فی گوو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

فی گوو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

تحقیق درباره تست ذرات مغناطیسی، مایعات نافذ ، التراسونیک

اختصاصی از فی گوو تحقیق درباره تست ذرات مغناطیسی، مایعات نافذ ، التراسونیک دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق درباره تست ذرات مغناطیسی، مایعات نافذ ، التراسونیک


تحقیق درباره تست ذرات مغناطیسی، مایعات نافذ ، التراسونیک

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

 

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 

تعداد صفحه:6

فهرست و توضیحات:

تست ذرات مغناطیسی، مایعات نافذ ، التراسونیک

تست ذرات مغناطیسی (MT):

مغناطیس کردن به وسیله کابل


استفاده از روش پراد (Use of prode method):
پراد وسیله ای است که با استفاده از عبور جریان از میله های مسی موجب ایجاد یک میدان مغناطیسی موضعی می شود . ( (Local magnetize
بطور کلی با روش پراد بیشترین قدرت آشکارسازی برای عیوب موازی خط جوش وجود دارد.
روش یوک (Yoke):
یوک قطعه ای است فلزی و U شکل با یک سیم پیچ پیچیده شده دور آن که جریان را از خود عبور می دهد. هنگامی که کویل حامل جریان شود در امتداد قطعه یوک ، یک میدان مغناطیسی طولی در قطعه تست ایجاد می شود. در میدان مغناطیسی ایجاد شده توسط یوک میدان مغناطیسی خارجی می تواند ذرات آهن را به شدت جذب کند و جهت بررسی عیوب سطحی به کار می رود. اگر ذرات آهن در میدان میان دو قطب یوک اعمال شود. علائم عیوب سطحی را به آسانی می توان مشاهده نمود.
جریان متناوب یکی از مناسبترین جریانهای الکتریکی است که موارد مصرف روزمره دارد به همین دلیل از آن استفاده زیادی به منظور منبعی برای تست ذرات مغناطیسی می باشد
.


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق درباره تست ذرات مغناطیسی، مایعات نافذ ، التراسونیک

بررسی اثرسمیت سلولی نانو ذرات هدفمند کیتوزان رتینوئیک اسید آلبومین حاوی دوکسوروبیسین بر روی رده سلولی HepG2

اختصاصی از فی گوو بررسی اثرسمیت سلولی نانو ذرات هدفمند کیتوزان رتینوئیک اسید آلبومین حاوی دوکسوروبیسین بر روی رده سلولی HepG2 دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

 بررسی اثرسمیت سلولی نانو ذرات هدفمند کیتوزان رتینوئیک اسید آلبومین حاوی دوکسوروبیسین بر روی رده سلولی HepG2


 بررسی اثرسمیت سلولی نانو ذرات هدفمند کیتوزان رتینوئیک اسید آلبومین حاوی دوکسوروبیسین بر روی رده سلولی HepG2

فرمت فایل : word (قابل ویرایش) تعداد صفحات : 23 صفحه

 

 

 

 

 

 

 

مقدمه:

آنتراسیکلینها در درمان سرطانهای مختلف از جمله هپاتوسلولارکارسینوما کاربرد دارند اما استفاده از آنها با عوارض متعددی مانند سمیت قلبی همراه است. بکارگیری یک سیستم دارورسانی در سایز نانو که دوکسوروبیسین را توسط گیرنده های رتینوئیک اسید برای هپاتوسلولارکارسینوما هدفمند نماید می تواند این عوارض را کاهش دهد.

روش‌ها:

کونژوگه کیتوزان/رتینوئیک اسید به روش آمیداسیون تهیه شد.نانوذرات کیتوزان/رتینوئیک اسید/آلبومین به روش کواسرویشن تهیه گردید. نانوذرات بهینه سازی شده بر اساس اندازه ذره ای، پتانسیل زتا، اندکس پلی دیسپرسیتی وکارایی بارگیری و رهش دوکسوروبیسین از نانوذرات جهت مطالعه سمیت بر روی سلولی رده HepG2 با روش MTT و میزان برداشت در این سلولها با کمک میکروسکوپ فلورسانس انتخاب شد.

یافته‌ها:نانوذرات بهینه با اندازه ذره ایnm۵۰±۲۸۶،پتانسیل زتایmv6/3±5/30،اندکس پلی دیسپرسیتی 06/۰±5/0،کارایی بارگیری5/13±6/43% و رهش یک ساعته دارو به میزان 17/56 % در غلظتmlmg/25/0 دارای سمیت سلولی حدود دو و سه برابر ذرات غیرهدفمند و داروی آزاد بودند و میزان برداشت سلولی آنها نیز بیشتر بود.

نتیجه گیری:

 نانوذرات هدفمند کیتوزان-رتینوئیک اسید-آلبومین حاوی دوکسوروبیسین اثربخشی بیشتر و اختصاصی تری علیه سلولهای سرطانی HepG2 نسبت به داروی آزاد از خود نشان می دهند.

 


دانلود با لینک مستقیم


بررسی اثرسمیت سلولی نانو ذرات هدفمند کیتوزان رتینوئیک اسید آلبومین حاوی دوکسوروبیسین بر روی رده سلولی HepG2

پایان نامه ی ساخت نانو ذرات فریت نیکل روی به روش همرسوبی. doc

اختصاصی از فی گوو پایان نامه ی ساخت نانو ذرات فریت نیکل روی به روش همرسوبی. doc دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پایان نامه ی ساخت نانو ذرات فریت نیکل روی به روش همرسوبی. doc


پایان نامه ی ساخت نانو ذرات فریت نیکل روی به روش همرسوبی. doc

 

 

 

 

 

 

 

نوع فایل: word

قابل ویرایش 85 صفحه

 

چکیده:

هدف از این پایان نامه ساخت نانو ذرات فریت نیکل- روی به روش همرسوبی می باشد. روش همرسوبی روشی مناسب و با صرفه و به نسبتاً سریع برای تولید نانوذراتی مانند فریت نیکل- روی می باشد. برای ساخت این نانو ذرات از روش همرسوبی شیمیایی استفاده شد.

ماده بدست آمده را در دمای حدود 600 درجه سانتیگراد به مدت2 ساعت حرارت داده شده و برای نمونه های بدست آمده براساس تغییر نسبت مولی و سرعت چرخش دستگاه همزن و مدت حرارت دهی‘ توسط پراش اشعهX ‘ تصاویر SEM و TEMمقایسه گردید. اندازه نانوذرات حدود 14 نانومتر قبل از حرارت دهی و 10 نانومتر بعد از حرارت دهی برآورد شدند. کوچکترین اندازه در نسبت مولی یک به یک و دمای 600 درجه سانتیگراد و سرعت چرخش همزن به میزان 5000 دور در دقیقه بدست آمده است.

 

مقدمه:

یک نانومتر یک میلیاردم متر (m 9-10) است. این مقدار حدوداً چهار برابر قطر یک اتم هیدروژن است. مکعبی با ابعاد5/2 نانومتر ممکن است حدود 1000 اتم را شامل شود. کوچکترین مدار های تجمعی امروزی با ابعادی در حدود 250 نانومتر در هر لایه به ارتفاع یک اتم ، حدود یک میلیون اتم را در بردارند. در مقایسه یک جسم نانومتری با اندازه‌ای حدود 10 نانومتر، هزار برابرکوچکتر از قطر یک موی انسان است و قطر هر گلبول قرمز خون nm7000 و قطر هر مولکول آب برابر با nm3/0 است [1].

اهمیت مقیاس نانو در این است که در این مقیاس، مواد خواص کاملاً متفاوتی از خود نشان      می دهند. دو دلیل عمده برای متمایز شدن خواص مواد در مقیاس نانو وجود دارد، اول افزایش قابل توجه سطح واحد جرم مواد است این ویژگی باعث بهبود استحکام، خواص الکتریکی و افزایش واکنش پذیری مواد می گردد. برخی مواد در مقیاس نانو واکنش پذیر هستند در حالیکه در مقیاس بزرگتر جزو مواد خنثی محسوب می شوند. دلیل دوم آشکار شدن تاثیرات کوانتومی در این مقیاس است، که باعث تغییر در خواص الکتریکی، اپتیکال و مغناطیسی مواد می شود. مواد می توانند یک بعد (پوششها و لایه ها)، دو بعد (نانو سیم ها و نانو تیوبها) و یا سه بعد (نانو ذرات) در مقیاس نانو داشته باشند.

خواص موجی شکل (مکانیک کوانتومی) الکترونهای داخل ماده و اثر متقابل اتمها با یکدیگر از جابجایی مواد در مقیاس نانومتر اثر می‌پذیرند. با تولید ساختارهایی در مقیاس نانومتر، امکان کنترل خواص ذاتی مواد ازجمله دمای ذوب، خواص مغناطیسی، ظرفیت بار و حتی رنگ مواد بدون تغییر در ترکیب شیمیایی بوجود می‌آید. استفاده از این پتانسیل به محصولات و تکنولوژیهای جدیدی با کارآیی بالا منتهی می‌شود که پیش از این میسر نبود. نظام سیستماتیک ماده در مقیاس نانومتری، کلیدی برای سیستمهای بیولوژیکی است [2].

 

فهرست مطالب:

فصل اول: فن آوری نانو

1-1 مقدمه

1-2 تعریف نانو تکنولوژی

1-3 نانو مواد8

1-3-1 خواص نانو مواد

1-3-2 دسته بندی نانومواد

1-4 زیرساختارها درنانو تکنولوژی

1-5 مواد نانو بلوری

1-6 نانوذرات

1-7 نانو کامپوزیت ها

1-8 نانو کپسول ها

1-9 مواد نانو حفره ای

1-10 نانو الیاف

1-11 نانو سیم ها

1-12 فولرین ها

1-13 نانو لوله های کربنی

فصل دوم: فریت ها

2-1 مقدمه

2-1-1 تاریخچه

2-1-2 خواص وکاربردها

2-2 سرامیکهای مغناطیسی چیستندوچه کاربردهایی دارند

2-3 ساختار اسپینلی

2-4 ساختار اسپینلی معکوس

2-5 چند نکته در مورد فریتها

فصل سوم: روش های ساخت فریت ها و دستگاه های اندازه گیری

3-1 روش تهیه نانو ذرات

3-1-1 روش فیزیکی

3-1-2 روش فیزیکی- شیمیایی

3-1-3 روش شیمیایی

3-1-3-1 همرسوبی شیمیایی

3-1-3-2 روش هیدروترمال

3-1-3-3 روش سل-ژل

3-1-3-4 روش مایسل معکوس

3-2 وسایل اندازه گیری نانو ذرات بکارگرفته شده دراین پایان نامه و شناسای آنها

3-2-1 میکروسکوپ الکترون روبشی(SEM)

3-2-2 میکروسکوپ الکترون عبوری (TEM)

3-2-3 دستگاه پراش اشعه ایکس(XRD)

فصل چهارم ساخت نانو ذرات فریتNi-Znبه روش هم رسوبی

4-1 مقدمه

4-2 ساخت نمونه هایی از نانو ذرات فریت Ni-Zn به روش هم رسوبی

4-2-1 تهیه نمونه (1)

4-2-2 تهیه نمونه (2)

4-2-3 تهیه نمونه (3)

4-2-4 تهیه نمونه (4)

4-2-5 تهیه نمونه (5)

4-3 ساخت نانو ذرات فریت Zn به روش همرسوبی

4-4 بیان مشکلات

4-5 پیشنهادات

4-6 نتیجه گیری

 

فهرست جداول:

فصل اول:فن آوری نانو

شکل(1-1)

شکل(1-2)

شکل(1-3) تصویر شماتیکی نانوخوشه

شکل(1-4) تصویر شماتیکی نانو سیم

شکل(1-5) تصویر شماتیکی نانو لوله

فصل دوم: فریت ها

شکل(2-1) نمونه ای از فریت های تجاری

شکل(2-2) فریت های نرم تجاری

شکل(2-3)ساختار اسپینلی

فصل سوم: روش های ساخت فریت ها و دستگاه های اندازه گیری

شکل(3-1) تصویر الکترونیکی روبشی سطح یک فلز

شکل(3-2) نمودار شماتیکی اجزائ الکترونی روبشی

فصل چهارم ساخت نانو ذرات فریتNi-Znبه روش هم رسوبی

شکل (4-1) تصویری از دستگاه هموژونایزر و راکتور وسیرکولاتور

شکل (4-2) الگوی پراش نمونه(1)

شکل (4-3) تصویری از دستگاهی با موتور کولر و راکتور و سیرکولاتور

شکل (4-4) الگوی پراش نمونه(2) قبل از حرارت دهی

شکل (4-5) الگوی پراش نمونه(2)بعد از حرارت دهی

شکل (4-6) مقایسه پیک های نمونه(2) قبل و بعد از حرارت دهی

شکل (4-7) تصویری از دستگاهی باهمزن مغناطیسی و راکتور

شکل (4-8)الگوی پراش نمونه (3 ) قبل از حرارت دهی

شکل (4-9)الگوی پراش نمونه (3) بعد از حرارت دهی

شکل (4- 10) مقایسه پیک های نمونه(3) قبل و بعداز حرارت دهی59

شکل (4-11) الگوی پراش نمونه(4) قبل از حرارت دهی

شکل (4-12) الگوی پراش نمونه (4) بعد از حرارت دهی

شکل (4-13)SEM  نمونه (4) قبل از حرارت دهی

شکل (4-14) SEM نمونه (4) قبل از حرارت دهی

شکل) 4-15)SEM  نمونه (4) بعد از حرارت دهی

شکل(4-16)  SEMنمونه (4) بعد از حرارت دهی

شکل(4-17TEM ( نمونه (4) بعد از حرارت دهی

شکل(4-18) TEM نمونه (4) بعد از حرارت دهی

شکل (4-19) الگوی پراش نمونه(5) قبل از حرارت دهی

شکل (4-20) الگوی پراش نمونه (5) بعد از حرارت دهی

شکل (4-21)SEM نمونه(5) قبل از حرارت دهی

شکل (4-22) SEM نمونه(5) قبل از حرارت دهی

شکل (4-23) SEM نمونه(5) بعد از حرارت دهی

شکل(4-24) SEM نمونه(5) بعد از حرارت دهی

شکل(4-25)الگوی پراش فریت روی

 

فهرست جدول:

جدول(1-1)

 جدول (4-1)

جدول (4-2)

جدول (4-3)

 

منابع و مأخذ:

[1]. www.nanoarticle.com

[2]. http://danesh.mygiti.com/content/view/54/6/

[3]. www.nano.org

[4]. فتح الله کریم زاده، احسان قاسمعلی، سامان سالمی زاده، "نانومواد؛ خواص، تولید و کاربرد"، جهاد دانشگاهی واحد صنعتی اصفهان، 1384

[5]. Brock, J.R, in. nanostructured materials: science& technology, pub. By Kluwer Acad, ISBN, 0-7923-5071-5, 1997

[6]. Michael Kohler & Wolfgang Fritzsche," Nanotechnology (An Introduction to Nanostructuring techniques), Wiley-VHC, ISBN: 978-3-527-30750-0, 2004

[7].http://www.crnano.org/whatis.htm

[8]. Brian S. Mitchell, An Introduction to Materials  Engineering  and  Science,, John Wiley & Sons, Inc., New Jersey, 2004

[9]. Somiya, Sh., Advanced Technical Ceramics, Academic press, 1989 chapter 11,12

[10].A. H. Morrish, " The physical principles of magnetism" , Newyork: wiley p.502 (1965)

[11]. http://fa.wikipedia.org

[12]. T. Sato," Formation and Magnetic properties of Ultrafine spinel ferrite" , IEEE Transutions on magneties, 6 (1970) 765-799

[13]. www.matter.org.uk

[14]. ام. ویلسون، نانو تکنولوژی علم پایه وتکنولوژی نو ظهور، ترجمه جعفر وطن خواه دولت سرا، نشر طراح، تهران 1383 

[15]. V. J. Mohanraj, Y. chon, Nanoparticles-A Review, Tropical Journal of Pharmaceutical Research, 5(1)(2006) 561-573

[16]. R. Massart, IEEE Trans, Magn. 17, 1247(1981)

[17 ]. یون پ. اوریلی، نظریه کوانتومی جامدات، ترجمه سید اکبر جعفری، مرکز نشر دانشگاه صنعتی اصفهان، پاییز 1384 

[18]. R. W. Kelsall, I. W. Hamley, M. Geoghegan,  Nanoscale scince and Technology, John Wiley & Sons, (2005)

[19].C. T. Seip, E. E. Carpenter, C. G. Magnetic Properties of a Seiries of ferrite

 Nanoparticles Synthesized in Reverse Micclles; IEEE Trans On Maneties, Vol.34, No 4, (1998) 1111-1113

[20]. B. Fultz and J.M. Howe, Transmission Electron Microscopy and Electron Diffraction of Materials Springer, 2001

[21]. B. L. Cushing, V. L. Kolesnichenho, and C. J. O'Connor, " Recent Advances in the liquid- phase syntheses of Inorganic Nanoparticles" , chem.Rev. , 104 ( 2004 ) 3893-3946

[22]. G. A. Ewijk, " phase behavior of mixtures of magnetic colloidsand nonadsorbing polymer", PHD thesis, university of Utrecht (2000)

[23]. Sh. Sun, H.Zeng," Monodisperse MFe2O4 (M = Fe,.Co, Mn,.Ni) Nanoparticles American Chemical Society 126(2003) 273-279

[24]. B. Kavlicoglu" synthesis of surface modified ferrifluid" , PHD thesis,  university of Nevada, Reno, (2005)

[25]. P. Berger, "preparation and properties of an aqueous ferrifluid" , Journal of chemical education, 76 (1999 ) 943-948

[26]. A.S. Albuquerque, "Nano sized powders of NiZn ferrite:Synthesis, structure, and magnetism",journal of applied physics, 2000, 4352-4357, .vol 87. No 9

[27]. www.science central.com

[28]. I. H. Gul, W. Ahmed, Maqsood "Electrical and magnetic characterization of nanocrystalline Ni-Zn ferrite by Co-precipitation route" , Journal of magnetism and magnetic Materials (2007)


دانلود با لینک مستقیم


پایان نامه ی ساخت نانو ذرات فریت نیکل روی به روش همرسوبی. doc

دانلود مقاله چگونگی شتابدار کردن ذرات

اختصاصی از فی گوو دانلود مقاله چگونگی شتابدار کردن ذرات دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

 

 

 

 

در این تحقیق ابتدا به بیان جزئیات ومقدماتی در مورد چگونگی شتاب دار کردن ذرات پرداخته میشود و سپس به بررسی کلی شتاب دهنده ها و بیان انواع آنها وضرورت وجود آنها پرداخت خواهد شد.
نوارهای انرژی وحاملها:
الکترون نمی تواند یک طیف پیوسته از انرژی را به خود اختصاص دهد و دارای سطوح گسسته ای از انرژی است که به این سطوح اربیتال گفته می شود.
مقدار انرژی جنبشی که یک اربیتال دارد بستگی به انرژی الکترون آن دارد.
پیوندهای کووالانسی:
در یک شبکه کریستالی هر دو جفت الکترون تشکیل یک پیوند کوالانسی می دهند. پیوندهای کوولانسی می توانند بین اتمهای یک عنصر یا اتمهای عناصر متفاوت شکل بگیرند. وقتی پیوندهای کووالانسی به هم متصل میشوند یک شبکه کریستالی ایجاد می شود.
الکترون با شرکت در پیوند به سطوح انرژی پایین تری می رود و بنابراین برای رهایی از پیوند کووالانسی باید مقداری انرژی مصرف کنیم.
دردمای صفر کلوین در شبکه کریستالی تمام الکترونها در پیوندهای کووالانسی محبوس می شوند ولی در دمای محیط بعضی از پیوندها این شانس را دارند که از محیط اطراف به اندازه کافی انرژی دریافت کنند و از پیوند رها شوند.
نوارهای انرژی در نیمه هادی:
می توان ثابت کرد که الکترونها انرژیهای گسسته و محدودی دارند وشکافهایی از انرژی وجود دارد که در آنها هیچ حالت مجازی برای الکترون وجود ندارد.
اتمهای منفرد و جامدات:
در اینجا رفتار ویک اتم در حالتی را که در همسایگی هیچ اتم دیگری قرار ندارد و بصورت کاملا منفرد یعنی در خلا کامل است بررسی می کنیم.(شکل 1)
ابتدا الکترون سطوح کم انرژی تر را پر می کند.
با کم شدن فاصله اتمی بدلیل نیروهای جاذبه دافعه اتمی تغییرات مهمی ازشکل تراز الکترونها رخ می دهد که این تغییرات خود سبب تعیین خواص الکتریکی جامدات است. میتوان گفت در فاصله اتمی معینی نیروهای جاذبه ودافعه به تعادل میرسد.
با تجمع اتمها اصل انحصار پائولی اهمیت پیدا می کند. طبق این اصل هیچ دو الکترونی نمی تواند در حالت کوانتومی انرژی یکسانی داشته باشد. بنابراین انتظار می رود که با نزدیک شدن اتمهای منفرد ترازهای انرژی تغییر کند.
با کاهش فاصله اتمی ترازهای مجزای انرژی به نوارهای انرژی تبدیل می شود که این نوارها خود از ترازهای بسیارنزدیک به هم تشکیل شده اند.

 


تقسیم بندی نیمه هادی ها وعایقها:

 

هدایت (نیمه پر) نوار هدایت (خالی)
Eg~lev Eg~5ev

 

ظرفیت (نیمه خالی) ظرفیت (پر)
نیمه هادیها عایقها
شکل(2) شکل(3)

 

حاملها در نیمه هادی:
دردمای صفر کلوین تمام الکترونها در باند ظرفیت قرار دارند. با افزایش دما تعدادی از این الکترونها شانس حضور در باند هدایت را خواهندداشت 10 الکترونهایی که به نوار انرژی هدایت می روند میتوانند به عنوان باربریا حامل، جریان الکتریکی را هدایت کنند.
هر الکترون منتقل شده به نوار هدایت یک جای خالی الکترون باقی می گذارد که اصطلاحا حفره نام دارد. به این زوج الکترون حفره تولید شده (EHP) یا Electoron Hole Pair گویند.
باید توجه شود که تعداد زوج الکترون حفره های تولید شده در دمای اتاق در مقایسه با چگالی اتمها بسیار ناچیز است.
براین اساس نیمه هادی ذاتی و نیمه هادی غیرذاتی را تعریف می کنیم.
نیمه هادی ذاتی:
به یک بلور نیمه هادی که دارای چگونه ناخالصی یا نقص شبکه بلوری نباشد می گویند. بنابراین تنها حاملهای موجود در یک نیمه هادی زوج الکترونها حفره ها می باشند. به این ترتیب می توان انتظار داشت تعداد حفره ها والکترونها در یک نیمه هادی ذاتی با هم برابرند.
Ni =P =تعداد حفره ها=n= تعداد الکترونها
با توجه به ثابت بودن تعداد الکترون حفره ها در یک نیمه هادی ذاتی می توان انتظار داشت که نرخ تولید زوج الکترون حفره با نرخ باز ترکیب با هم برابرند.

 

نیمه هادی غیرذاتی:
با استفاده از عناصر خاصی به عنوان ناخالصی می توان تراکم باربرها را در یک نیمه هادی تغییرداد یعنی می توان شبکه بلوری را طوری تغییر داد که دارای اکثریتی از الکترون یا حفره باشد بنابراین نیمه هادی غیرذاتی به نیمه هادی گفته می شود که تعدادالکترونها وحفره ها در آن برابر نباشد.
با افزودن ناخالصی به یک نیمه هادی ترازهای انرژی جدیدی (معمولا در شکاف باند انرژی ممنوع) شکل می گیرد.
این ترازهای انرژی در دمای صفر کلوین توسط الکترونها کاملا پر می شوند.

 

تراکم باربرها:
در یک نیمه هادی تراکم باربرها خصوصیات نیمه هادی را تعیین می کند.با استفاده از ناخالصی می توان باربر ساخت مهمترین باربرها الکترونها هستند.

 

توزیع آماری فرمی دیراک:
توزیع الکترونها در مواد جامد را میتوان با استفاده از تابع توزیع آماری فرمی دیراک مدل کرد. به عبارت دیگر توزیع الکترونها روی محدوده ای از ترازوهای انرژی مجاز درشرایط تعادل گرمایی از تابع احتمال زیر بدست می آید.
F(E) : احتمال اینکه تراز انرژی E توسط الکترون اشغال شود (به شرطیکه انرژی E مجازباشد)
E: تراز انرژی مجاز
EF: سطح انرژی فرمی
K: ثابت بولتزمن
T: دمای کلوین

احتمال اشغال حفره در یک تراز انرژی برابر است با: شکل 4

 

محاسبه تراکم الکترونها وحفره ها در حالت تعادل:
می توان ثابت کرد که با افزایش انرژی چگالی ترازهای مجاز انرژی افزایش می یابد.
با دقت در رابطه توزیع احتمال فرمی متوجه می شویم که با افزایش انرژی احتمال اشغال الکترون به شدت به صورت نمایی کاهش می یابد.
برای ساده شدن محاسبات کلیه ترازهای انرژی اشغال شده در نوار هدایت را با یک مقدار موثر نمایش می دهیم.
: چگالی حالتهای موثر یا مقدار موثر ناشی از تمامی حالتهای اشغال شده در نوار هدایت
= تراکم الکترون
: جرم موثر الکترون
h: ثابت پلانک
K:ثابت بولتزمن

= چگالی حالتهای موثر در نوار ظرفیت


در نیمه هادی ذاتی:
:جرم موثر حفره

 

وابستگی تراکم باربرها به دما:
افزایش دما انرژی جنبشی الکترونها را زیاد می کند به طوریکه الکترونهای بیشتری شانس حضور در نوار هدایت راخواهند داشت. بنابراین انتظار داریم که با افزایش دما ni زیاد شود. به همین ترتیب Ef هم تابعی از دما است.(شکل 5)

 

قابلیت تحرک (Mobility):
قابلیت تحرک عبارت است از میانگین سرعت رانش ذرات در واحد میدان الکتریکی.
Mobility :Mn یا قابلیت تحرک

با استفاده از Mobility میتوان چگالی جریان ناشی از تحرک الکترونها را نیز تعریف کرد.

این چگالی جریان در صورتی وجود داردکه حاملهای جریان فقط الکترون باشند در صورتی که هم الکترون و هم حفره در هدایت جریان داشته باشند می توان نوشت:

 

:هدایت
اثر دما و ناخالصی روی :
وقتی دما زیاد شود برخورد الکترونی زیاد وفاصله متوسط فضای آزاد اطراف الکترون کم میشود والکترون به راحتی نمی تواند حرکت کند و قابلیت تحرک کم می شود ولی در جایی با افزایش با قابلیت تحرک زیاد می شود که در قبل از ناحیه عملکردذاتی باشد و آن جایی است که تمام باربرها یونیزه نشده اند. گاهی وقتها انرژی جنبشی الکترون را با دما نشان می دهند.

 

اثر تراکم روی قابلیت تحرک:
همواره با افزایش تراکم باربرها انتظار می رودکه قابلیت تحرک آنها کمتر شود.

 

تغییر ناپذیری تر از انرژی فرعی:
به طور کلی درمواد نیمه هادی اعم از همگون یا ناهمگون حتی در پیوندهای نیمه هادی هیچگونه ناپیوستگی یا شیب در تراز فرمی وجود ندارد یعنی است.

 

حاملهای اضافی در نیمه هادی:
اساس بر پایه عملکرد قطعات نیمه هادی وابسته به چگونگی توزیع حاملهای اضافی در این قطعات است به عبارت دیگر برای تغییر رفتار الکتریکی یک نیمه هادی از حاملهای اضافی استفاده میکنیم.

 

حاملهای اضافی:
حاملهایی هستند که علاوه بر حاملهای موجود در حالت تعادل به نیمه هادی تزریق می شوند. اضافه کردن این حاملها به روش های مختلفی امکان پذیر است از جمله این روشها به روشهای زیر می توان اشاره کرد:
1-برانگیزش نوری
2-بمباران الکترونی
3-تزریق الکتریکی

 

برانگیزش نوری:
با ورود یک فوتون به ماده نیمه هادی و بر هم کنش بین فوتون والکترون در صورتیکه باشد فوتون قادر خواهد بود که پیوند کووالانسی را بشکند و یک الکترون را از نوار ظرفیت به نوار هدایت ببرد.بنابراین جذب هر فوتون یک بار اضافی بوجود می آورد. الکترون حفره تولید شده را اصطلاحا حاملهای اضافی می نامیم.
اگر باشد احتمال جذب فوتون بسیار کم است لذا می توان گفت برخی از نیمه هادی ها در مقابل طول موجهای خاصی کاملا شفاف هستند.

 

2-بمباران الکترونی:
الکترونهای اضافی بوسیله بمباران الکترونی بوجود می آیند.ماهیت جرقه، تخلیه بار است. اگر اختلاف پتانسیل شدیدی داشته باشیم بمباران بوجود می آید و الکترونها داخل نیمه هادی بازترکیب می شوند (با حفره ها باز ترکیب می شوند) ونور بوجود می آید. نور افشانی باربرها (حاملهای اضافی) توسط بمباران ماده با الکترونهای پرانرژی صورت می گیرد مثل عمده لامپهای CRT موجود در تلویزیون یا اسیلسکوپ .

 

3-تزریق الکتریکی
در این روش حاملهای اضافی مستقیما بوسیله عبور جریان الکتریکی بوجود می آید. مثل LED ها که در واقع دیودی هستند که حاملهای اضافی را در یک پیوند PN تزریق می کنند و پیوند PN نورافشانی می کند.

 


ترازهای شبه فری:
ترازهای فرعی که تاکنون مورد استفاده قرار می گرفت تنها زمانی با معنی است که هیچگونه حامل اضافی در نیمه هادی وجود ندارد. دراین وضعیت (با وجود حاملهای اضافی) ترازهای جدیدی به نام ترازهای شبه فرمی(Fp,Fn) بوجود می آید.
که می توان تراکم حامل های اقلیت و اکثریت را به آنها مربوط کرد.

 

 

فرمت این مقاله به صورت Word و با قابلیت ویرایش میباشد

تعداد صفحات این مقاله   30 صفحه

پس از پرداخت ، میتوانید مقاله را به صورت انلاین دانلود کنید

 

 


دانلود با لینک مستقیم


دانلود مقاله چگونگی شتابدار کردن ذرات

مقاله درباره تست ذرات مغناطیسی

اختصاصی از فی گوو مقاله درباره تست ذرات مغناطیسی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقاله درباره تست ذرات مغناطیسی


مقاله  درباره تست ذرات مغناطیسی

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)


تعداد صفحه:10

فهرست:

تست ذرات مغناطیسی

 تست ذرات مغناطیسی

مغناطیس کردن به وسیله کابل

استفاده از روش پراد

روش یوک

ذرات

ذرات مورد استفاده در تست MT از موادی که به دقت از لحاظ مغناطیس شوندگی ، شکل و قابلیت نفوذپذیری انتخاب شده اند می باشند. این ذرات، مغناطیس باقی مانده را در خود نگه نمی دارند. این ذرات از براده های تراش کاری هم کوچکترند و در حقیقت این ذرات شبیه پودر می باشند . ذرات بر مبنای روشهای استفاده آنها به دو گروه خشک و تر طبقه بندی می شوند.
ذرات مغناطیسی توسط نشت میدان مغناطیسی جذب می شوند و تجمع ذرات در محل عیب و نشت میدان می توان موجب آشکار شدن علائم عیب شود .


دانلود با لینک مستقیم


مقاله درباره تست ذرات مغناطیسی