسه ساختارهای تطبیق امپدانس ورودی    

جدول (1-2) مشخصه های LNA طراحی شده برای 80211a/b     

جدول (1-3) مشخصه های LNA طراحی شده برای CDMA/WCDMA        

جدول (1-4) مشخصه های LNA طراحی شده برای DECT/BLUETOOTH    

جدول (1-5) حالت سوئیچ ها برای کارکرد مدار DCS1800/W-CDMA        

جدول (1-6) مشخصه های LNA طراحی شده برای DCS1800/W-CDMA   

جدول (1-7) مشخصه های LNA طراحی شده برای 80211a/b     

جدول (1-8) مشخصه های مدار خود تطبیق برای 80211a/b       

جدول (1-9) مشخصه های مدار در دو باند  24 GHzو  525GHz  

جدول (1-10) مشخصه های گیرنده 3 تا 5 گیگاهرتز [22]

جدول (2-1) مقایسه بهره و نویز ترانزیستورهای مکروویو [25]

جدول(3-1) مقادیر اجزای طبقه کسکودی LNA  

جدول(3-2) مقادیر اجزای LNA پیشنهادی پایان نامه        

جدول(3-3) مقایسه مشخصه مدار طراحی شده با دیگر طرح های ارائه شده    

منابع و مأخذ:

[1]. W. Alan Davis and Krishna Agarwal, "Radio Frequency Circuit Design", Printed in the United States of America, Press December 2001.

[2]. T.H. Lee, "The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits", 2Edition, Cambridge Press 2004.

[3]. Paul Leroux and Michiel Steyaert, "LNA-ESD CO-Design For Fully Integrated CMOS Wireless Receivers", Publish in Springer, Press 2005.

[4]. Reinhold Ludwig and Pavel Bretchko, "RF Circuit Design", Publish in Springer, Press 2000.

[5]. Yong Wang Ding and Ramesh Harjani, "High-Linearity CMOS RF Front-End Circuits", Publish in Springer, Press 2005.

[6]. Behzad Razavi, "RF Microelectronics", University of California, Press 1998.

[7]. J. Janssens and M. Steyaert,"CMOS Cellular Receiver Front-Ends" Publish in Springer, Press 2000.

[8]. Ro-Min Weng, Chun-Yu Liu and Po-Cheng Lin, "A Low-Power Full-Band Low-Noise Amplifier for Ultra-Wideband Receivers", IEEE Transactionon Microwave Theoryand Techniques, VOL. 58, NO. 8, August 2010.

[9]. Richard Chi-Hsi Li, "RF Circuit Design", Published by John Wiley & Sons, Inc., Hoboken, New Jersey, Press 2009.

[10]. Duran Leblebici and Yusuf Leblebici," Fundamentals of High-Frequency CMOS Analog Integrated Circuits,"Cambridge University Press 2009.

[11].T. K. K. Tsang and M. N. El-Gamal, "Dual-band sub-1 V CMOS LNA for 802.11a/b WLAN applications," in Proc. IEEE Integrated Circuits , vol. 1, pp. 217- 220, Press 2003.

[12]. Sang-Sun Yoo and Hyung-Joun Yoo, "A Compact Dualband LNA Using Self-matched Capacitor", Radio-Freq. Integration Technology, pp. 227-230, Press 2007.

[13]. V. Vidojkovic et al, "Fully‐Integrated DECT/Bluetooth Multi‐Band LNA in 0.18μm CMOS," in Proc. of IEEEISCAS, pp.565‐568, Press 2004.

[14]. Hyejeong Song, Huijung Kim, Kichon Han, Jinsung Choi, Changjoon Park, and Bumman Kim, " A Sub-2 db NF Dua-Band CMOS LNA for CDMA/WCDMA Applications " IEEE Transactionon Microwave Theoryand Techniques, vol. 18, no. 3, pp. 212-214, Press Mar. 2008.

[15]. Eun-Hee Kim, Yong-Seok Hwang, and Hyung-Joun Yoo, "A 2.4/5.25 GHz CMOS Dual-band Low Noise Amplifier with Filtering Characteristics," IEEE Transactionon Microwave Theoryand Techniques, vol. 20, no. 4, pp. 214-245, Press 2007.

[16]. C. P. Moreira, E. Kerherve and P. Jarry, "A Reconfigurable DCS1800/W-CDMA LNA: Design and Implementation Issues," Proceedings of the 9th European Conference on Wireless Technology, pp. 357-360, Press 2006.

[17]. Ben Amor, M. Fakhfakh, A. Mnif and H. Loulou, "Dual Band CMOS LNA Design With Current Reuse Topology" Design and Test of Integrated Systems in Nanoscale Technology, DTIS 2006, pp. 57-61, Press 2006.

 [18]. L.-H. Lu and Y.S Wang, "A compact 2.4/5.2 GHz CMOS dual-band low-noise amplifier," IEEE Transactionon Microwave Theoryand Techniques, vol. 15, no. 10, pp. 685–687, Press Oct. 2005.

[19]. Paolo Rossi, "RF Building Blocks for Universal Mobile Terminals," Doctoral thesis, Advisor: Prof. Francesco svelto, University of Pavia, Press 2003-2004.

[20]. Chang-Wan Kim, Min-Suk Kang, Phan Tuan Anh, Hoon-Tae Kim, and Sang-Gug Lee, "An Ultra-Wideband CMOS Low Noise Amplifier for 3–5-GHz UWB System," IEEE Journal of Solid State Circuits, VOL. 40, NO.2, Press February 2005.

[21]. Aly Ismail and Asad A. Abidi, "A 3–10-GHz Low-Noise Amplifier With Wideband LC-Ladder Matching Network" , IEEE Journal of Solid State Circuits, VOL. 39, NO. 12, pp. 2269-2277. Press2004.

[22]. A. Bevilacqu , C. Sandner , A. Gerosa and A. Neviani , "A fully integrated differential CMOS LNA for 3–5-GHz ultrawideband wireless receivers" , IEEE Microwave and Wireless Components Letters, VOL. 16, NO. 3, pp. 134-136, press March 2006.

[23]. Bal.S Virdee, Avtar S Virdee, Ben Y Benyamin, " Broadband Microwave Amplifiers", Artech House Inc, Boston London, press 2004.

[24]. Kevin W. Kobayashi, Dwight C. Streit, Aaron K. Oki," A Novel Monolithic HEMT LNA Integrating HBT-Tunable Active Feedback Linearization by Selective MBE", IEEE Transactionon Microwave Theoryand Techniques, VOL.44, NO.12, Press December 1996.

[25]. David M. Pozar, "Microwave and RF Design of Wireless systems", press 2001.

[26]. Chenming Hu," BSIM3 MOSFET Model Accuracy for RF Circuit Simulation,"  University of California, Press 1998.

[27]. John Rogers Calvin Plett, "Radio Frequency Integrated Circuit Design", Artech House Boston   London, Press 2003.

[28]. W. Zhuo, X. Li, S. Shekhar, S. H. K. Embabi, J. Pineda de Gyvez, D. J. Allstot, and E.Sanchez-Sinencio, "A Capacitor Cross-Coupled Common-Gate Low-Noise Amplifier," IEEE Transactions on Circuits and Systems,VOL. 52, NO.12, Press December 2005.

[29]. J P Silver," MOS. Differential LNA Design Tutorial", Press Dec. 2011.

[30]. Ro-Min Weng, Chun-Yu Liu and Po-Cheng Lin, "A Low-Power Full-Band Low-Noise Amplifier for Ultra-Wideband Receivers", IEEE Transactions on Microwave Theory and, VOL. 58, NO.8, Press August 2010.

[31]. Chih-Aan Liao, Shen-Iuan Liu, "A Broadband Noise Cancelling CMOS LNA for 3.1-10.6 Ghz UWB Receivers", IEEE Journal Of Solid State Circuites, VOL. 42, NO. 2, pp. 329-338, Press February 2007.

[32].Vu Kien Dao, Quang Diep Bui and Chul Soon Park , "A Multi-band 900MHz/1.8GHz/5.2GHz LNA for Reconfigurable Radio", IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium, Press July 2007.

[33]. H. J. De Los Santos,"Introduction to Microelectromechanical (MEM) Microwave Systems", Artech House, Boston - London, Press 1999.

[34].G. M. Rebeiz  and  J. B. Muldavin, "RF MEMS Switches and Switch Circuits", IEEE         Microwave Magazine, Vol. 2, No. 4, pp. 59-71, Press  December 2001.

[35]. D. Peroulis, S. P. Pacheco, K. Sarabandi  and  L. P.B. Katehi, "Electromechanical              Considerations in Developing Low- Voltage RF MEMS Switches", IEEE Trans. on MTT, Vol. 51, No. 1, pp. 259-270,  Press January 2003

 [36]. R. Malmqvist and C. Samuelsson," Switched LNAs Using GaAs Based RF MEMS Switches", Conference Publication, vol.01, pp. 283 – 286, Press  Oct. 2010.

 [37]. Hiroshi Okazaki and Kunihiro Kawai, "Reconfigurable Amplifier TowardsEnhanced Selectivityof Future Multi-band Mobile Terminals," Conference Publications, pp. 1 – 4, Press Feb. 2010.

 [38]. R. Malmqvist and C. Samuelsson, "RF MEMS and MMIC basedReconfigurable Matching Networks for Adaptive Multi-Band RF Front-Ends," Conference Publications, pp.1 – 4, Press Feb. 2010

[39]. Yorgos K. Koutsoyannopoulos," Systematic Analysis and Modeling of Integrated Inductors and Transformers in RF IC Design," IEEE Transation on Circuits and Systems, VOL. 47, NO.8, Press August 2000.

شبیه سازی مبدل کیوک (Cuk) با استفاده از نرم افزار MATLAB و PSCAD

اختصاصی از فی گوو شبیه سازی مبدل کیوک (Cuk) با استفاده از نرم افزار MATLAB و PSCAD دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

شبیه سازی مبدل کیوک (Cuk) با استفاده از نرم افزار MATLAB و PSCAD

شامل فایل شبیه سازی در هر دو نرم افزار سیمولینک matlab و pascad به همراه گزارش کار در قالب word

شبیه سازی اول:

این شبیه سازی در محیط نرم افزار MATLAB انجام پذیرفته است. ساختار کلی مبدل کیوک شبیه سازی شده در شکل (1) مشاهده میشود.

شماتیک مدار ترسیم شده در محیط سیمولینک: 

بهبود چیدمان خط تولید کارخانه شرق جامه با استفاده از شبیه سازی سیستمهای صف

اختصاصی از فی گوو بهبود چیدمان خط تولید کارخانه شرق جامه با استفاده از شبیه سازی سیستمهای صف دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

چکیده :

این تحقیق در یک کارخانه نساجی واقع در شهرک صنعتی یزد صورت پذیرفت . هدف از انجام این تحقیق کاهش هزینه‌ها ، افزایش میزان تولید ،‌کاهش زمان بیکاری اپراتورها و ماشینها و همچنین کم کردن موجودیهای میان فرآیند تولید بود . برای رسیدن به این اهداف از شبیه سازی استفاده گردید . مراحل انجام تحقیق به صورت خلاصه به این صورت می‌باشد . ابتدا چیدمان موجود در کارخانه شناسایی شد ، درمرحله بعد زمانسجی برای دستگاهها و اپراتورها صورت گرفت . با نرم افزار ، شبیه سازی مربوط به خط تولید انجام پذیرفت . با استفاده از آزمون مقایسه میانگینها اعتبار مدل تایید گردید و سپس مدل اجراء و نتایج شبیه سازی ثبت گردید .

چهار شاخص برای مدل تعیین گردید :

1- هزینه 2- تعداد تولید 3- ضریب بهره‌وری 4- متوسط زمان انتظار .

برای مدل ابتدایی این 4 شاخص معین شدند . سپس اصلاحات لازم بر روی مدل انجام گرفت و نتایج ثبت گردید. 9 بار این عمل تکرار شد . سپس این 9 مدل با استفاده از روش تاپسیس و با اوزانی که خبرگان به هر شاخص داده بودند رده‌بندی شدند .

مقدمه :

« همه ما ناراحتی انتظار کشیدن در صف را تجربه کرده ایم. متأسفانه این پدیده با افزایش تراکم جمعیت و شهری شدن روز افزون جامعه بیش از پیش گسترش می‌یابد. در تراکم ترافیک و یا برای پرداخت عوارض راه، در اتومبیلمان به انتظار می‌نشینیم. در فروشگاههای بزرگ برای پرداخت بهای اقلامی که انتخاب کرده ایم در صف به انتظار می‌ایستیم. در آرایشگاهها، در سالنهای زیبایی در صف به انتظار می مانیم. در اداره پست به صف می ایستیم و قس علی هذا. ما به عنوان متقاضی عموماً این گونه انتظار کشیدن را دوست نداریم. مدیران مؤسساتی که ما در صفهای آنان نوبت گرفته‌ایم نیز انتظار کشیدن ما را دوست ندارند، زیرا ممکن است این صفها برای آنان هزینه‌هایی داشته باشد. پس چرا باید انتظار کشید؟ پاسخ این سؤال نسبتاً ساده است. زیرا درخواست سرویس، بیش از امکانات سرویس دهی است. چرا چنین است؟ ممکن است دلایل زیادی موجود باشد. مثلاً ممکن است سرویس دهندگان موجود کم باشند. ممکن است فراهم کردن سطحی از سرویس تا حد جلوگیری از تشکیل صف انتظار، از نظر اقتصادی غیر عملی باشد و یا ممکن است فضای لازم برای سرویسی که می توان ارائه داد محدود باشد. معمولاً این محدودیتها را می توان با صرف هزینه از میان برداشت. برای دانستن اندازه سرویسی که باید موجود باشد احتیاج به دانستن پاسخ سؤالهایی نظیر سؤالهای زیر است.

«چه مدت متقاضی باید انتظار بکشد؟» و یا «چند متقاضی در صف خواهند بود؟» نظریه صف سعی دارد که به این قبیل سؤالها بر اساس تحلیل ریاضی مبسوط پاسخ دهد. یک سیستم صف‌بندی را می توان چنین توصیف کرد که متقاضیان برای اخذ سرویس مراجعه      می کنند، اگر ارائه سرویس بلافاصله مقدور نباشد منتظر می‌مانند و بعد از اخذ سرویس سیستم را ترک می‌کنند.»(شاهکار ، 1372، 8-7)

در این قسمت به ارائه دلایلی برای استفاده از شبیه سازی به عنوان ابزاری جهت تجزیه و تحلیل سیستم های صف می پردازیم. اولین سؤالی که به نظر می رسد این است که چرا می‌بایست سیستم های صف را شبیه سازی کرد؟ در جواب باید گفت که معمولاً اگر بتوان سیستمی را مدلسازی ریاضی نمود آنرا شبیه سازی نمی‌کنند. هنگامیکه سیستم مورد نظر پیچیده بود و شامل عناصر متقابل الاثر زیادی باشد، تجزیه و تحلیل ریاضی سیستم ممکن است خارج از تواناییهای تحلیلگر باشد، اما از آنجائیکه شبیه سازی معمولاً توانایی تجزیه و تحلیل هر سیستمی را دارد پیچیدگی سیستم مسئله لاینحلی نخواهد بود. بنابراین مهمترین فایده شبیه سازی این است که از مدلهای شبیه سازی می‌توان برای تنوع وسیعی از مسائل از جمله سیستمهای پیچیده ای که مدلسازی ریاضی آنها مناسب نباشد استفاده نمود.

دومین نکته مهم آن است که معمولاً ساخت یک مدل شبیه سازی احتیاج به تجربه کمتری در ریاضیات و تئوری احتمالات در مقایسه با میزان مورد نیاز برای تحلیل مشابهی از طریق مدلسازی ریاضی دارد. لذا آسانی استفاده از شبیه سازی را می‌توان جزء نکات مثبت آن به شمار آورد که همین آسانی استفاده بعضی مواقع می‌تواند زیان آور باشد، مثلاً بعضی از تحلیلگران حتی در جایی که تکنیکهای ریاضی به آسانی قابل استفاده هستند، استفاده از شبیه‌سازی را ترجیح می‌دهند.
(ایروانی، 1372، 446- 445)

فهرست مطالب :
عنوان صفحه
فصل اول : کلیات طرح
مقدمه
1-1 بیان مسئله تحقیق
1-2 اهداف تحقیق 
1-3 اهمیت موضوع تحقیق و انگیزش انتخاب آن
1-4 فرضیه تحقیق 
1-5 مدل تحقیق 
1-6 واژه‌های کلیدی و تعاریف عملیاتی متغیرها 
1-7 روش تحقیق 
1-8 قلمرو تحقیق 
1-9 جمع آوری اطلاعات 
1-10 محدودیتها و مشکلات تحقیق 
1-11 مراحل انجام تحقیق 
فصل دوم : مطالعات نظری 
2-1-1 برنامه ریزی تولید 
2-1-2 تعادل خط تولید 
2-1-3 اطلاعاتی که برای تعادل خط تولید نیاز است 
2-1-4 ذخیره موجودیهای میان فرآیند 
2-1-5 تعادل خط تولید (‌مونتاژ) 
2-1-6 تعیین تعداد بهینه ایستگاه‌های کاری 
2-1-7 تقدم و تأخر عملیات 
2-2-1 تئوری صف 
2-2- 2 تاریخچه 
2-2-3 برخی از کابردهای گوناگون تئوری صف 
2-2-4 مشخصه‌های فرآیند صف بندی 
2-2-4- 1 الگوی ورود متقاضیان 
2-2-4-2 الگوی خدمت دهی 
2-2-4-3 تعداد خدمت دهندگان (‌کانالهای خدمت ) 
2-2-4-4 ظرفیت صف ( گنجایش سیستم ) 
2-2-4-5 جمعیت مشتریان بالقوه 
2-2-4-6 نظم سیستم 
2-2-4-7 مراحل خدمت 
2-2-5 نحوه نمایش یک سیستم صف 
2-2-6 معیارهای ارزیابی یک سیستم صف 
2-2-7 فرایند تولد و مرگ 
2-2-7-1 مدل M/M/1 
2-2-7-2 مدل M/M/C 
2-2-7-3 مدل M/M/C/K 
2-2-7-4 مدل M/M/C/C 
2-2-7-5 مدل 
2-2-7-6 مدل M/M/C/K/M 
2-2-8 مدلهای مارکوفی صف 
2-2-8-1 مدل باورود گروهی M(x)/M/1 
2-2-8-2 مدل با خدمت دهی گروهی 
2-2-8-3 مدلهای ارلنگ 
2-2-8-3-1 مدلهای M/EK/1 
2-2-8-3-2 مدل EK/M1 
2-2-8-4 مدل M/HE2/1 
2-2-8-5 نظام اولویت 
2-2-9-1 شبکه‌های صف 
2-2-9-2 شبکه‌های جکسون 
2-2-9-2-1 شبکه‌ صفهای سیکلی 
2-2-9-2-2 سیستمهای سری صف 
2-2-9-2-3 شبکه‌های باز جکسون 
2-3 مدلهای آماری سودمند 
2-3-1 توزیع برنولی 
2-3-2 توزیع دو جمله‌ای 
2-3-3 توزیع دو جمله‌ای منفی 
2-3-4 توزیع هندسی 
2-3-5 توزیع چند جمله‌ای 
2-3-6 توزیع پواسون 
2-3-7 توزیع یکنواخت 
2-3-8 توزیع نمایی 
2-3-9 توزیع نرمال 
2-3-10 توزیع گاما 
2-3-11 توزیع بتا 
2-3-12 توزیع لاجستیک 
2-3-13 توزیع مثلثی 
2-3-14 توزیع ارلنگ 
2-3-15 توزیع ویبل
2-4 آزمونهای برازندگی 
2-4-1 آزمون مربع کای 
2-4-2 آزمون برازندگی کولموگروف – اسمیرنف 
2-5 تصمیم گیریهای چند معیاره 
2-5-1 روش تاپسیس 
2-6-1 تاریخچه شبیه سازی 
2-6-2 مقدمه‌ای بر شبیه سازی 
2-6-3 مزایا و معایب شبیه سازی 
2-6-4 زمینه کاربرد 
2-6-5 سیستمها و پیرامون سیستم 
2-6-6 اجزای سیستم 
2-6-7 سیستمهای گسسته و پیوسته 
2-6-8 مدل سیستم 
2-6-9 هنر مدلسازی 
2-6-10 انواع مدلها 
2-6-11 شبیه سازی سیستمهای گسسته – پیشامد 
2-6-12 جاذبه‌های شبیه سازی به عنوان ابزار تجزیه و تحلیل مسئله 
2-6-13 گامهای اساسی در بررسی مبتنی بر شبیه سازی 
2-6-14 نقل قولهای مشهور شبیه سازی 
2-7 تاریخچه شرکت شرق جامه 
2-8 پیشینه تحقیق 
2-8-1 تخمین ماکزیمم طول صف با استفاده از شبیه سازی 
2-8-2 مدلسازی و شبیه سازی فرآیند تولید کارخانه روغن نبانی گلناز کرمان 
2-8-3 مدیریت صف در درمانگاه با استفاده از شبیه سازی 
2-8-4 استفاده از شبیه سازی در رستوران 
2-8-5 استفاده از الگوریتم ژنتیک برای حل مشکلات چیدمان تجهیزات 
فصل سوم : مدل سازی تحقیق 
3-1 معرفی کارخانه 
3-1-1 واحد برش 
3-1-2 واحد دوخت 
3-1-3 واحد شست 
3-2 نمونه‌گیری و توزیعهای نمونه‌گیری 
3-2-1تعیین اندازه نمونه 
3-2-2 تعیین توزیع حاکم بر هر یک از دستگاهها 
3-3 ایجاد ، آزمایش و تعیین اعتبار مدل 
3-3-1 تعیین اعتبار مدل و تطبیق با سیستم واقعی 
3-3-2 تعیین اعتبار تبدیلهای ورودی به خروجی مدل 
فصل چهارم : تجزیه و تحلیل یافته‌های تحقیق 
4-1 بررسی واحد برش 
4-1-2-1 تعیین چیدمان موجود در واحد دوخت 
4-1-2-2 آشنایی مختصر با ماشین آلات واحد دوزندگی 
4-1-3 بررسی فرآیند تولید در واحد شست 
4-2-1 شبیه سازی خط تولید 
4-2-2 عناصرمورد استفاده در مدل 
4-2-3 زمان سنجی 
4-2-4واحد بازرسی 
4-2-5 شرایط شروع شبیه سازی 
4-2-6 تعیین اعتبار مدل 
فصل پنجم : نتیجه گیری و پیشنهادات 
5-1 انجام آزمایشها و ثبت نتایج 
5-2 انتخاب شاخصها 
5-2-1 شاخص هزینه 
5-2-2 شاخص تعداد تولید 
5-2-3 شاخص ضریب بهره‌وری 
5-2-4 شاخص متوسط زمان انتظار 
5-3 بررسی نتایج مدل واقعی و مدلهای اصلاحی بعدی 
5-3-1 مدل شماره 1( مدل واقعی ) 
5-3-2 مدل شماره 2 
5-3-3 مدل شماره 3 
5-3-4 مدل شماره 4 
5-3-5 مدل شماره 5 
5-3-6 مدل شماره 6 
5-3-7 مدل شماره 7 
5-3-8 مدل شماره 8 
5-3-9 مدل شماره 9 
5-4 تجزیه و تحلیل نتایج 
5-5 پیشنهادات 
5-6 تحقیقات آتی 
پیوست 
منابع فارسی 
منابع لاتین

آموزش کار با نرم افزار DOSBOX جهت شبیه سازی DOS تحت ویندوز

اختصاصی از فی گوو آموزش کار با نرم افزار DOSBOX جهت شبیه سازی DOS تحت ویندوز دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

آموزش کار با نرم افزار DOSBOX جهت شبیه سازی DOS تحت ویندوز

نرم افزارهایی زیادی رو که تحت ویندوز اجرا نمی شن و نیاز به محیط DOS دارن  می شه از این روش اجرا تحت DOSBOX آمادشون کنید.اموزش همراه با نرم افزار در این پکیج موجود میباشد