تحقیق در مورد حافظه و تفکر

اختصاصی از فی گوو تحقیق در مورد حافظه و تفکر دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه56

فهرست مطالب

فهرست

مقدمه

فصل اول

حافظه

کاربرد حافظه

فصل دوم

تفکر

اصول کلی

مقدمه

مطالب و مباحث این تحقیق در زمینه حافظه و تفکر می باشد که مطالب این تحقیق نخست بصورت پراکنده در کتابهای مختلف از استادان نویسندگان و روانشناسان بزرگ و مشهور وجود داشت. تنظیم این مطالب و مباحث و تدوین آنها به صورت یک تحقیق جامع به فرصتی کافی نیاز داشت. مسئولیت های مختلف درسی و مشکلات مختلف چنین فرصتی را محدود می ساخت و این مسئولیت نیز چنان نبود که بتوان از زیر بار آن شانه خالی کرد. پس ما این تحقیق را پذیرفتیم و شروع به گردآوری و تدوین مطالب نمودیم .

راه های افزایش هوش و حافظه

اختصاصی از فی گوو راه های افزایش هوش و حافظه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانشمندان معتقدند که در زمان تولد تعداد مشخصی سلول های مغزی داریم که به مرور با پیر شدن تعداد بسیار زیادی از آنها را از دست می دهیم. تحقیقات گسترده در این باره نشان داده اند که سلولهای مغزی جدید در طول زندگی نیز برخلاف آنچه در گذشته تصور می شد، تولید می شوند و مغز در صورت استفاده هر چه بیشتر از آن ، قابلیت رشد و حجیم تر شدن را دارد. تحقیقات و مطالعات حاکی از آن است که به عنوان مثال قسمتی از مغز رانندگان که مربوط به کنترل نقشه یابی تصویری است، رشد بیشتری دارد. همچنین بخشی از مغز پیانیست ها و نوازندگان متبحر هم  که کنترل و اداره موزیک را در اختیار دارد، حجم بیشتری  دارد. از طرف دیگر، تحقیقاتی که اخیراً در این مورد انجام شده ، حاکی از آن است که افرادی با مشغله های مهارتی بالا مانند : مهندسان و معلمان دارای سیناپس ( محل اتصال دو رشته عصبی به یکدیگر) های بیشتری هستند. سیناپس ها همان رابطین بین سلول های مغزی هستند که به ذخیره سازی اطلاعات کمک می کنند.

این کتاب به معرفی راه های تصویری برای افزایش هوش و حافظه می پردازد

تعداد صفحات 52 صفحه

دانلود مقاله انواع حافظه کامپیوتر

اختصاصی از فی گوو دانلود مقاله انواع حافظه کامپیوتر دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

استفاده از کامپیوتر در ایران از چند سال قبل رایج شده است . امروزه در موارد متعددی از کامپیوتراستفاده بعمل می آید. چرخه استفاده از کامپیوتر از مرحله تهیه سخت افزارهای لازم شروع و در ادامه با نصب تجهیزات سخت افزاری زمینه استفاده از مقولات دیگر نظیر : نرم افزار، شبکه ،اینترنت و ... فراهم میگردد. در زمینه بکارگیری و استفاده از پتانسیل های فوق سوالات متعدد کاربردی برای هر یک از کاربران با سطوح متفاوت اطلاعاتی مطرح بوده و خواهد بود. تنها با یافتن پاسخ مناسب علمی به هر یک از موارد مطرح شده است که می توان امیدوار به ایجاد یک زیر ساخت مناسب فرهنگی بمنظور استفاده از کامپیوتر در جایگاه واقعی خود بود. در صورت نیل به هدف فوق شتاب حرکات هدفمند بمنظور نهادینه شدن فرهنگ عمومی استفاده و بکارگیری سیستم های سخت افزاری نرم افزاری و شبکه سیر منطقی و معقول خود را طی خواهد کرد.
در این بخش به سوالات متداول در زمینه کامپیوتر پرداخته و با ارائه پاسخ های مناسب علمی گامی هر چند اندک در زمینه ایجاد و بهینه سازی فرهنگ استفاده از کامپیوتر در کشور بردارد. بدین منظور بخش های متعدد ایجاد و با ساختاری که در قسمت سمت راست این صفحه مشاهده می نمائید سازماندهی شده اند. سوالات موجود در هر بخش به مرور زمان افزایش خواهند یافت . روش پاسخ به سوالات مورد نظر بصورت کاملا" علمی و مختصر خواهد بود. کاربران با مراجعه به هر یک از بخش های فوق و انتخاب سوال مورد نظر قطعا" پاسخی مناسب را دریافت خواهند کرد. هدف از راه انداری این بخش، ایجاد یک " دایره المعارف علمی " در رابطه با کامپیوتر با بهره گیری از پتانسیل های وب است . این بخش کاملا" پویا بوده و سعی خواهد شد که همواره "حرفی تازه" برای کاربران داشته باشد.
حافظه ROM
 . این نوع از حافظه ها علاوه بر استفاده در کامپیوترهای شخصی در سایر دستگاههای الکترونیکی نیز بخدمت گرفته می شوند . :
•    ROM
•    PROM
•    EPROM
•    EEPROM
•    Flash Memory
هر یک از مدل های فوق دارای ویژگی های منحصربفرد خود می باشند . حافظه های فوق در موارد زیردارای ویژگی مشابه می باشند:
•    داد های ذخیره شده در این نوع تراشته ها " غیر فرار " بوده و پس از خاموش شدن منبع تامین انرژی اطلاعات خود را از دست نمی دهدند.
•    داده های ذخیره شده در این نوع از حافظه ها غیر قابل تغییر بوده و یا اعمال تغییرات در آنها مستلزم انجام عملیات خاصی است.

مبانی حافظه های ROM
حافظه ROM از تراشه هائی شامل شبکه ای از سطر و ستون تشکیل شده است ( نظیر حافظه RAM) . هر سطر وستون در یک نقظه یکدیگر را قطع می نمایند. تراشه های ROM دارای تفاوت اساسی با تراشه های RAM می باشند. حافظه RAM از " ترانزیستور " بمنظور فعال و یا غیرفعال نمودن دستیابی به یک " خازن " در نقاط برخورد سطر و ستون ، استفاده می نمایند.در صورتیکه تراشه های ROM از یک " دیود" (Diode) استفاده می نماید. در صورتیکه خطوط مربوطه "یک" باشند برای اتصال از دیود استفاده شده و اگر مقدار "صفر" باشد خطوط به یکدیگر متصل نخواهند شد. دیود، صرفا" امکان حرکت " جریان " را در یک جهت ایجاد کرده و دارای یک نفطه آستانه خاص است . این نقطه اصطلاحا" (Forward breakover) نامیده می شود. نقطه فوق میزان جریان مورد نیاز برای عبور توسط دیود را مشخص می کند. در تراشه ای مبتنی بر سیلیکون نظیر پردازنده ها و حافظه ، ولتاژ Forward breakover تقریبا" معادل شش دهم ولت است .با بهره گیری از ویژگی منحصر بفرد دیود، یک تراشه ROM قادر به ارسال یک شارژ بالاتر از Forward breakover و پایین تر از ستون متناسب با سطر انتخابی ground شده در یک سلول خاص است .در صورتیکه دیود در سلول مورد نظر ارائه گردد، شارژ هدایت شده (از طریق Ground ) و با توجه به سیستم باینری ( صفر و یک )، سلول یک خوانده می شود ( مقدار آن 1 خواهد بود) در صورتیکه مقدار سلول صفر باشد در محل برخورد سطر و ستون دیودی وجود نداشته و شارژ در ستون ، به سطر مورد نظر منتقل نخواهد شد.
همانطور که اشاره گردید، تراشه ROM ، مستلزم برنامه نویسی وذخیره داده در زمان ساخت است . یک تراشه استاندارد ROM را نمی توان برنامه ریزی مجدد و اطلاعات جدیدی را در آن نوشت . در صورتیکه داده ها درست نبوده و یا مستلزم تغییر و یا ویرایش باشند، می بایست تراشه را دور انداخت و مجددا" از ابتدا عملیات برنامه ریزی یک تراشه جدید را انجام داد.فرآیند ایجاد تمپلیت اولیه برای تراشه های ROM دشوار است .اما مزیت حافظه ROM بر برخی معایب آن غلبه می نماید. زمانیکه تمپلیت تکمیل گردید تراشه آماده شده، می تواند بصورت انبوه و با قیمت ارزان به فروش رسد.این نوع از حافظه ها از برق ناچیزی استفاده کرده ، قابل اعتماد بوده و در رابطه با اغلب دستگاههای الکترونیکی کوچک، شامل تمامی دستورالعمل های لازم بمنظور کنترل دستگاه مورد نظر خواهند بود.استفاده از این نوع تراشه ها در برخی از اسباب بازیها برای نواختن موسیقی، آواز و ... متداول است .
حافظه PROM
تولید تراشه های ROM مستلزم صرف وقت و هزینه بالائی است .بدین منظور اغلب تولید کنندگان ، نوع خاصی از این نوع حافظه ها را که PROM )Programmable Read-Only Memory) نامیده می شوند ، تولید می کنند.این نوع از تراشه ها با محتویات خالی با قیمت مناسب عرضه شده و می تواند توسط هر شخص با استفاده از دستگاههای خاصی که Programmer نامیده می شوند ، برنامه ریزی گردند. ساختار این نوع از تراشه ها مشابه ROM بوده با این تفاوت که در محل برخورد هر سطر و ستون از یک فیوز( برای اتصال به یکدیگر) استفاده می گردد. یک شارژ که از طریق یک ستون ارسال می گردد از طریق فیوز به یک سلول پاس داده شده و بدین ترتیب به یک سطر Grounded که نماینگر مقدار "یک" است ، ارسال خواهد شد. با توجه به اینکه تمام سلول ها دارای یک فیوز می باشند، درحالت اولیه ( خالی )، یک تراشه PROM دارای مقدار اولیه " یک" است . بمنظور تغییر مقدار یک سلول به صفر، از یک Programmer برای ارسال یک جریان خاص به سلول مورد نظر، استفاده می گردد.ولتاژ بالا، باعث قطع اتصال بین سطر و ستون (سوختن فیوز) خواهد کرد. فرآیند فوق را " Burning the PROM " می گویند. حافظه های PROM صرفا" یک بار قابل برنامه ریزی هستند. حافظه های فوق نسبت به RAM شکننده تر بوده و یک جریان حاصل از الکتریسیته ساکن، می تواند باعث سوخته شدن فیور در تراشه شده و مقدار یک را به صفر تغییر نماید. از طرف دیگر ( مزایا ) حافظه ای PROM دارای قیمت مناسب بوده و برای نمونه سازی داده برای یک ROM ، قبل از برنامه ریزی نهائی کارآئی مطلوبی دارند.
حافظه EPROM
استفاده کاربردی از حافظه های ROM و PROM با توجه به نیاز به اعمال تغییرات در آنها قابل تامل است ( ضرورت اعمال تغییرات و اصلاحات در این نوع حافظه ها می تواند به صرف هزینه بالائی منجر گردد)حافظه هایEPROM)Erasable programmable read-only memory) پاسخی مناسب به نیاز های مطح شده است ( نیاز به اعمال تغییرات ) تراشه های EPROM را می توان چندین مرتبه باز نویسی کرد. پاک نمودن محتویات یک تراشه EPROM مشتلزم استفاده از دستگاه خاصی است که باعث ساطع کردن یک فرکانس خاص ماوراء بنفش باشد.. پیکربندی این نوع از حافظه ها مستلزم استفاده از یک Programmer از نوع EPROM است که یک ولتاژ را در یک سطح خاص ارائه نمایند ( با توجه به نوع EPROM استفاده شده ) این نوع حافظه ها ، نیز دارای شبکه ای مشتمل از سطر و ستون می باشند. در یک EPROM سلول موجود در نقظه برخورد سطر و ستون دارای دو ترانزیستور است .ترانزیستورهای فوق توسط یک لایه نازک اکسید از یکدیگر جدا شده اند. یکی از ترانزیستورها Floating Gate و دیگری Control Gate نامیده می شود. Floating gate صرفا" از طریق Control gate به سطر مرتبط است. مادامیکه لینک برقرارباشد سلول دارای مقدار یک خواهد بود. بمنظور تغییر مقدار فوق به صفر به فرآیندی با نام Fowler-Nordheim tunneling نیاز خواهد بود .Tunneling بمنظور تغییر محل الکترون های Floating gate استفاده می گردد.یک شارژ الکتریکی بین 10 تا 13 ولت به floating gate داده می شود.شارژ از ستون شروع و پس از ورود به floating gate در ground تخلیه خواهد گردید. شارژ فوق باعث می گردد که ترانزیستور floating gate مشابه یک "پخش کننده الکترون " رفتار نماید . الکترون های مازاد فشرده شده و در سمت دیگر لایه اکسید به دام افتاد و یک شارژ منفی را باعث می گردند. الکترون های شارژ شده منفی ، بعنوان یک صفحه عایق بین control gate و floating gate رفتار می نمایند.دستگاه خاصی با نام Cell sensor سطح شارژ پاس داده شده به floating gate را مونیتور خواهد کرد. در صورتیکه جریان گیت بیشتر از 50 درصد شارژ باشد در اینصورت مقدار "یک" را دارا خواهد بود.

شامل 29صفحه word

تحقیق در مورد رابطه کم رویی با حافظه

اختصاصی از فی گوو تحقیق در مورد رابطه کم رویی با حافظه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه18

فهرست مطالب

-مقدمه                        

2-جزئیات پروژه

3-پرسش نامه

4-نمودار- میانگین- میانگین وزن- واریانس

5-نمودار سؤال اول

6-نمودار سؤال دوم

7-نمودار سؤال سوم

8-نمودار سؤال چهارم

9-نمودار سؤال پنجم

10-نمودار سؤال ششم

11-نمودار سؤال هفتم

12-نتیجه

اگر می خواهید از نگرانی دور باشید، شیوة سر ویلیام اسلد را اجرا کنید. در چهار دیواری امروز زندگی کنید نگران آینده نباشید هر روز فقط تا وقت خواب زندگی کنید. از خدا بپرسید اگر نتوانم مسئله ام را حل کنم برترین چندی که پیش آید چیست. خدا را از تقلد ذهنی برای پذیرش برترین وضع آماده کنید اگر لازم شد. سپس با خونسردی بکوشید. برترین وضعی را که از نظر ذهنی آماده پذیرش آن شده اید بهبود بخشید. آیا متقاعد شده اید که می توانید رها از اضطراب، تفکر منفی، تصویر ذهنی بد، روابط ناخوشایند با دیگران و سایر عادات ناشی از اندیشه های اشتباه زندگی کنید؟ می توانید با برنامه ریزی ناهوشیار خود، نوارهای منفی گذشته ها را با نوارهای جدید تعویض کنید. می توانید از نور ضعلی بسازید که برای شما و دیگران اسباب شادی باشد. می توانید به انسان جدیدی با زندگی به علاوه تغییر شکل دهید، بدانید که مانند من موفق خواهید شد.

تحقیق در مورد حافظه

اختصاصی از فی گوو تحقیق در مورد حافظه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه:16

 فهرست مطالب

مقداری زیادی از کارها به داخل زیر سیستم مدیرت حافظه در سریهای  کرنل l inux.2.5  منتقل شده است و نسبت به              تا (سیستم حافظه مجالس ) حالت پایداری بیشتری را در تنوعات زیادی از پارمان کاری دارد. و همچنین بیشتر مسائل مقیاس پذیری حل شده و منجر به عملکرد بیشتر mamgement    memory   بر روی ماشینهای بزرگبر ( با ram بیش از 1GB  یا دارای بیش از یک praccassor  یا هر دو ) شده است. بعضی از این تغییرات برای ماشینها ی کوچک نیز سودمند است و در سریهای کرنل 2..4  تقسیمات اصلی linux  به طور گسترده‌ای از کرنل mainline  بخصوص از محیط   um  منشعب شده است.

این مسئله باعث به وجود آمدن مداوم مسائلی و تلاش مضاعف به هدر رفته در ویژگیهای پیاده سازی می‌شود سریهای 2.5     گشته ( در آنها هم هست ). سریهای 2.4  تحت مدیریت  andrew   morton  است که بنیان مستحکم برای پیشرفتهای آتی فراهم می‌آورد. و همچنین پتانسیل بیشتری برای کار مشترک بیشتر ، این مقدار در صورت تغییرات که در سیستم 1inux    um    بهای 2.5  صورت گرفته است که به طور قابل ملاحظه‌ای ماشینهای بزرگبر را فشرده می‌کند      می‌کند و همچنین تغییراتی که برای آینده         می‌شوند را در بر می‌گیرد که بیشتر آنها در حال حاضر به عنوان قطعات جدا موچود می‌شوند ماشینهای بزرگبر همچنین باید از عهدة تعداد زیادی از فعالیتهای همزمان بر آیند که منظور من حد تا می‌باشد. به منظور سادگی و صراحت و اختیار ما ، ماشین l A 32  با mode   PAE  با طرح حافظه فرمان را در این مقاله در نظر می‌گیریم این محاسبات بر روی یک سیستم 16-cpu   numa-o  

(                   )                         گرفته است.

Lntrodueticn

اقتصاد بازار و رواج سیستمهای 32bit  بزرگ را تحمیل می‌کند با وجود اینکه       نرم افزار هم بوجود می‌آید گرجه chip  های 64bit  ارزان شروع به ظهور کردن اما آنها هنوز مانند سیستمهای بزرگ در دسترس نیستند اگر چه تکنیکها و دست آوردهای توصیف شده در این مقاله ، بدون هیچ هدفی تنها در این ماشینها کاربرد دارد

محیط مجازی  erlobal  kernel

شکل اساسی ماشینهای 3.2bit  فقدان فضای آدرس دهی مجازی هم برای       کاربرد و هم کرنل 3.2bit   ما را محدود به 4Gb  می‌کند هر فضای آدرس دهی پردازشهای کاربر فقط مربئط به همان فرآیند می‌شود اما فضای آدرس دهی کرنل ، erlobal است برای تعمین عملکرد مناست در فضای آدرس دهی کاربر با فضای آدرس دهی کرنل تقسیم می‌شود ( به اشتراک گذاشته می‌شود )

« شکل ْ1 »

انشعاب فضای آدرس دهی پیش فرض 0------

ممکن است که بتوان این انشعاب را تغییر داد اما اغلب مطلوب نیست بعضی از کاربردها نظیر بانکهای اطلاعاتی به مقدار خیلی زیادی فضای آدرس دهی برای پردازش نیاز دارند در صورتیکه کرنل نیازمند فضای زیادی برای ساختارهای اطلاعاتی خواص باشد. اولین حافظه فیزیکی 896 mB به صورت 1:1   در فضای آدرس دهی erlobal  مشترک نقاشی کند. این دامنه حافظه به

عنوان حافظه پایین شناخته می‌شود ( zone-normal   ) حافظه بیش از 896mB  بعنوان حافظه بزرگ شناخته می‌شود ( zome-hiGihmem   ) هرچه بیشتر حافظه فیزیکی به ماشین اضافه شود فشار بیشتری را  بر محیط کرنل erlobal  وارد آودره‌ایم ، کرنل استاندارد linux 2.4  از عهده مقادیر زیادی از حافظه بر می‌آید شاید در بهترین حالت به 4GB  محدود شود اشتعابات inler price   ،  linux 2.4    با 16 GB    تا 32GB  حافظه کار می‌کند که بستگی به انشعاب دارد.

Limux 2.5  از عهده حافظه ای تقریبآ 32GB   بر می‌آیند متآسفانه بیشتر اطلاعاتی که در فضای آدرس دهی کرنل گذاشته شده است قابل تبادل نمی‌باشد و کرنل linux   اغلب این اطلاعات را به طور شا بسته‌ای تحت فشار حافظه خورد نمی‌کند بنابر این حالت شکست اغلب قابل تشخیص نمی‌باشد و         حافظه متوقف می‌شود و سیستم ‌‌hang   میکند.